2025年12月15日，英特爾宣布該公司已成功安裝并完成驗收測試ASML Twinscan EXE:5200B，這是業(yè)界首款配備0.55數(shù)值孔徑（High-NA）投影光學系統(tǒng)、專為商用芯片生產(chǎn)設(shè)計的高數(shù)值孔徑EUV光刻機。

該設(shè)備將用于開發(fā)英特爾的14A制造工藝，這將是全球首個在其最關(guān)鍵層依賴High-NA EUV光刻機的工藝節(jié)點。這一里程碑標志著High-NA EUV光刻技術(shù)正從早期研發(fā)階段穩(wěn)步邁向高量產(chǎn)（HVM）時代。

ASML Twinscan EXE:5200B是基于英特爾2023年在俄勒岡研發(fā)工廠接收的第一代EXE:5000平臺開發(fā)的第二代系統(tǒng)。該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)8nm分辨率的芯片圖案化，顯著超越當前低數(shù)值孔徑（Low-NA）EUV工具在單次曝光（無多重圖案化）下的13nm分辨率，從而提供更強的縮放能力。

與ASML Twinscan EXE:5000不同，ASML Twinscan EXE:5200B在50 mJ/cm2的實用劑量下，每小時可處理約175片晶圓（英特爾計劃進一步優(yōu)化至超過200片/小時），并實現(xiàn)0.7nm的疊加（overlay）精度。

這一疊加性能是通過平臺控制、傳感器校準和環(huán)境隔離的進步實現(xiàn)的，對于特征尺寸持續(xù)縮小的工藝節(jié)點至關(guān)重要，即使微小的對齊誤差也可能導(dǎo)致良率大幅下降。

為提升整體性能，該光刻機集成更高功率的EUV光源，支持在更高劑量下更快曝光晶圓。這不僅提供更強的圖像對比度，還能優(yōu)化抗蝕劑工藝窗口，同時最小化線邊緣粗糙度（LER）和線寬粗糙度（LWR），這些參數(shù)在先進節(jié)點中往往是生產(chǎn)挑戰(zhàn)的核心。

ASML與英特爾合作不止于光學和光源，還重新設(shè)計了晶圓存儲系統(tǒng)，負責晶圓的存儲、排隊以及進出掃描儀的傳輸。這一組件對生產(chǎn)率和圖案精度有直接影響。新設(shè)計改善了批量流程和晶圓處理，確保晶圓以更可預(yù)測的狀態(tài)進入曝光階段。

同時，還強化了熱控制，在曝光前后維持晶圓和載體的溫度穩(wěn)定性，因為即使微小溫度波動也可能引起晶圓熱脹冷縮，導(dǎo)致疊加誤差、缺陷增加和良率損失。

此外，新架構(gòu)通過減少熱和機械變異，顯著降低長期運行中的性能漂移，從而減少頻繁重新校準的需求。這種穩(wěn)定性對于未來多遍或多曝光圖案化尤為關(guān)鍵，這在亞1nm時代將不可避免。

為充分發(fā)揮新光刻工具的潛力，英特爾正在并行推進掩模、蝕刻工藝、分辨率增強技術(shù)和計量學的優(yōu)化工作，這些要素必須協(xié)同發(fā)展，以最大化High-NA EUV圖案化的價值。

英特爾表示，High-NA工具將帶來更靈活的設(shè)計規(guī)則，減少圖案化步驟和掩模數(shù)量，縮短周期時間，并提升良率，得益于14A及更先進工藝在關(guān)鍵層無需多重圖案化。同時，隨著英特爾積累High-NA EUV的高量產(chǎn)經(jīng)驗，它將在亞1nm時代需要時無縫引入多重圖案化，而不顯著影響良率。

欲善其功，先利其器，這一最新重要進展不僅凸顯英特爾在先進制造領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢，也預(yù)示著該公司正朝著更精細、更高效工藝節(jié)點的加速轉(zhuǎn)型，縮小甚至追平與競爭對手三星和臺積電之間的差距，從而扭轉(zhuǎn)頹勢。小編將在第一時間分享更多相關(guān)最新動態(tài)和爆料，敬請關(guān)注。