被譽(yù)為浸潤式光刻機(jī)之父的臺(tái)積電前研發(fā)副總裁林本堅(jiān)接受媒體采訪的時(shí)候再次表示，中國大陸或許在沒有EUV光刻機(jī)的情況下研發(fā)出5納米工藝，利用現(xiàn)有的浸潤式DUV光刻機(jī)就能生產(chǎn)出5納米，浸潤式DUV光刻機(jī)有這樣的潛力。

林本堅(jiān)在臺(tái)積電做研發(fā)工作的時(shí)候就研發(fā)出了浸潤式光刻機(jī)技術(shù)，不過當(dāng)時(shí)占據(jù)領(lǐng)先地位的日本光刻機(jī)企業(yè)佳能、尼康等在干式光刻機(jī)技術(shù)上處于巔峰，并不愿意投入巨資研發(fā)浸潤式光刻機(jī)，而一直在光刻機(jī)行業(yè)苦苦掙扎的ASML卻認(rèn)為是一個(gè)機(jī)會(huì)而找上了臺(tái)積電。

在雙方合作之下，ASML迅速研發(fā)出浸潤式光刻機(jī)并交付給臺(tái)積電，由此ASML迅速崛起，至2008年左右，ASML已超越日本的光刻機(jī)企業(yè)成為業(yè)界老大，由于這種合作關(guān)系，此后ASML一直都與臺(tái)積電保持著深度的合作關(guān)系。

后來ASML又獲得美國的EUV光刻機(jī)技術(shù)支持，而研發(fā)出EUV光刻機(jī)，由此ASML徹底成為光刻機(jī)行業(yè)的龍頭，可以說正是臺(tái)積電將浸潤式光刻機(jī)技術(shù)交給了ASML才為ASML奠定了光刻機(jī)龍頭老大的地位。

作為浸潤式光刻機(jī)技術(shù)提出者的林本堅(jiān)也就被賦予了浸潤式光刻機(jī)之父的頭銜，如此情況下林本堅(jiān)當(dāng)然知道浸潤式光刻機(jī)的潛力，事實(shí)上當(dāng)年臺(tái)積電也是先用浸潤式DUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米工藝，用多重曝光的方式生產(chǎn)出7納米，只是這樣做確實(shí)會(huì)導(dǎo)致成本過高。

之后臺(tái)積電生產(chǎn)第二代7納米工藝的時(shí)候就用上了EUV光刻機(jī)，性能得到顯著提升、功耗也明顯下降，此后臺(tái)積電一直用著EUV光刻機(jī)開發(fā)5納米、3納米乃至2納米工藝。

值得注意的是三星已開始使用二代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米工藝，而臺(tái)積電則繼續(xù)用著第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米，這凸顯出臺(tái)積電在技術(shù)方面的優(yōu)秀，而臺(tái)積電繼續(xù)用一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米，在于二代EUV光刻機(jī)的成本實(shí)在太高了，二代EUV光刻機(jī)比一代貴了兩倍。

林本堅(jiān)的說法將鼓勵(lì)中國大陸的芯片行業(yè)進(jìn)一步挖掘現(xiàn)有的浸潤式DUV光刻機(jī)的潛力，據(jù)悉當(dāng)下中國大陸的芯片企業(yè)很可能利用浸潤式DUV光刻機(jī)生產(chǎn)出接近臺(tái)積電7納米工藝的芯片，而這也是在臺(tái)積電、三星、Intel之后第四家生產(chǎn)出7納米工藝的企業(yè)。

或許中國在7納米工藝上取得成功之后，已開始研發(fā)5納米工藝，中國有豐富的芯片技術(shù)人才，而如今對(duì)于中國來說研發(fā)先進(jìn)工藝非常重要，成本暫時(shí)被放在一邊，只要研發(fā)出5納米工藝那就對(duì)中國芯片行業(yè)具有極為重要的意義，可以為中國推進(jìn)先進(jìn)芯片技術(shù)發(fā)展提供支持，為研發(fā)自己的先進(jìn)光刻機(jī)、先進(jìn)芯片技術(shù)提供緩沖時(shí)間。

有業(yè)界人士就認(rèn)為中國在芯片制造的其他環(huán)境已自研出更先進(jìn)的設(shè)備，重要性僅次于光刻機(jī)的刻蝕機(jī)就已達(dá)到3納米技術(shù)水平，凸顯出中國在芯片技術(shù)方面有很大的潛力，而以更先進(jìn)的刻蝕機(jī)與現(xiàn)有的浸潤式DUV光刻機(jī)相配合研發(fā)5納米的難度也會(huì)小一些。

借助相當(dāng)于7納米的工藝，中國在手機(jī)芯片、AI芯片方面都已取得顯著的進(jìn)展，早前美國允許英偉達(dá)對(duì)中國繼續(xù)出售定制版的AI芯片H20，中國企業(yè)就放棄了采購，估計(jì)就是中國芯片已研發(fā)出可以媲美H20乃至性能更強(qiáng)的AI芯片，如果5納米再取得突破，中國芯片必將步上新臺(tái)階。