近期，有諸多大廠不約而同宣布，將在不久轉(zhuǎn)向英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)——EMIB。EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）是英特爾推出的2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)，它采用嵌入式硅橋結(jié)構(gòu)，將多個(gè)芯片（如CPU、GPU、HBM）水平連接在基板上，通過(guò)硅橋的RDL（重布線層）實(shí)現(xiàn)互連。

長(zhǎng)期以來(lái)，臺(tái)積電CoWoS技術(shù)憑借成熟的高帶寬互聯(lián)能力，壟斷了英偉達(dá)、AMD的高端AI芯片的封裝市場(chǎng)。但如今，英特爾EMIB技術(shù)正以差異化優(yōu)勢(shì)撕開(kāi)缺口，吸引一眾大廠巨頭紛紛布局。目前，谷歌已宣布計(jì)劃在2027年推出的TPU v9芯片中試用英特爾EMIB封裝技術(shù)，Meta也開(kāi)始評(píng)估該技術(shù)用于其MTIA產(chǎn)品。另外，蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科等據(jù)悉也紛紛開(kāi)始考慮轉(zhuǎn)向EMIB。

EMIB與CoWoS的技術(shù)區(qū)別，在于它們對(duì)“互聯(lián)”本質(zhì)的不同理解。CoWoS作為2.5D封裝的標(biāo)桿技術(shù)，核心在于采用覆蓋整個(gè)封裝區(qū)域的大尺寸硅中介層，通過(guò)高密度布線實(shí)現(xiàn)邏輯芯片與HBM內(nèi)存等組件的高速連接。這種“全面覆蓋”的架構(gòu)使其在帶寬性能上達(dá)到巔峰，最新的CoWoS-S5技術(shù)已能支持8顆HBM3內(nèi)存集成，為英偉達(dá)H100 GPU提供5.3TB/s內(nèi)存帶寬，成為英偉達(dá)等對(duì)性能要求極致的GPU廠商的不二之選。但其硅中介層的短板也同樣突出，其制造成本占據(jù)封裝BOM成本的50%-70%，部分場(chǎng)景下甚至出現(xiàn)“封裝比芯片本體更貴”的尷尬局面。

英特爾EMIB技術(shù)則走出了一條“精準(zhǔn)互聯(lián)”的差異化路徑。其核心創(chuàng)新是摒棄大面積硅中介層，僅在需要高速互聯(lián)的局部區(qū)域嵌入小型硅橋，其他非關(guān)鍵區(qū)域通過(guò)常規(guī)基板實(shí)現(xiàn)連接。這種“按需部署”的設(shè)計(jì)大幅降低了硅材料用量。

在封裝尺寸上，EMIB展現(xiàn)出更顯著的優(yōu)勢(shì)，據(jù)Trendforce報(bào)告，相較于CoWoS-S僅能達(dá)到3.3倍光罩尺寸、CoWoS-L目前發(fā)展至3.5倍，預(yù)計(jì)在2027年達(dá)9倍；EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸，并預(yù)計(jì)2026到2027年可支援到8倍至12倍，這讓EMIB能更好地滿足ASIC芯片集成更多功能模塊的需求。此外，局部硅橋設(shè)計(jì)減少了熱堆積，散熱效率比CoWoS提升20%，對(duì)于需要7×24小時(shí)運(yùn)行的AI推理芯片而言至關(guān)重要。

而這么多廠商集體將目光投向EMIB，最直接的推力來(lái)自CoWoS持續(xù)已久的產(chǎn)能危機(jī)。AI算力需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)使CoWoS產(chǎn)能長(zhǎng)期處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，英偉達(dá)一家就占據(jù)了超過(guò)60%的產(chǎn)能，AMD、博通等廠商又瓜分了剩余份額，導(dǎo)致谷歌、Meta等后發(fā)玩家面臨“排隊(duì)周期超過(guò)產(chǎn)品生命周期”的困境。

