當(dāng)全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)邁入供需失衡的超級(jí)上漲周期,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)領(lǐng)域迎來(lái)關(guān)鍵一躍。近日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)母公司長(zhǎng)鑫科技IPO申請(qǐng)獲科創(chuàng)板受理,計(jì)劃募資295億元沖刺上市,這一融資規(guī)模位列科創(chuàng)板歷史第二,僅次于中芯國(guó)際的532.3億元募資額。在AI算力爆發(fā)與國(guó)產(chǎn)替代加速的雙重風(fēng)口下,這家被視作“國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)壓艙石”的企業(yè),其上市之路不僅承載著自身產(chǎn)能與技術(shù)升級(jí)的訴求,更關(guān)乎中國(guó)在全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)格局中的話語(yǔ)權(quán)爭(zhēng)奪。

此次IPO的背后,是全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的結(jié)構(gòu)性變革機(jī)遇。2025年第四季度,DRAM、NANDFlash、HBM等存儲(chǔ)品類價(jià)格集體飆升,其中DRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅達(dá)13-18%,HBM部分產(chǎn)品漲幅更是超過(guò)30%。核心邏輯在于供需兩端的深度失衡:需求側(cè),AI服務(wù)器單臺(tái)DRAM需求量是傳統(tǒng)服務(wù)器的5-10倍,2025年AI服務(wù)器出貨占比已升至15%以上,疊加新能源車、AIPC等終端產(chǎn)品的擴(kuò)張,帶動(dòng)存儲(chǔ)需求爆發(fā)式增長(zhǎng);供給側(cè),三星、SK海力士、美光三大巨頭紛紛將產(chǎn)能向高毛利HBM傾斜,傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能主動(dòng)收縮,全球DRAM庫(kù)存降至3.3周的歷史低位。在此背景下,長(zhǎng)鑫科技的上市募資,恰是要抓住這一周期窗口,填補(bǔ)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的產(chǎn)能與技術(shù)缺口。

295億元的募資規(guī)模雖看似龐大,卻與存儲(chǔ)行業(yè)資本密集型的屬性高度匹配。長(zhǎng)鑫科技在招股書中明確,三星、美光等國(guó)際巨頭每年資本支出均達(dá)百億美元量級(jí),僅美光就已將2026年資本支出從180億美元上調(diào)至200億美元,其CEO甚至直言制約擴(kuò)產(chǎn)的核心是潔凈室準(zhǔn)備周期而非資金。對(duì)比來(lái)看,長(zhǎng)鑫科技的募資將重點(diǎn)投向三大領(lǐng)域:130億元用于DRAM技術(shù)升級(jí),占比超44%,聚焦刻蝕、薄膜沉積等關(guān)鍵工藝改造;75億元用于存儲(chǔ)器晶圓量產(chǎn)線升級(jí),提升產(chǎn)能效率;90億元投入前瞻技術(shù)研發(fā),布局下一代存儲(chǔ)架構(gòu)與新型材料。這種資金投放結(jié)構(gòu),精準(zhǔn)契合了當(dāng)前國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)從“追趕到并跑”的核心需求。

技術(shù)層面的“跳代研發(fā)”策略,是長(zhǎng)鑫科技突圍的關(guān)鍵籌碼。招股書顯示,公司已完成第一代至第四代工藝技術(shù)平臺(tái)的量產(chǎn),而當(dāng)前全球主流存儲(chǔ)大廠集中在第五代10nm工藝(1b),并同步推進(jìn)第六代工藝(1y)。更值得關(guān)注的是,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DDR5內(nèi)存速率已突破8000Mbps,19nm工藝良率超95%,HBM3樣品也即將交付。這種技術(shù)追趕速度,讓公司在全球市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟——目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM出貨量位列中國(guó)第一、全球第四,前三分別為SK海力士、三星、美光。Counterpoint預(yù)測(cè),2025年長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM出貨量將同比增長(zhǎng)50%,市場(chǎng)份額有望從一季度的6%提升至四季度的8%。

