《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》12月30日訊（記者 陳俊清 郭輝） 2025年，全球集成電路行業(yè)在AI算力爆發(fā)與產(chǎn)業(yè)重構(gòu)雙重作用下，可謂迎來規(guī)模與質(zhì)量雙升的發(fā)展元年。行業(yè)增長邏輯從單一需求拉動(dòng)轉(zhuǎn)向多領(lǐng)域協(xié)同賦能，國產(chǎn)集成電路企業(yè)憑借技術(shù)突破、產(chǎn)能擴(kuò)張與政策加持，在關(guān)鍵賽道實(shí)現(xiàn)從“替代”到“引領(lǐng)”的跨越，為全球產(chǎn)業(yè)格局注入新變量。

WSTS近期發(fā)布了2025年秋季展望，將對(duì)2025全球半導(dǎo)體市場規(guī)模的估計(jì)上調(diào)約450億美元至7722.43億美元，同比增幅擴(kuò)大至22.5%。WSTS進(jìn)一步預(yù)測，2026年的半導(dǎo)體市場規(guī)模將來到9754.60億美元，實(shí)現(xiàn)26.3%的同比增長，逼近1萬億美元大關(guān)。

另據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，中國整體高階AI芯片市場規(guī)模預(yù)計(jì)在2026年增長超過60%，其中本土AI芯片仍會(huì)朝向自主化發(fā)展，具備發(fā)展?jié)摿Φ闹饕酒O(shè)計(jì)廠商有機(jī)會(huì)擴(kuò)大市場占比至50%左右。

多名業(yè)內(nèi)人士向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示，本輪半導(dǎo)體市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張驅(qū)動(dòng)因素包括AI和數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)力需求；地緣政治、國際貿(mào)易的變化，促使中國大幅擴(kuò)充獨(dú)立的核心供應(yīng)體系。

▍存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)性漲價(jià)延續(xù) 國產(chǎn)算力競速IPO

有業(yè)內(nèi)咨詢師向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示，半導(dǎo)體市場規(guī)模擴(kuò)張的驅(qū)動(dòng)因素，本質(zhì)上是全球數(shù)字化進(jìn)程從“增量普及”轉(zhuǎn)向“深度賦能”所帶來的結(jié)構(gòu)性躍遷。

其認(rèn)為，首先，核心驅(qū)動(dòng)力已從過去的消費(fèi)電子周期性輪動(dòng)，升級(jí)為AI與云邊智能所觸發(fā)的全域算力需求增加，這要求從邏輯芯片到存儲(chǔ)、互聯(lián)的全產(chǎn)業(yè)鏈同步升級(jí)；其次，能源革命、汽車電子化、工業(yè)智能化正將半導(dǎo)體植入社會(huì)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行的底層脈絡(luò)，使其需求具備了穿越周期的韌性；最后，全球供應(yīng)鏈的區(qū)域化重構(gòu)催生了重復(fù)建設(shè)和戰(zhàn)略囤貨，在短期內(nèi)放大了市場規(guī)模�！斑@些力量共同推動(dòng)半導(dǎo)體從‘周期性產(chǎn)業(yè)’邁向‘基礎(chǔ)性戰(zhàn)略物資’的新常態(tài)”。

WSTS在近期發(fā)布的2025年秋季展望表示，此次上調(diào)半導(dǎo)體市場規(guī)模的原因在于AI與數(shù)據(jù)中心持續(xù)需求帶動(dòng)邏輯芯片與存儲(chǔ)器市場火熱。其中，今年存儲(chǔ)器銷售則有望增長28%，漲幅擴(kuò)大11%；2025年邏輯芯片預(yù)計(jì)增長37%，較今年夏季預(yù)測上修8%；而到2026年這兩個(gè)類目的同比增幅則將雙雙超過三成。

目前，存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)潮仍在延續(xù)，行業(yè)看漲情緒蔓延。今年12月25日，TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的存儲(chǔ)現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告顯示，DDR4、DDR5與模組價(jià)格仍連日上揚(yáng)。金士頓上周大幅提高了DRAM（內(nèi)存）價(jià)格，整體現(xiàn)貨價(jià)格未見疲軟跡象。與此同時(shí)，NAND Flash現(xiàn)貨市場在合約價(jià)格上漲的預(yù)期下呈現(xiàn)看漲情緒。

業(yè)內(nèi)人士表示，當(dāng)前存儲(chǔ)漲價(jià)是結(jié)構(gòu)性而非周期性。AI對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）和高速存儲(chǔ)的渴求，已顛覆傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)能分配邏輯：從技術(shù)迭代角度來看，HBM3E/4、CXL協(xié)議將存儲(chǔ)從“數(shù)據(jù)倉庫”升級(jí)為“算力協(xié)處理器”，存儲(chǔ)芯片附加值持續(xù)上移；從價(jià)格博弈方面來看，短期因AI服務(wù)器需求剛性，價(jià)格仍將高位震蕩。

