此次合作拓展了安森美功率產(chǎn)品組合，涵蓋面向AI數(shù)據(jù)中心、汽車、航空航天及其他關(guān)鍵市場的高性能650V橫向氮化鎵（GaN）解決方案。

安森美（onsemi）與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達(dá)成全新合作協(xié)議，進(jìn)一步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，雙方將共同研發(fā)并制造下一代氮化鎵（GaN）功率器件，合作將從650V器件開始。安森美該系列產(chǎn)品將結(jié)合格羅方德200毫米增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eMode GaN-on-silicon）工藝，以及自身行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動(dòng)器、控制器和強(qiáng)化散熱封裝技術(shù)，為AI數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)、航空航天等應(yīng)用場景，提供更小、更高能效的優(yōu)化系統(tǒng)解決方案。

新聞要點(diǎn)：

• 安森美與格羅方德展開合作，針對(duì)關(guān)鍵市場研發(fā)先進(jìn)的200毫米增強(qiáng)型橫向硅基GaN工藝技術(shù)，合作將從650V器件開始。

• 安森美的GaN產(chǎn)品組合非常適用于高功率密度系統(tǒng)——這類場景下功率需求持續(xù)攀升，但物理尺寸卻受嚴(yán)格限制，例如AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、可再生能源以及航空航天等應(yīng)用。

• 產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋多個(gè)高增長市場，包括電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機(jī)、微型光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。

安森美宣布，已與格羅方德（GlobalFoundries，納斯達(dá)克代碼：GFS，簡稱GF）簽署合作協(xié)議。雙方將基于格羅方德最先進(jìn)的200毫米增強(qiáng)型硅基GaN工藝，共同研發(fā)并制造先進(jìn)GaN功率產(chǎn)品，合作將從650V器件開始。此次合作將加速安森美高性能GaN器件及集成功率級(jí)的技術(shù)路線圖，通過擴(kuò)充高壓產(chǎn)品組合，滿足AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)系統(tǒng)以及航空航天等領(lǐng)域日益增長的功率需求。

“此次合作將安森美的系統(tǒng)及產(chǎn)品專業(yè)積淀，與格羅方德先進(jìn)的GaN工藝相結(jié)合，為高增長市場打造全新650V功率器件。這些GaN產(chǎn)品搭配我們的硅基驅(qū)動(dòng)器和控制器，將助力客戶實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新，為AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、航天應(yīng)用等場景構(gòu)建更小、更高能效的功率系統(tǒng)。我們計(jì)劃于2026年上半年開始向客戶提供樣品，并快速擴(kuò)大至量產(chǎn)規(guī)模?！?strong>安森美企業(yè)戰(zhàn)略高級(jí)副總裁Dinesh Ramanathan表示。

“我們將200毫米硅基GaN平臺(tái)與安森美深厚的系統(tǒng)和產(chǎn)品專業(yè)積淀相結(jié)合，不僅加速了高效解決方案的落地，更為數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)、航空航天等關(guān)鍵市場構(gòu)建了更具韌性的供應(yīng)鏈。以安森美為關(guān)鍵合作伙伴，我們將持續(xù)推動(dòng)GaN半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)，滿足人工智能、電氣化和可持續(xù)能源領(lǐng)域不斷演變的需求?！?strong>格羅方德首席商務(wù)官M(fèi)ike Hogan說。

安森美將其行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動(dòng)器、控制器和強(qiáng)化散熱封裝技術(shù)，與格羅方德的650V GaN技術(shù)平臺(tái)相結(jié)合，打造出更高功率密度和能效的GaN器件。產(chǎn)品應(yīng)用場景具體包括：AI數(shù)據(jù)中心電源及其DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)及其DC-DC轉(zhuǎn)換器、微型光伏逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)，以及工業(yè)與航空航天領(lǐng)域的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

此次合作進(jìn)一步擴(kuò)充了安森美領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，如今已涵蓋了全譜系GaN技術(shù)——從低壓、中壓、高壓橫向GaN，到超高壓垂直GaN。這一全面布局讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠構(gòu)建下一代電源架構(gòu)，在更小的尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出。GaN技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)包括：

• 更高開關(guān)頻率——通過更高的開關(guān)頻率運(yùn)行，GaN技術(shù)能幫助設(shè)計(jì)人員減少元器件數(shù)量、縮小系統(tǒng)尺寸并降低成本，同時(shí)提升能效和散熱性能。

• 雙向?qū)芰Α?/strong>GaN的雙向?qū)ㄌ匦灾С秩峦負(fù)浣Y(jié)構(gòu)，可替代多達(dá)四個(gè)傳統(tǒng)單向晶體管，從而降低成本并簡化設(shè)計(jì)。

• 集成化功能——在單個(gè)封裝內(nèi)集成GaN FET與驅(qū)動(dòng)器、控制器、隔離和保護(hù)功能，可縮短設(shè)計(jì)周期并降低電磁干擾。強(qiáng)化散熱封裝和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器，即使在高開關(guān)速度下也能保障性能和可靠性。