光刻機(jī)，絕對(duì)是最牽動(dòng)網(wǎng)友們心的半導(dǎo)體設(shè)備了。

原因是國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，離全球頂尖水平差太遠(yuǎn)了，應(yīng)該有10年的差距，這個(gè)應(yīng)該是差不多的，甚至差距會(huì)更大。

更重要的是，美國(guó)卡住高端光刻機(jī)，比如EUV光刻機(jī)，高端的浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)，不準(zhǔn)ASML賣(mài)給中國(guó)，免得中國(guó)芯片制造產(chǎn)業(yè)追上來(lái)。

而沒(méi)有EUV，幾乎就無(wú)法進(jìn)入7nm以下，雖然很多人說(shuō)，使用浸潤(rùn)式DUV也可行，但我們也沒(méi)有高端的浸潤(rùn)式DUV，按照ASML的說(shuō)法，賣(mài)給我們的，是落后8代的，相當(dāng)于2013年的水平，你說(shuō)用這種浸潤(rùn)式DUV，能行么，就算行，良率會(huì)高么？

所以研發(fā)出自己的EUV，是大家共同的心愿。

所以最近有媒體報(bào)道稱，日本DNP(日本印刷株式會(huì)社)宣布研發(fā)出了線寬10nm的NIL納米壓印機(jī)時(shí)，網(wǎng)友們很郁悶。

因?yàn)楹芏嗳苏f(shuō)，線寬10nm的NIL納米壓印機(jī)，可以制造1.4nm的芯片，這個(gè)比ASML現(xiàn)在的EUV還先進(jìn)了。

所以很多人稱，我們要學(xué)習(xí)日本，為何它們能夠彎道超車(chē)，不采用EUV技術(shù)，制造出1.4nm的光刻機(jī)，我們?yōu)楹尾恍?，我們也可以去研究NIL技術(shù)。

但說(shuō)實(shí)話，我們真不能去學(xué)日本，搞NIL，當(dāng)然也不是不能搞，而不是將寶押在NIL技術(shù)上，還是得去搞EUV。

為何這么說(shuō)？

NIL的技術(shù)，相當(dāng)蓋章，先雕刻一個(gè)芯片線路圖的章子，然后再將這個(gè)章子蓋到制造芯片的硅晶圓上，圖案就留了下來(lái)，這就是NIL的原理。

這種方式效率非常低，一臺(tái)NIL連一臺(tái)EUV光刻機(jī)的百分之一的效率都沒(méi)有。幾乎就無(wú)法用于大規(guī)模的芯片制造。

其次，雕刻這個(gè)章子的大小精細(xì)程度，需要與芯片線路圖是1:1的，難度大，門(mén)檻高，復(fù)雜一點(diǎn)芯片，不可能雕出來(lái)，并且多層電路時(shí)，需要雕多個(gè)章子，面臨著對(duì)準(zhǔn)的大問(wèn)題，同時(shí)一個(gè)這樣的章子，蓋50次就得報(bào)廢，要重新雕，所以速度也慢。

所以說(shuō)，這種NIL技術(shù)，只能用于簡(jiǎn)單的，線路圖非常簡(jiǎn)潔的芯片，復(fù)雜的邏輯芯片就別想了，同時(shí)還不能大規(guī)模用來(lái)制造芯片，只能是小批量的，試驗(yàn)性的制造一些，這也是為何佳能早就有了NIL，但沒(méi)人買(mǎi)單的原因。

所以，我們還真不能學(xué)日本，可以去嘗試，但不是說(shuō)有了這個(gè)NIL，就放棄EUV了，EUV才是大規(guī)模制造復(fù)雜的邏輯芯片必不可少的，NIL是替代不了的。

事實(shí)上，目前國(guó)內(nèi)在NIL上也有突破的，之前璞璘科技就官宣了首臺(tái)PL-SR系列噴墨步進(jìn)式納米壓印設(shè)備，已經(jīng)交付給客戶了，這臺(tái)NIL設(shè)備，線寬＜10nm ，且是量產(chǎn)的設(shè)備了，這個(gè)線寬也小于10nm，為何沒(méi)人吹呢，反而日本的設(shè)備被國(guó)內(nèi)網(wǎng)友吹上了，唉，真是的。