上述人士進(jìn)一步表示，2025年后，隨著三星、美光HBM產(chǎn)能釋放及QLC/PLC堆疊技術(shù)普及，消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)或面臨產(chǎn)能過剩風(fēng)險(xiǎn)。未來存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將裂變?yōu)椤癆I級(jí)”與“消費(fèi)級(jí)”雙軌市場，價(jià)差拉大。

再看邏輯芯片，隨著沐曦股份和摩爾線程登陸科創(chuàng)板，國產(chǎn)GPU賽道熱度只增不減，壁仞科技、摩爾線程、沐曦股份、燧原科技等GPU企業(yè)也紛紛推進(jìn)IPO事宜。與此同時(shí)，國產(chǎn)GPU市場出現(xiàn)了多種技術(shù)路線，市場競爭進(jìn)一步加劇。

關(guān)于國產(chǎn)算力目前競爭點(diǎn)，有業(yè)內(nèi)人士向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示，短期靠“國產(chǎn)替代”政策紅利搶占信創(chuàng)市場，中期需在軟件棧（CUDA替代）、異構(gòu)計(jì)算整合（CPU/GPU/IPU融合）、能效比上突破。

對(duì)于未來發(fā)展方向，上述人士表示，應(yīng)繞過CUDA霸權(quán)，通過開源框架（如OpenML）、專用AI編譯器（如沐曦MUSA）構(gòu)建軟硬一體方案；與此同時(shí)，在自動(dòng)駕駛、科學(xué)計(jì)算等新興領(lǐng)域優(yōu)先建立標(biāo)準(zhǔn)，而非硬剛英偉達(dá)的通用GPU霸權(quán)；此外，利用國產(chǎn)成熟制程，通過先進(jìn)封裝堆疊提升算力密度，規(guī)避高端光刻機(jī)封鎖。

在芯片制造端，中國市場引領(lǐng)全球行業(yè)駛?cè)胄碌某砷L周期。根據(jù)SEMI預(yù)計(jì)，2025年和2026年，全球芯片制造企業(yè)12英寸產(chǎn)能建設(shè)的設(shè)備支出將分別增長24%和11%，而中國12英寸芯片制造企業(yè)的量產(chǎn)工廠數(shù)量，預(yù)計(jì)將從2024年底的62座，快速增長至2026年底的超過70座。預(yù)計(jì)到2026年，中國內(nèi)地12英寸晶圓廠的量產(chǎn)產(chǎn)能將達(dá)到321萬片/月。

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者了解到，近期中芯國際、世界先進(jìn)已率先提價(jià)，并向下游客戶發(fā)布漲價(jià)通知。此次漲價(jià)主要集中于8英寸BCD工藝平臺(tái)，漲價(jià)幅度在10%左右。BCD工藝主要是集成功率、模擬和數(shù)字信號(hào)處理電路。而BCD的漲價(jià)，或?qū)q高壓CMOS等工藝的價(jià)格。2025年中芯國際、華虹公司等中國大陸晶圓廠產(chǎn)能利用率保持較高水位，伴隨下游較高景氣度，業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)擁有BCD工藝的其它晶圓廠或?qū)⒏M(jìn)相關(guān)產(chǎn)品線的漲價(jià)計(jì)劃。

▍國產(chǎn)力量加速全鏈突圍 AI范式轉(zhuǎn)變與供應(yīng)鏈重構(gòu)

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重構(gòu)的關(guān)鍵期，國產(chǎn)力量正以 “全鏈攻堅(jiān)、多點(diǎn)突破” 之勢加速突破，從核心技術(shù)到市場布局全面打破海外技術(shù)圍堵。

從地區(qū)來看，2025年國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展格局愈發(fā)清晰，形成 “長三角全鏈領(lǐng)跑、珠三角設(shè)計(jì)主導(dǎo)、京津冀研發(fā)策源、中西部特色突破”的梯隊(duì)格局，各區(qū)域依托資源稟賦實(shí)現(xiàn)差異化競爭。

“半導(dǎo)體市場未來三年將見證產(chǎn)能泡沫與技術(shù)革命并存，企業(yè)勝負(fù)不取決于規(guī)模，而取決于能否在‘技術(shù)路線、生態(tài)綁定、地緣站位’中押中下一個(gè)范式裂口�！毙交鹚侥纪顿Y基金管理有限公司總經(jīng)理翟丹向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者分析表示。

對(duì)于2026年半導(dǎo)體市場重點(diǎn)關(guān)注的方向，翟丹認(rèn)為，其中包括AI芯片戰(zhàn)局分化，英偉達(dá)霸主地位是否受開源架構(gòu)（如：RISC-V+AI）、ARM PC生態(tài)、存算一體芯片沖擊；汽車、工業(yè)半導(dǎo)體需求或?qū)⑿纬尚缕胶猓话雽?dǎo)體設(shè)備材料自主競賽，ASML High-NA EUV量產(chǎn)進(jìn)度、第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）成本曲線下移等。

另有頭部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金VP向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者分析表示，2026年的半導(dǎo)體市場，圍繞AI、數(shù)據(jù)中心、具身智能等賽道，值得關(guān)注先進(jìn)制程制造、大芯片、設(shè)備、材料、零部件，光計(jì)算與光通信技術(shù)、先進(jìn)散熱與高功率電源。