在半導(dǎo)體領(lǐng)域，日本曾有過一段“高光時刻”。20世紀(jì)80年代，日本企業(yè)通過精密制造和材料技術(shù)，在芯片市場擊敗美國巨頭，一度占據(jù)全球主導(dǎo)地位。

但這段輝煌并未持續(xù)太久——1985年《廣場協(xié)議》的簽訂，讓日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受重創(chuàng)，市場份額被美國反超。此后，日本逐漸退出芯片制造和設(shè)計領(lǐng)域，轉(zhuǎn)而深耕材料、設(shè)備等上游產(chǎn)業(yè)。

不過，近年來日本似乎不甘心就此沉寂。從光刻機(jī)到新型基板技術(shù)，日本企業(yè)正在試圖通過一系列技術(shù)突破，重新爭奪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的話語權(quán)。

光刻機(jī)：從“追趕者”到“另辟蹊徑”

光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備，目前全球市場被荷蘭ASML壟斷。但日本的尼康、佳能并未完全退出競爭。尼康的DUV光刻機(jī)在全球排名第二，而佳能則另辟蹊徑，研發(fā)出了納米壓印（NIL）光刻機(jī)，也交付給了晶圓廠，用于小規(guī)模存儲芯片生產(chǎn)。

佳能之后，，日本大日本印刷株式會社（DNP）宣布，其研發(fā)的NIL模板可實現(xiàn)10納米線寬的加工，理論上支持1.4納米級芯片制造。這項技術(shù)采用物理壓印方式，通過單次操作即可在晶圓上形成復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)，且設(shè)備成本僅為EUV光刻機(jī)的1/10，能耗也大幅降低。

盡管這項技術(shù)尚未全面替代EUV光刻機(jī)，但它為日本提供了一條繞過美國技術(shù)壁壘的路徑。特別是在存儲芯片領(lǐng)域，NIL技術(shù)的成本優(yōu)勢明顯，可能成為日本企業(yè)爭奪市場的突破口。

玻璃基板：打破硅基壟斷的新嘗試

除了光刻機(jī)，日本在芯片基板技術(shù)上的探索也引人關(guān)注。Rapidus公司近期宣布，成功開發(fā)出玻璃基板面板級封裝（PLP）技術(shù)，并計劃2028年量產(chǎn)。這一技術(shù)的核心在于用玻璃替代傳統(tǒng)硅基板。

硅基板存在兩個顯著問題：一是晶圓為圓形，切割成方形芯片時會產(chǎn)生大量邊角料；二是尺寸受限，難以滿足更大芯片的需求。而玻璃基板可定制為任意尺寸，利用率更高，且熱膨脹系數(shù)接近硅，適合高密度封裝。此外，玻璃的透明特性還能支持光信號傳輸，為未來芯片互聯(lián)提供更多可能性。

目前，英特爾、三星、臺積電等企業(yè)也在研究玻璃基板技術(shù)，但Rapidus的進(jìn)度較快。如果其2028年實現(xiàn)量產(chǎn)，可能對現(xiàn)有芯片封裝格局形成沖擊。

日本的野心：從“配套商”到“主導(dǎo)者”

從DNP的納米壓印技術(shù)到Rapidus的玻璃基板，日本企業(yè)的布局并非偶然。過去30年，日本在半導(dǎo)體材料和設(shè)備領(lǐng)域積累了深厚基礎(chǔ)，但始終缺乏自主制造能力。如今，通過新技術(shù)的突破，日本試圖在先進(jìn)制程和封裝領(lǐng)域重新站穩(wěn)腳跟。

這一戰(zhàn)略背后，是日本對“技術(shù)自主”的渴望。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高度依賴美國的背景下，日本希望通過材料、設(shè)備和制造技術(shù)的結(jié)合，減少對外依賴，甚至爭奪部分高端市場。

美國的反應(yīng)：合作還是遏制？

然而，日本的野心并非沒有阻力。美國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的主導(dǎo)地位，使其對任何可能挑戰(zhàn)者保持警惕。此前，美國通過《芯片與科學(xué)法案》限制技術(shù)出口，同時扶持本土企業(yè)，意圖鞏固產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢。

對于日本的新技術(shù)，美國的態(tài)度可能更為復(fù)雜。一方面，日本在材料、設(shè)備領(lǐng)域是美國的重要合作伙伴；另一方面，若日本通過新技術(shù)實現(xiàn)自主制造，可能削弱美國在高端芯片領(lǐng)域的控制力。因此，日本能否真正突破，很大程度上取決于其技術(shù)能否經(jīng)得起市場檢驗，以及美國是否會施加限制。