臺(tái)積電雖計(jì)劃積極擴(kuò)產(chǎn)，據(jù)摩根士丹利預(yù)測(cè)，為匹配3nm芯片產(chǎn)量增長(zhǎng)，臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能需在2026年底擴(kuò)張超過(guò)20%，月產(chǎn)能至少達(dá)到12萬(wàn)至13萬(wàn)片，較此前預(yù)期的10萬(wàn)片顯著提升。新增產(chǎn)能將部署在AP8廠區(qū)的P1和P2階段，具體投產(chǎn)時(shí)間取決于廠房建設(shè)進(jìn)度。但瑞銀預(yù)測(cè)2026年英偉達(dá)對(duì)CoWoS晶圓的需求量將達(dá)67.8萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)近40%，產(chǎn)能缺口仍難以填補(bǔ)。

在這種背景下，英特爾的EMIB或可成為打破產(chǎn)能壟斷的關(guān)鍵選項(xiàng)，其美國(guó)新墨西哥州、俄亥俄州的封裝基地不僅能提供充足產(chǎn)能，更滿足了美系客戶對(duì)本土供應(yīng)鏈安全的需求。

技術(shù)適配性與成本效益的平衡，進(jìn)一步加速了廠商的遷移步伐。隨著谷歌、亞馬遜等云端服務(wù)商加速自研ASIC芯片，市場(chǎng)對(duì)封裝技術(shù)的需求開(kāi)始從“極致性能”轉(zhuǎn)向“性價(jià)比與靈活性”。EMIB的定制化架構(gòu)恰好契合這一趨勢(shì)，其支持不同尺寸芯片的異構(gòu)集成，設(shè)計(jì)周期更短，能快速響應(yīng)ASIC芯片的迭代需求。以Marvell為例，其與英特爾合作開(kāi)發(fā)的下一代網(wǎng)絡(luò)處理器采用EMIB封裝后，不僅封裝成本降低35%，更滿足了嚴(yán)格的功耗預(yù)算。高通則瞄準(zhǔn)中端AI加速卡市場(chǎng)，借助EMIB的成本優(yōu)勢(shì)在性價(jià)比戰(zhàn)場(chǎng)建立競(jìng)爭(zhēng)力。

值得注意的是，EMIB的崛起并不意味著CoWoS的衰落，而是先進(jìn)封裝市場(chǎng)進(jìn)入“細(xì)分適配”的新階段。CoWoS在互聯(lián)密度和超高頻段信號(hào)完整性上的優(yōu)勢(shì)，仍是英偉達(dá)、AMD等高端GPU廠商的核心需求，短期內(nèi)難以被替代。而EMIB則在ASIC、中端AI芯片等領(lǐng)域或可打開(kāi)增量空間，形成“高端市場(chǎng)CoWoS主導(dǎo)，中高端性價(jià)比市場(chǎng)EMIB突圍”的格局。臺(tái)積電也在積極應(yīng)對(duì)競(jìng)爭(zhēng)，一方面加速CoWoS產(chǎn)能擴(kuò)張，另一方面開(kāi)發(fā)性價(jià)比更高的版本瞄準(zhǔn)中端市場(chǎng)。

從行業(yè)演進(jìn)視角看，這場(chǎng)技術(shù)博弈標(biāo)志著先進(jìn)封裝已從芯片“保護(hù)殼”升級(jí)為決定系統(tǒng)性能的核心競(jìng)爭(zhēng)力。英特爾憑借EMIB的差異化優(yōu)勢(shì)，或許能打破臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的壟斷，推動(dòng)市場(chǎng)從“單一依賴”走向“多元競(jìng)爭(zhēng)”。

隨著EMIB與英特爾Foveros 3D封裝技術(shù)的深度融合，以及臺(tái)積電SoIC技術(shù)的持續(xù)迭代，一場(chǎng)圍繞2.5D/3D封裝的技術(shù)競(jìng)賽將全面展開(kāi)。對(duì)于芯片設(shè)計(jì)廠商而言，如何根據(jù)自身產(chǎn)品定位選擇適配的封裝方案，將成為決定市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵；而對(duì)于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)，技術(shù)多元化帶來(lái)的供應(yīng)鏈韌性提升，將為全球算力革命提供更堅(jiān)實(shí)的支撐。