光伏是中國制造的一張靚麗的名片。中國光伏制造全球市場份額超過90%，相比之下，中國大陸本土企業(yè)芯片制造的全球市場份額不足10%（加上在華外資企業(yè)可達20%）。芯片制造被稱為最后一個沒有實現(xiàn)國產(chǎn)替代的大產(chǎn)業(yè)。那么，中國光伏制造為什么能夠成功？中國芯片制造又能否復制中國光伏的成功經(jīng)驗？

讀懂中國光伏，就讀懂了中國制造。我們來簡單回顧一下中國光伏的崛起過程。

2001年，無錫尚德成立，為中國光伏產(chǎn)業(yè)的啟動拉開了序幕。2004年，德國修訂《可再生能源法》，歐洲對光伏的需求爆發(fā)，中國利用“進口原料+進口設(shè)備+國內(nèi)低成本制造”快速擴產(chǎn)，但面臨原料、設(shè)備、市場“三頭在外”的風險。2008金融危機使光伏市場需求暴減，疊加光伏產(chǎn)能過剩，讓中國光伏行業(yè)遭遇重大危機。2011-2012年歐美聯(lián)合“雙反”關(guān)稅，歐美市場關(guān)上大門，中國幾百家光伏電池組件廠倒閉，行業(yè)第一次大洗牌。光伏廠家通過原料和設(shè)備的國產(chǎn)化大幅降本，自身技術(shù)升級提高效率，加上中國政府通過補貼啟動國內(nèi)光伏市場，讓光伏行業(yè)度過危機。中國光伏廠家還通過海外建廠規(guī)避歐美關(guān)稅壁壘，重啟海外市場，此后一騎絕塵，通過“原料設(shè)備國產(chǎn)化降低成本+技術(shù)迭代取得效率領(lǐng)先”，從而成就全球霸主地位。

我們看到，中國光伏崛起的模式是先利用國內(nèi)的低人工成本，從海外進口原料和設(shè)備，占據(jù)中低端市場。然后，通過在國內(nèi)采購原料和設(shè)備實現(xiàn)國產(chǎn)替代，進一步降低成本。穩(wěn)定中低端市場后，通過大量研發(fā)投入，挺進高端市場。在市場競爭上，一方面依托國內(nèi)市場兜底，另一方面通過海外建廠拓展國際銷售渠道，從而實現(xiàn)中國光伏產(chǎn)業(yè)的逆襲。

實際上，不僅是光伏，中國其它產(chǎn)業(yè)的崛起過程或多或少用的都類似于這個模式。需要注意的是，這個模式僅適用于大產(chǎn)業(yè)，不適用于細分領(lǐng)域的高精尖的小產(chǎn)業(yè)。細分市場由于市場容量很小，能容納的玩家很有限。比較典型的如圓珠筆芯上的那粒鋼珠，中國仍全部從日本進口。之所以沒有國產(chǎn)化，不是中國企業(yè)做不出來，而是因為市場太小。筆尖鋼和鋼珠的用量極小，全球市場也就幾千萬人民幣規(guī)模，中國鋼廠不愿為這種小眾、高精度材料頻繁調(diào)試、小批量生產(chǎn)。生產(chǎn)筆頭要在2.3毫米的球座體上加工出微米級溝槽，調(diào)試復雜、設(shè)備昂貴，需要用瑞士米克朗的高精度機床，國內(nèi)的設(shè)備廠商也沒有興趣生產(chǎn)同類機床。很多高精尖的實驗室設(shè)備，甚至是光刻機，情形都與圓珠筆鋼珠相似。非不能也，實不欲為。

然而，先用低價占據(jù)市場，再通過原料、設(shè)備的國產(chǎn)化進一步降本，積累資金投入研發(fā)，挺進高端市場，這個模式在半導體產(chǎn)業(yè)卻失效了。為什么中國大陸企業(yè)不能通過這個模式占領(lǐng)芯片市場，最主要的原因在于芯片的技術(shù)迭代太快，兩年時間就將產(chǎn)品性能提高一倍，產(chǎn)品價格下降一半。在這種速度下，中國大陸企業(yè)首先就連芯片的低端市場都占據(jù)不了，沒有市場就沒有能力扶持國內(nèi)的原料和設(shè)備廠商，原料和設(shè)備無法國產(chǎn)化，就不可能進一步降低成本，企業(yè)就缺乏利潤支持研發(fā)投入，如此惡性循環(huán)，中國大陸企業(yè)在芯片市場就始終處于落后追趕的局面。

以28納米成熟工藝為例。28納米工藝的芯片由于性價比高，目前仍處在黃金生命周期，被廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車、工業(yè)與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信、物聯(lián)網(wǎng)和智能設(shè)備、安全與專用芯片等多個領(lǐng)域。28納米芯片的市場，臺積電占據(jù)45%的市場份額一家獨大，三星占據(jù)20%緊隨其后，格芯和聯(lián)電各占13%和12%據(jù)第三、第四位。中國大陸企業(yè)有中芯國際、華虹半導體和晶合集成，市場份額合計約在10%（依據(jù)MRA報告）。

