美股芯片股，集體大漲！

當?shù)貢r間周五，美股三大指數(shù)全線上漲，標普500指數(shù)收盤創(chuàng)新高。存儲芯片、半導(dǎo)體板塊集體大漲。其中，閃迪大漲超12%，股價再創(chuàng)歷史新高。自去年4月下旬以來，閃迪股價累計漲幅超過1100%。

其他個股方面，周五當天，英特爾漲超10%，拉姆研究漲近9%，應(yīng)用材料、西部數(shù)據(jù)漲近7%，阿斯麥漲超6%，美光科技漲超5%，博通漲近4%。

再創(chuàng)新高！閃迪股價大幅拉升

美東時間周五（1月9日），存儲芯片大牛股閃迪的股價再度爆發(fā)。當天美股開盤后，閃迪的股價直線拉升，隨后全天維持高位震蕩。截至美股收盤，閃迪股價上漲12.81%報377.41美元/股，再創(chuàng)歷史新高，總市值也突破了550億美元。

當天，在閃迪的帶動下，其他存儲概念股也大幅走高，美光科技漲超5%，西部數(shù)據(jù)、希捷科技漲近7%。

從消息面來看，有關(guān)“閃迪企業(yè)級閃存芯片報價或翻倍”的消息，是刺激該公司股價上漲的主要原因。野村證券的分析師預(yù)計，為應(yīng)對未來幾個季度服務(wù)器級存儲的強勁需求，閃迪可能在本季度將其面向企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）的大容量3D NAND閃存價格上調(diào)一倍。目前，尚不清楚此次高容量3D NAND提價將在多大程度上影響用于消費設(shè)備的主流閃存報價。

野村證券在給客戶的一份報告中寫道：“渠道調(diào)查顯示，多家存儲供應(yīng)商持續(xù)推高產(chǎn)品價格，其中企業(yè)級NAND的漲幅尤為激進。閃迪用于企業(yè)級SSD的NAND產(chǎn)品據(jù)稱在本季度環(huán)比漲幅可能超過100%?！币按遄C券將漲價歸因于兩方面因素：一是短期供應(yīng)短缺，二是受人工智能（AI）整體發(fā)展推動的中期需求增長，特別是AI存儲架構(gòu)的變化。

野村證券的報告提到，英偉達是這一輪閃存芯片漲價的主要推手。英偉達的推理上下文內(nèi)存存儲平臺（ICMSP）是今年企業(yè)級存儲需求的重要驅(qū)動因素之一。該平臺基于BlueField-4 DPU，并配備一塊512GB SSD，用于承載KV緩存。在VR NVL144機架中，每一個計算托盤都配備了一顆帶有512GB硬盤的BlueField-4數(shù)據(jù)處理單元。這意味著每個機架共包含18顆DPU，對應(yīng)9.216TB的3D NAND容量。也就是說，假設(shè)英偉達每年出貨5萬套VR NVL144機架，那么該公司就需要從供應(yīng)鏈中獲得約0.439EB（艾字節(jié)）的3D NAND。

近日，美國銀行將閃迪的目標價從300美元上調(diào)至390美元，并給予“買入”評級。在英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛于2026年國際消費電子展（CES）上發(fā)布Vera Rubin平臺之后，分析師們對該平臺中NAND在AI基礎(chǔ)設(shè)施中所扮演角色的看法愈發(fā)樂觀。

另外，1月9日，有供應(yīng)鏈消息稱，NAND閃存廠商閃迪向客戶提出需全額現(xiàn)金預(yù)付款以換取1至3年供應(yīng)保障的新合同模式。盡管條款嚴苛引發(fā)爭議，但因AI需求激增及原廠擴產(chǎn)周期長，部分云服務(wù)商仍考慮接受。目前該合同已用于與PC、手機及模組廠商的談判中。

本周早些時候，有報道稱，三星電子和SK海力士計劃在第一季度將服務(wù)器內(nèi)存價格最高上調(diào)至70%，AI需求的激增正沖擊全球供應(yīng)鏈格局。

機構(gòu)：關(guān)注存儲超級周期下國產(chǎn)化機遇

近日，英偉達創(chuàng)始人黃仁勛在CES 2026發(fā)表演講，介紹了英偉達的下一代AI平臺Rubin，是首個采用極致協(xié)同設(shè)計、集成六款芯片的AI平臺，現(xiàn)已全面量產(chǎn)。Rubin平臺組件從數(shù)據(jù)中心向外構(gòu)建，涵蓋Rubin GPU、Vera CPU、NVLink 6、Spectrum-X Ethernet Photonics、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU。黃仁勛介紹了AI原生存儲平臺，NVIDIA推理上下文記憶存儲平臺是AI原生的鍵值（KV）緩存層，可提升長上下文推理性能，實現(xiàn)每秒token數(shù)提升5倍、單位總擁有成本（TCO）性能提升5倍、能效提升5倍。

國泰海通證券表示，英偉達推理上下文記憶存儲平臺的推出將進一步加大存儲供給的緊張狀態(tài)，預(yù)計2026年一季度NAND和DRAM合約價將分別環(huán)比增長33%—38%、55%—60%；國內(nèi)長鑫科技的招股說明書披露也預(yù)示著公司離上市又進一步，本輪存儲產(chǎn)業(yè)的超級大周期將驅(qū)動半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料公司持續(xù)成長。

國開證券建議關(guān)注存儲超級周期下國產(chǎn)化機遇。該券商指出，AI驅(qū)動下存儲迎來新一輪上行周期。據(jù)SIA數(shù)據(jù)，2025年10月全球半導(dǎo)體銷售額創(chuàng)下727億美元的歷史新高，同比增速達27.2%。其中，存儲芯片作為核心驅(qū)動力，預(yù)計2025年全年實現(xiàn)28%的強勁增長。不同于以往由消費電子出貨量驅(qū)動的周期，本輪復(fù)蘇呈現(xiàn)出明顯的“AI 導(dǎo)向”特征，直接推動了高端HBM及高層數(shù)NAND持續(xù)放量，行業(yè)確立“量價齊升”格局。

東方證券也建議重視存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化機遇。存儲供不應(yīng)求持續(xù)，同時海外存儲巨頭在通用存儲方面的擴產(chǎn)進度可能有限，為國內(nèi)存儲廠商擴產(chǎn)、提升份額帶來歷史性機遇。技術(shù)方面，在DRAM領(lǐng)域，長鑫科技于2025年11月推出DDR5產(chǎn)品，在峰值速率等主流技術(shù)參數(shù)上達到國際一線水平；在NAND領(lǐng)域，長江存儲自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)實現(xiàn)了3D NAND技術(shù)的跨越式發(fā)展。在IPO進度方面，長鑫科技IPO已獲受理，長江存儲的母公司長存集團于2025年9月完成股份制改革。長江存儲、長鑫科技未來推進融資后有望實現(xiàn)較大的擴產(chǎn)體量，產(chǎn)業(yè)鏈上下游有望深度受益。

責(zé)編：羅曉霞

排版：劉珺宇

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