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1月9日消息，三星披露業(yè)績數(shù)據(jù)，公司2025年第四季度營業(yè)利潤同比大增208.2%，達到創(chuàng)紀錄的20萬億韓元（約合138億美元）。銷售額同比增加22.7%，也創(chuàng)下歷史新高。

三星電子業(yè)績高增主要原因是供應緊張和AI驅(qū)動的需求激增推高了傳統(tǒng)存儲芯片的價格。三星是全球三大存儲芯片供應商之一。

數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度三星電子營業(yè)利潤為20萬億韓元（約合人民幣964億元），同比劇增208.2%，環(huán)比增加64.3%；銷售額為93萬億韓元，同比增加22.7%，環(huán)比增加8.1%。兩項業(yè)績均高出市場預期。據(jù)統(tǒng)計，市場曾預測三星電子2025年四季度營業(yè)利潤將同比增加202.6%，為19.6457萬億韓元；銷售額將同比增加22.1%，為92.5445萬億韓元。

回溯歷史數(shù)據(jù)，三星電子此前的單季營業(yè)利潤峰值為2018年第三季度創(chuàng)下的17.6萬億韓元，此次20萬億韓元的業(yè)績不僅打破了這一保持多年的紀錄，更較上年同期的6.49萬億韓元實現(xiàn)翻倍以上增長。

三星計劃于1月29日公布2025年第四季度正式財報，包括各業(yè)務部門的具體利潤。目前，存儲芯片價格依然在繼續(xù)上漲中，且漲幅驚人。三星依然是受益者，會推高2026年年度的業(yè)績。

AI服務器對存儲芯片的需求量達到普通服務器的8至10倍。這導致高端存儲芯片供應陷入嚴重短缺，引發(fā)價格“失控式”上漲。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，自2025年9月以來，DDR5內(nèi)存顆?，F(xiàn)貨價格暴漲307%，DDR4漲幅也超158%，第四季度全球一般型DRAM價格季增8%—13%，若計入HBM則漲幅擴大至13%—18%；NAND Flash各類產(chǎn)品合約價全面上漲，平均漲幅達5%—10%。

作為全球最大的內(nèi)存芯片制造商，三星電子通過產(chǎn)能結(jié)構(gòu)優(yōu)化抓住了這一輪漲價紅利。公司大幅縮減消費級通用存儲芯片的產(chǎn)能，將資源集中投向HBM、DDR5等高端高毛利產(chǎn)品的生產(chǎn)，尤其是在HBM領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破。

三星電子此前在HBM領(lǐng)域一度落后于競爭對手SK海力士和美光科技，而目前這一差距正在縮小。受此影響，三星股價在2025年上漲了125%，創(chuàng)下26年來最大年度漲幅。

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