業(yè)績(jī)層面的扭虧為盈,更讓市場(chǎng)看到了長(zhǎng)鑫科技的商業(yè)化潛力。財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示,公司營(yíng)收從2022年的82.87億元、2023年的90.87億元,躍升至2024年的241.78億元,2025年1-9月更是突破320.84億元,同比增長(zhǎng)近100%。更關(guān)鍵的是,公司明確2025年將實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)20-35億元,扣非歸母凈利潤(rùn)28-30億元,徹底摘掉虧損標(biāo)簽。這一轉(zhuǎn)變背后,既是2025年DRAM市場(chǎng)單價(jià)企穩(wěn)回升的周期紅利,也是公司產(chǎn)能爬坡與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)的成果——DDR5及LPDDR5等先進(jìn)制程產(chǎn)品貢獻(xiàn)了主要增量,服務(wù)器級(jí)產(chǎn)品營(yíng)收占比已接近10%,有效提升了綜合毛利率。

作為科創(chuàng)板預(yù)先審閱機(jī)制的率先試點(diǎn)企業(yè),長(zhǎng)鑫科技在IPO受理同期披露的兩輪問(wèn)詢函回復(fù),直面了市場(chǎng)最核心的五大關(guān)切。針對(duì)AI時(shí)代的HBM布局疑問(wèn),公司明確現(xiàn)階段通過(guò)加速高性能DDR5量產(chǎn)承接AI紅利,服務(wù)器產(chǎn)品增長(zhǎng)已驗(yàn)證路徑可行性;對(duì)于盈利預(yù)測(cè)的支撐邏輯,公司從價(jià)格、產(chǎn)能、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)三大維度給出明確依據(jù),強(qiáng)調(diào)若2026年價(jià)格不出現(xiàn)極端下滑,盈利具有高度確定性;關(guān)于“無(wú)實(shí)際控制人”的認(rèn)定,公司解釋稱第一大股東清輝集電持股僅21.67%,且內(nèi)部決策需多名合伙人一致通過(guò),治理結(jié)構(gòu)具備有效制衡;在研發(fā)支出資本化合規(guī)性上,公司明確了“完成初次流片驗(yàn)證后資本化”的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn),符合IDM企業(yè)行業(yè)特點(diǎn);對(duì)于募資規(guī)模的合理性,公司則以行業(yè)資本密集屬性為依托,說(shuō)明295億元僅覆蓋核心需求,剩余缺口將通過(guò)自有資金及銀行借款解決。

從產(chǎn)業(yè)意義來(lái)看,長(zhǎng)鑫科技的上市不僅是企業(yè)自身的里程碑,更是國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)替代進(jìn)程的重要節(jié)點(diǎn)。當(dāng)前工信部《存儲(chǔ)芯片自主可控行動(dòng)計(jì)劃》已明確2026年國(guó)產(chǎn)市占率15%的目標(biāo),國(guó)家大基金二期、阿里巴巴、小米等機(jī)構(gòu)的持股,更凸顯了產(chǎn)業(yè)資本對(duì)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的集體賦能。在全球存儲(chǔ)產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性短缺、國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下,長(zhǎng)鑫科技通過(guò)IPO募資強(qiáng)化技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì),有望進(jìn)一步縮小與海外巨頭的差距。

不過(guò)需要清醒認(rèn)識(shí)到,全球存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)仍日趨激烈,三大巨頭在HBM領(lǐng)域的份額仍高達(dá)90%以上,長(zhǎng)鑫科技要實(shí)現(xiàn)真正的“并跑”仍需持續(xù)攻堅(jiān)。但不可否認(rèn)的是,在超級(jí)周期與國(guó)產(chǎn)替代的雙重加持下,長(zhǎng)鑫科技的科創(chuàng)板沖刺,已為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。未來(lái),隨著募投項(xiàng)目的落地與技術(shù)的持續(xù)迭代,這家國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的“破局者”,有望在全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)格局中占據(jù)更重要的位置,為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控再添關(guān)鍵一環(huán)。