中國大陸企業(yè)之所以在28納米工藝上直到現(xiàn)在還處于落后地位，首先在于最初技術(shù)迭代時間的落后。臺積電、格芯等企業(yè)早在2010年左右就實現(xiàn)了28納米工藝的規(guī)?；慨a(chǎn)，中國大陸最早量產(chǎn)28納米的中芯國際2015年才實現(xiàn)該工藝量產(chǎn)。半導體企業(yè)的生產(chǎn)成本在設(shè)備上占大頭，普遍實行5年折舊。中國大陸企業(yè)在28納米工藝上落后了5年時間，意味著剛啟動市場時，海外競爭對手已經(jīng)把設(shè)備的折舊都提完了，可將產(chǎn)品價格大幅降低，中國大陸企業(yè)根本連低端市場都難以占領(lǐng)。

中國大陸企業(yè)在28納米芯片上只能靠低價甚至虧損來維持市場競爭，市場份額小、企業(yè)利潤低，自然沒有實力扶持國內(nèi)半導體設(shè)備廠商的國產(chǎn)化替代。加上海外對28納米光刻機不禁售，也打擊中國大陸芯片廠采購國產(chǎn)光刻機的意愿。

直到2023年底，上海微電子（SMEE）才宣布首臺28納米浸沒式DUV樣機（SSA800/10W）研制完成，通過工廠內(nèi)部工藝驗證。2024年，該設(shè)備進入中芯國際北京線做晶圓級驗證，良率從85%提到90%，達到可量產(chǎn)門檻。2025年5 月，上海微電子完成首臺商業(yè)28納米光刻機交付，宣布開始“小批量量產(chǎn)”。9月，中芯國際開始測試相關(guān)設(shè)備，進一步推進產(chǎn)線兼容性驗證。10月，華虹半導體無錫廠接收了首批驗證機，測試結(jié)果顯示良率穩(wěn)定在95%以上，性能指標已能滿足28納米芯片生產(chǎn)的核心需求。這款28納米光刻機的國產(chǎn)化率已突破70%，核心的雙工件臺、投影物鏡等部件均實現(xiàn)國產(chǎn)供應(yīng)。預計要到2026年完成更多客戶驗證后，才會正式宣布商業(yè)化。

連28納米光刻機都要到2026年才能國產(chǎn)化，更不要說能生產(chǎn)14納米、7納米、5納米、3納米和2納米等先進工藝芯片的DUV甚至是EUV光刻機了。以光刻機為代表的半導體設(shè)備遲遲未能國產(chǎn)化，以硅晶圓為代表的半導體原料才剛部分國產(chǎn)化，中國大陸芯片廠也就無法通過國內(nèi)的設(shè)備和原料采購來降低成本，不能通過低價競爭來占領(lǐng)低端芯片市場。連28納米這樣相對低端的芯片市場都占領(lǐng)不了，自然就在研發(fā)投入無法與海外大廠相比，難以追趕14納米及以下先進工藝。如此惡性循環(huán)，半導體產(chǎn)業(yè)也就成為最后一個未實現(xiàn)國產(chǎn)替代的大產(chǎn)業(yè)了。

好消息是，摩爾定律快要到頭，芯片先進工藝到1納米（10埃）后就將難以為繼，英偉達GPU的耗電量越來越大就是明證。這就意味著，中國大陸企業(yè)，無論是芯片制造廠還是半導體設(shè)備供應(yīng)商，與海外的技術(shù)差距一定是在不斷縮小的。只要海外大廠的技術(shù)不再迭代，再先進的技術(shù)，如EUV光刻機，遲早也會變成落后技術(shù)，中國大陸企業(yè)取得技術(shù)突破指日可待。一旦半導體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵設(shè)備（如EUV光刻機）和關(guān)鍵原料（如硅晶圓）實現(xiàn)國產(chǎn)替代，光伏產(chǎn)業(yè)通過降本增效實現(xiàn)逆襲的歷史就可在半導體產(chǎn)業(yè)上重演，芯片國產(chǎn)替代也將隨之成為現(xiàn)實。

（作者簡介：余盛，硬科技財經(jīng)作家、荷蘭商學院行業(yè)導師，著有《中國光伏突圍戰(zhàn)》《芯片戰(zhàn)爭》《芯片浪潮》《手機戰(zhàn)爭》《金龍魚背后的糧油帝國》等作品。歡迎關(guān)注公眾號“余盛”，第一時間閱讀余盛本人的原創(chuàng)科技、財經(jīng)和歷史類深度評論文章。）

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