“中國芯片制造技術(shù)已經(jīng)走到了盡頭?！边@是近期多家國際半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)給出的共同判斷。

在TechInsights與SemiAnalysis的分析報告中，外媒分析師幾乎用了一樣的句式來總結(jié)中國最新一代手機(jī)芯片工藝——成功超越7nm，但無法完成真正的5nm突破。

話說得很重，甚至有點(diǎn)蓋棺定論的味道。

“中國的N+3工藝，本質(zhì)上仍是基于7nm的延伸，并不等同于臺積電或三星的5nm節(jié)點(diǎn)。”在外媒看來，這不是一次“跨代”，而只是一次“擠牙膏式升級”。

但如果你耐心看完他們整篇分析，就會發(fā)現(xiàn)一個非常微妙、也非常打臉的事實：他們一邊說中國做不到5nm，一邊卻又不得不承認(rèn)：中國已經(jīng)把7nm這條路，走到了一個原本沒人相信能走到的位置。

外媒的核心論點(diǎn)可以濃縮為三句話：1.中國的N+3工藝不是5nm；2.中國沒有EUV光刻機(jī)；3.所以中國的先進(jìn)制造有上限。

邏輯聽起來很完美。但問題是在沒有EUV的前提下，中國居然還能把7nm繼續(xù)往下“壓”。這是外媒真正感到不安，卻又不好意思明說的地方。

按照傳統(tǒng)半導(dǎo)體路線圖：7nm → 5nm → 3nm，每一次跨代，幾乎都默認(rèn)要引入EUV光刻機(jī)，沒有EUV，7nm基本被視為“技術(shù)終點(diǎn)”。

而中國現(xiàn)在干了一件什么事？用DUV，把7nm做成了“不是7nm的7nm”。

在外媒的定義里，中國當(dāng)前的先進(jìn)制程統(tǒng)一被歸為一個體系——N節(jié)點(diǎn)工藝。N ≈ FinFET 結(jié)構(gòu)下的 14nm—7nm 區(qū)間，N+1、N+2、N+3，本質(zhì)都是在這個區(qū)間內(nèi)做“極限擴(kuò)展”。

SemiAnalysis在報告中直接點(diǎn)破：“N+3更接近一種等效6nm工藝，而非真正的5nm。”

他們認(rèn)為：晶體管結(jié)構(gòu)沒變，關(guān)鍵間距參數(shù)變化有限，并未實現(xiàn)制程范式的代際切換。話說得很冷靜，但問題也恰恰出在這里，你很難否認(rèn)，這是一種在“不可能條件下”的工程奇跡。

外媒真正焦慮的，不是中國有沒有5nm。而是——中國在沒有EUV的情況下，摸索出了一整套“替代性先進(jìn)制造方法論”。這套方法論的核心只有四個字：設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化（DTCO）。在外媒看來，這是中國繞過EUV限制、繼續(xù)推進(jìn)制程的“秘密武器”。他們在報告中不得不承認(rèn)：中國在計算光刻，版圖缺陷預(yù)測，多重曝光精度控制，EDA + AI 聯(lián)合優(yōu)化。

這些領(lǐng)域的積累，已經(jīng)形成了一個完整體系。一句話總結(jié)就是：當(dāng)你卡我設(shè)備時，我開始反向壓榨整個工藝系統(tǒng)。

外媒反復(fù)強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)：基于浸潤式DUV的多重曝光方案，已經(jīng)接近物理極限。他們的理由也很充分：多重曝光 = 成本指數(shù)級上升，工藝步驟成倍增加，對對準(zhǔn)精度、穩(wěn)定性要求極高，良品率壓力巨大。

所以他們給出的結(jié)論是：中國的制造能力被暫時鎖定在等效7nm區(qū)間。聽起來像否定。但如果你換個角度看，其實是在被迫承認(rèn)：在被全面封鎖EUV的情況下，中國沒有倒退，反而逼近了理論極限。

當(dāng)年：沒人相信DUV能做7nm，沒人相信多重曝光能穩(wěn)定量產(chǎn)，沒人相信EDA和工藝能被如此深度耦合。而今天，這些“沒人相信”的事，已經(jīng)全部變成現(xiàn)實。中國已經(jīng)證明，在被卡住的情況下，也能持續(xù)向前。而這，才是他們真正害怕的地方。

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