源掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）技術(shù)通過 聯(lián)合、迭代地優(yōu)化照明光源形狀和掩模版圖形設(shè)計(jì) ，以同時(shí)改善多項(xiàng)關(guān)鍵的光刻工藝指標(biāo)。

1.核心優(yōu)化機(jī)制

SMO建立了一個(gè)系統(tǒng)的優(yōu)化框架，通過定義包含多個(gè)工藝指標(biāo)的成本函數(shù)，驅(qū)動(dòng)光源和掩模的協(xié)同迭代：

• 輸入與建模

  以典型掩模圖形（如密集線條、孤立線條等）和初始照明條件（如環(huán)形照明）為起點(diǎn)，建立包含光學(xué)像差、光刻膠效應(yīng)等因素的光刻成像模型。

• 協(xié)同迭代

  算法在每次迭代中，同時(shí)調(diào)整 照明光源 的強(qiáng)度分布（如圖3所示的光源演化）和 掩模版 的圖形（包括主圖形和輔助圖形SRAF），以最小化成本函數(shù)。

• 目標(biāo)

  最終目標(biāo)是找到能使晶圓上的成像圖形最接近目標(biāo)設(shè)計(jì)的最佳光源-掩模組合。

研究人員通過模擬（針對(duì)40nm最小節(jié)距的切割層）表明，SMO能顯著改善以下工藝指標(biāo)：

3. 對(duì)光學(xué)像差的補(bǔ)償能力

SMO技術(shù)還能在一定程度上補(bǔ)償光學(xué)系統(tǒng)的像差（如澤尼克像差Z8），以減輕其對(duì)成像質(zhì)量的負(fù)面影響：

• 模擬顯示，對(duì)于較小量級(jí)的像差（如Z8=0.25 nm RMS），SMO優(yōu)化能有效維持工藝窗口。

  
  

• • 對(duì)于大量級(jí)像差（≥0.5 nm RMS），SMO的補(bǔ)償能力會(huì)受限，難以滿足嚴(yán)苛的生產(chǎn)規(guī)格。這指出了該技術(shù)當(dāng)前的局限性和未來需要改進(jìn)的方向。

綜上所述，文檔表明， SMO技術(shù)通過其協(xié)同迭代的優(yōu)化框架，能夠系統(tǒng)性地、同時(shí)地優(yōu)化關(guān)鍵尺寸均勻性、曝光寬容度和掩模誤差因子這三大核心工藝指標(biāo)，并具備一定的光學(xué)像差補(bǔ)償能力，從而有效拓寬工藝窗口，提升先進(jìn)節(jié)點(diǎn)極紫外光刻的成像質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性