導(dǎo)讀：EUV光刻機三大核心，有一項最易攻克，也有一項最難攻克！

當前，全球僅有一家企業(yè)掌握EUV光刻機制造技術(shù)，即ASML公司。然而，ASML的EUV光刻機不會售予中國，這其中既有歐洲方面的限制因素，更有美國從中作梗。

盡管不少人認為浸潤式DUV光刻機也能夠用于制造5nm甚至3nm芯片，但實際上該技術(shù)存在諸多弊端。其良品率過低、成本過高、生產(chǎn)效率低下，且技術(shù)難度極大，從綜合效益來看，并不具備經(jīng)濟性。因此，若要制造5nm及以下制程的芯片，EUV光刻機是更為理想的選擇。鑒于此，我國開展EUV光刻機的研發(fā)工作是勢在必行、無法回避的。

光刻機有三大核心系統(tǒng)，分別為EUV光源系統(tǒng)、投影物鏡系統(tǒng)以及雙工作臺系統(tǒng)。由此便引出一個關(guān)鍵問題：在這三大核心系統(tǒng)中，哪一項是我國最容易攻克的，而哪一項又是最難攻克的呢？

先給出結(jié)論，相對而言，最容易攻克的應(yīng)當是雙工作臺系統(tǒng)；而最難攻克的并非EUV光源系統(tǒng)，實則是投影物鏡系統(tǒng)。好的，我將按照您的要求進行續(xù)寫。以下是續(xù)寫內(nèi)容：

在三大核心系統(tǒng)中，雙工作臺系統(tǒng)的技術(shù)門檻相對較低。該系統(tǒng)主要解決晶圓與掩模的同步運動問題，核心在于精密機械控制與定位算法。我國在數(shù)控機床和高精度運動控制領(lǐng)域已有深厚積累，華卓精科等企業(yè)研發(fā)的雙工作臺已實現(xiàn)納米級定位精度。雖然ASML采用磁懸浮技術(shù)實現(xiàn)驚人加速度，但通過氣浮平臺+先進控制算法的組合，國產(chǎn)方案完全可能達到相近性能。值得注意的是，該系統(tǒng)還涉及實時量測反饋技術(shù)，這正是我國量子測量技術(shù)的優(yōu)勢領(lǐng)域。

EUV光源系統(tǒng)雖被普遍視為最大難點，但實際存在技術(shù)突破口。上海光機所研發(fā)的二氧化碳激光等離子體光源已實現(xiàn)50瓦功率輸出，雖距ASML的250瓦尚有差距，但通過優(yōu)化靶材配方（如錫合金微滴）和激光頻率，功率提升路徑明確。更關(guān)鍵的是，我國在"極紫外光刻光源"國家重大專項支持下，已建成完整的光源測試驗證平臺，這種全鏈條研發(fā)能力比單純功率指標更具戰(zhàn)略意義。

真正的"卡脖子"環(huán)節(jié)在于投影物鏡系統(tǒng)。這個由6組非球面鏡組成的系統(tǒng)，要求表面粗糙度達到原子級（0.1納米以下），且需在多層膜反射鏡上實現(xiàn)70%以上的反射率。德國蔡司為此開發(fā)了離子束拋光補償技術(shù)，其工藝訣竅（Know-how）積累超三十年。更嚴峻的是，物鏡系統(tǒng)需要整套計算光刻軟件支撐，從光學設(shè)計、熱變形補償?shù)较癫钚Ｕ珹SML每年投入超20億歐元維護的算法數(shù)據(jù)庫才是核心競爭力。我國雖在長春光機所布局了物鏡研發(fā)，但在確定性拋光、原位檢測等關(guān)鍵工藝上仍落后兩代以上。

值得深思的是，EUV研發(fā)不能簡單套用"兩彈一星"模式。光刻機本質(zhì)是商業(yè)產(chǎn)品，需要構(gòu)建包含蔡司（光學）、通快（激光）、Imec（工藝）在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。我國正通過"02專項"打造協(xié)同創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)，如北京科益虹源的激光器與上海微電子的整機集成已形成聯(lián)動。未來突破路徑可能是：先實現(xiàn)雙工作臺國產(chǎn)替代，再以光源系統(tǒng)為杠桿撬動國際合作，最終通過產(chǎn)學研聯(lián)合攻關(guān)攻克物鏡系統(tǒng)。這條征途注定漫長，但每一次局部突破都在重塑全球半導(dǎo)體權(quán)力的地理版圖。