國產(chǎn)碳化硅異軍突起：打破壟斷格局，重塑全球產(chǎn)業(yè)版圖

曾幾何時，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料，長期被美國Wolfspeed、日本羅姆等海外企業(yè)壟斷，高端襯底依賴進口且價格居高不下。如今，國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)強勢崛起，從上游襯底到下游器件實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破，不僅打破國外技術(shù)壁壘，更在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等核心領(lǐng)域斬獲全球訂單，徹底改寫全球碳化硅市場格局。

政策加持為產(chǎn)業(yè)崛起筑牢根基。我國將碳化硅列為第三代半導(dǎo)體核心賽道，“十四五”期間聚焦產(chǎn)業(yè)鏈短板補齊，推動6-8英寸襯底擴產(chǎn)與車規(guī)級器件量產(chǎn)；進入“十五五”，政策重心轉(zhuǎn)向高端躍升，重點支持8-12英寸襯底研發(fā)、核心裝備國產(chǎn)化及多領(lǐng)域應(yīng)用拓展。國家大基金三期聯(lián)合地方產(chǎn)業(yè)基金設(shè)立超500億元專項資金，通過資本金補貼、貸款貼息等方式扶持企業(yè)發(fā)展，長三角、珠三角等產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)區(qū)加速形成“材料-裝備-器件-應(yīng)用”一體化集群，為國產(chǎn)碳化硅發(fā)展注入強勁動力。

全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)突破打破壟斷壁壘。上游襯底領(lǐng)域，國產(chǎn)企業(yè)實現(xiàn)跨越式發(fā)展，天岳先進8英寸導(dǎo)電型襯底良率達75%，與國際水平持平，三安光電8英寸襯底已小批量供貨華為、比亞迪，徹底改變此前高端襯底依賴進口的局面。中游外延環(huán)節(jié)，晶盛機電外延爐實現(xiàn)量產(chǎn)，價格較進口設(shè)備低30%，交貨周期縮短一半，天科合達外延層精度超越海外同類產(chǎn)品，國產(chǎn)化率已突破60%。下游器件端，斯達半導(dǎo)自研溝槽型碳化硅MOSFET芯片性能對標(biāo)英飛凌，價格低20%并通過主流車企認證，士蘭微模塊成功打入奔馳供應(yīng)鏈，訂單排期已至2027年底。

應(yīng)用市場爆發(fā)成為增長核心引擎。新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅憑借高效節(jié)能優(yōu)勢成為車企剛需，比亞迪漢EV全系換裝碳化硅器件，華為智界、理想MEGA等新車型均搭載碳化硅逆變器，2025年國內(nèi)新能源車碳化硅滲透率半年內(nèi)飆升至42%，用量較2023年翻四倍。AI數(shù)據(jù)中心成為新增長極，英偉達推動800V高壓直流供電架構(gòu)升級，碳化硅器件因優(yōu)異的熱性能和開關(guān)特性成為關(guān)鍵支撐，國內(nèi)企業(yè)已推出定制化產(chǎn)品搶占市場先機。此外，在軌道交通、智能電網(wǎng)等高壓領(lǐng)域，國產(chǎn)碳化硅器件也完成示范應(yīng)用，逐步替代傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品。

價格企穩(wěn)與產(chǎn)能優(yōu)化加速產(chǎn)業(yè)成熟。經(jīng)歷2024年產(chǎn)能擴張引發(fā)的價格波動后，2025年碳化硅襯底價格逐步觸底企穩(wěn)，車規(guī)級、定制化高端產(chǎn)品價格保持堅挺。國內(nèi)企業(yè)通過規(guī)?；a(chǎn)與技術(shù)迭代持續(xù)降本，6英寸襯底價格逼近成本線后降幅收窄，8英寸產(chǎn)品雖仍處量產(chǎn)初期，但長期成本攤薄優(yōu)勢顯著。行業(yè)非理性競爭減少，產(chǎn)能結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，下游客戶采購意愿持續(xù)提升，功率半導(dǎo)體與碳化硅市場呈現(xiàn)積極復(fù)蘇態(tài)勢。

從依賴進口到全球搶單，國產(chǎn)碳化硅用短短數(shù)年時間實現(xiàn)從跟跑、并跑到部分領(lǐng)跑的跨越。隨著技術(shù)持續(xù)升級、應(yīng)用場景不斷拓展，國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)正以強勁勢頭重塑全球市場格局，未來有望在新能源、AI等核心領(lǐng)域占據(jù)更多話語權(quán)，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控發(fā)展注入核心動力。