本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

中國約占全球半導(dǎo)體存儲器市場的30%。

全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體存儲器和存儲技術(shù)盛會——未來存儲大會（FMS），于2025年8月5日至7日（美國時間）在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行。大會涵蓋主題演講、專題講座、展覽等多元環(huán)節(jié)，且僅開放現(xiàn)場參會，未提供線上參與渠道。近日，F(xiàn)MS官方網(wǎng)站已正式發(fā)布主題演講視頻及全體會議報(bào)告的幻燈片，披露了多項(xiàng)行業(yè)核心數(shù)據(jù)與發(fā)展預(yù)判。

市場研究公司Yole Group高級分析師Josephine Lau以“存儲器市場概覽——2025年展望”為題發(fā)表講座，重點(diǎn)預(yù)測了半導(dǎo)體存儲器市場至2030年的發(fā)展趨勢，并深入剖析了HBM（高帶寬內(nèi)存）市場的未來前景。結(jié)合其披露的核心數(shù)據(jù)，2024年全球DRAM與NAND閃存市場的區(qū)域份額（按企業(yè)總部所在地劃分）呈現(xiàn)明確格局：美洲在兩大市場中均位居首位，中國則位列第二。

具體來看，Yole Group測算數(shù)據(jù)顯示，2024年中國將占據(jù)全球DRAM市場26%的份額（對應(yīng)市場價值250億美元），在NAND閃存市場的份額則達(dá)到33%（對應(yīng)市場價值220億美元），其中中國在NAND閃存市場的區(qū)域份額高于DRAM市場。從市場價值合計(jì)維度，2024年全球DRAM與NAND閃存市場總價值達(dá)1650億美元，中國占比470億美元，對應(yīng)全球占比28.5%。

需注意的是，DRAM與NAND閃存合計(jì)占據(jù)全球半導(dǎo)體存儲器市場97%的份額，據(jù)此可推算中國約占全球半導(dǎo)體存儲器市場的30%。

2024年DRAM市場和NAND閃存市場的區(qū)域份額（區(qū)域劃分基于總部所在地）。來源：2025年FMS會議論文集，Yole集團(tuán)

在供應(yīng)商競爭層面，Yole Group還分析了2024年主要DRAM及NAND閃存供應(yīng)商在中國市場的銷售額占比。其中，三星電子、SK海力士、美光科技三大DRAM巨頭中，三星在中國市場的銷售額占比最高，SK海力士緊隨其后，美光位居第三；即便如此，三星在中國市場的銷售額占比也僅約30%，整體處于較低水平。

中國DRAM和NAND閃存主要供應(yīng)商的市場價值和銷售額占比（2024年）來源：2025年FMS會議論文集，Yole集團(tuán)

從全球產(chǎn)能供需格局來看，以晶圓加工量為核心指標(biāo)的分析顯示，中國大陸與美國的市場需求均超過本地供應(yīng)；而包括日本、韓國、中國臺灣、新加坡在內(nèi)的其他亞洲國家及地區(qū)（不含中國）則呈現(xiàn)供應(yīng)過剩態(tài)勢，凸顯這些區(qū)域是全球DRAM與NAND閃存的核心供應(yīng)基地。按工廠所在地劃分的全球生產(chǎn)比例數(shù)據(jù)顯示，韓國以45%的占比位居第一，中國大陸以24%位列第二，后續(xù)依次為日本（16%）、中國臺灣（10%）、新加坡（4%）和美國（2%）。值得關(guān)注的是，盡管中國大陸的生產(chǎn)比例排名第二，但其產(chǎn)能仍無法滿足本土市場需求。

資本投資方面，2020-2024年全球半導(dǎo)體存儲器企業(yè)的投資趨勢明確：三星的資本投資額始終位居行業(yè)首位，SK海力士與美光的投資額約為三星的一半。細(xì)分領(lǐng)域中，專注于NAND閃存的鎧俠-閃迪聯(lián)盟在2030-2024年期間選擇控制資本投資規(guī)模，而全球NAND閃存龍頭企業(yè)則持續(xù)加大投資；另有一大核心看點(diǎn)是，中國DRAM龍頭企業(yè)在2024年的資本投資額將實(shí)現(xiàn)大幅增長。

半導(dǎo)體存儲器公司存儲器生產(chǎn)資本投資趨勢（2020-2024）。來源：2025年FMS會議論文集，Yole集團(tuán)

近日，野村證券預(yù)測，受人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)及傳統(tǒng)服務(wù)器投資回暖的驅(qū)動，全球存儲市場規(guī)模有望在2026年同比增長98%至4450億美元，并在2027年進(jìn)一步擴(kuò)大至5900億美元。

報(bào)告強(qiáng)調(diào)，這一輪超級周期將持續(xù)至2027年，主要動力來自強(qiáng)勁的需求增長與有限的供應(yīng)擴(kuò)張之間的供需錯配。野村預(yù)計(jì)，2026年DRAM和NAND的需求將分別增長30%，而HBM的需求增幅將高達(dá)63%。在供應(yīng)受限的背景下，產(chǎn)品價格將大幅上漲，預(yù)計(jì)DRAM和NAND的平均售價（ASP）將分別躍升46%和65%，推動存儲芯片制造商的營業(yè)利潤率重回歷史高位。

野村指出，除了AI服務(wù)器的強(qiáng)勁需求外，通用服務(wù)器市場的復(fù)蘇也是關(guān)鍵驅(qū)動力。隨著大型科技公司恢復(fù)傳統(tǒng)云服務(wù)器投資，預(yù)計(jì)2026年通用服務(wù)器相關(guān)內(nèi)存（如DDR4和DDR5）需求將增長約50%。同時，AI推理工作負(fù)載的增加推動了數(shù)據(jù)中心對高性能存儲的需求，企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）需求預(yù)計(jì)將在明年翻倍，這將導(dǎo)致NAND庫存迅速下降并推高價格。

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