導(dǎo)讀：日本落井下石，國產(chǎn)光刻膠，到底與日本還有多大差距？

光刻膠作為光刻環(huán)節(jié)的關(guān)鍵耗材，與光刻機(jī)、光掩膜并稱為“光刻三劍客”。光刻膠在顯影液中的動態(tài)表現(xiàn)，直接影響著電路繪制的精準(zhǔn)度與質(zhì)量。需知，光刻膠哪怕僅有1%的良率波動，都可能導(dǎo)致數(shù)千萬美元的損失。

長期以來，全球光刻膠產(chǎn)業(yè)一直處于日本企業(yè)的壟斷之下。像日本的東京應(yīng)化工業(yè)（TOK）、合成橡膠（JSR）、信越化學(xué)、富士膠片等企業(yè)，它們合計占據(jù)了全球75%以上的市場份額，在高端極紫外（EUV）光刻膠領(lǐng)域的占比更是高達(dá)96.7%。

不過，隨著中國光刻膠技術(shù)的不斷發(fā)展，日本企業(yè)的壟斷地位正面臨著嚴(yán)峻挑戰(zhàn)�！度毡窘�(jīng)濟(jì)新聞網(wǎng)》曾報道稱：“我們的市場份額正在被中國企業(yè)逐步蠶食。”那么國產(chǎn)光刻膠，到底與日本還有多大差距？

其實，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在學(xué)習(xí)日本的發(fā)展模式。

當(dāng)初，日本索尼從美國西方電氣公司購買了晶體管的專利授權(quán)，開發(fā)出的索尼TR-55型號的微型收音機(jī)在日本國內(nèi)外引起搶購，拉開了日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的序幕。

日立、三菱、富士通、東芝、NEC五大公司聯(lián)合日本科學(xué)家攻克電子束裝置和微縮曝光裝置、可變尺寸電子束裝置、掃描裝置和復(fù)印裝置、基礎(chǔ)材料等技術(shù)，在日本建立了半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈。后期日本兩度受到美方壓制，依然靠著供應(yīng)鏈優(yōu)勢繼續(xù)在芯片產(chǎn)業(yè)上擴(kuò)張。

當(dāng)下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在借鑒日本發(fā)展經(jīng)驗的基礎(chǔ)上，憑借官方資源與基金的支持，著力推動從上游原材料供應(yīng)至后端制造的全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，并重點扶持了中芯國際、長江存儲、中微半導(dǎo)體等行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。

相關(guān)產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)表明，2023年中國光刻膠市場規(guī)模約達(dá)109.2億元，至2024年已突破114億元。在股票市場中，A股相關(guān)企業(yè)股價屢創(chuàng)新高，中芯國際股票迎來漲停潮，寒武紀(jì)股價在三個月內(nèi)實現(xiàn)翻倍增長。這一發(fā)展態(tài)勢，似是印證了“師夷長技以制夷”的理念。

除光刻膠等產(chǎn)品領(lǐng)域外，中國大硅片產(chǎn)業(yè)亦逐步打破了日本企業(yè)的市場壟斷局面。當(dāng)前，市場上95%的多晶硅以及96%的光伏硅片產(chǎn)能，均由中國企業(yè)供應(yīng)。

今年，在美方對我國科技領(lǐng)域進(jìn)行多方圍追堵截之時，日方做出“落井下石”之舉，突然宣布對我國實施極紫外（EUV）光刻膠出口管制。實事求是而言，我國目前在光刻膠領(lǐng)域的優(yōu)勢主要集中在中端市場，高端EUV光刻膠對于我國來說，仍是頗具挑戰(zhàn)的難關(guān)。

面對日方這種不友好的舉動，我方充分發(fā)揮智慧，選擇“換道突圍”的策略。武漢太紫微的T150A光刻膠，憑借自創(chuàng)的“分子烘焙法”巧妙繞開了日本專利。該光刻膠在中芯國際28納米產(chǎn)線上表現(xiàn)卓越，芯片良率從89%一路提升至93.7%，以實實在在的數(shù)據(jù)證明了技術(shù)上的突破。

學(xué)界也傳來令人欣喜的消息：北京大學(xué)彭海琳教授團(tuán)隊運用冷凍電鏡技術(shù)，成功減少了光刻缺陷，為光刻膠材料研發(fā)開辟了新的途徑。清華大學(xué)團(tuán)隊的“量子點光刻膠”已申請國際專利。這表明我們不再僅僅是追趕者，也在積極開創(chuàng)屬于自己的技術(shù)路線。

歷史早已證明，技術(shù)封鎖或許能夠在一定程度上延緩我國技術(shù)發(fā)展的進(jìn)程，但無法磨滅中國突破重重桎梏的堅定決心。正如華為任總所言：“我們走在無人區(qū)，前面沒有燈塔，但我們可以成為自己的燈塔�！