光刻機這玩意兒被稱作“半導體工業(yè)皇冠上的明珠”，所以臺積電、三星、英特爾依賴荷蘭ASML的光刻機成為了世界頂級芯片供應商，與此同時，芯片也成為了美國制裁我們的“刀”。而我們自己也常常陷入一個思維定式：追趕ASML，造出最先進的EUV光刻機，才算成功。

這種“對標”，某種程度上遮蔽了中國光刻機產業(yè)發(fā)展的真實全景。

事實上，中國的策略遠比想象中靈活和務實，走的是一條“多點突破、組合前進”的路線。比如，主攻DUV（深紫外）光刻機，這是當前成熟制程芯片的絕對主力。上海微電子裝備的浸沒式光刻機不斷攻關，從90納米向28納米穩(wěn)步邁進。別小看這個“成熟制程”，它滿足了全球70%以上的芯片需求，是產業(yè)的壓艙石。

而在前沿探索方面，在追逐EUV的同時，中國也在布局可能“換道超車”的技術。比如納米壓印光刻，國內企業(yè)璞璘科技的設備線寬已能做到小于10納米，對應傳統(tǒng)5納米制程，并且已經交付量產。還有電子束光刻，浙江大學的“羲之”商業(yè)機精度達到0.6納米，已有成品機進入測試。

2023年，日本將23種半導體制造設備納入出口管制，試圖借勢美國對中國形成技術封鎖。結果就是，中國光刻膠的國產化率從2020年的15%，一路攀升至2024年的32%，2025年有望突破40%。南大光電的ArF光刻膠、彤程新材的KrF膠，正在一步步打破日本企業(yè)的壟斷。當“斷供”的威脅倒逼出“替代”的能力時，封鎖者的籌碼就開始貶值了。

如今，日媒的報道口風已變，短短三年，日本方面改口了！甚至出現了“日本愿意賣”的聲音。這背后的潛臺詞或許是：與其失去整個市場，不如在還有影響力的時候尋求合作。

三年前，日本光刻膠巨頭JSR的CEO埃里克·約翰遜曾斷言：“即使中國拿到一份關于化學成分細節(jié)的論文，中國人也造不出EUV（極紫外光刻）能力！”三年后的今天，同樣是日本媒體《日經亞洲》卻報道稱，中國很有可能成為繼荷蘭和日本之后，全球第三個能自己造全套光刻機的國家 。

從斬釘截鐵的“不可能”到審慎評估的“很有可能”，這180度的態(tài)度轉變背后，是中國半導體產業(yè)在高壓下迸發(fā)出的驚人能量：我們不僅能造光刻機，未來還能造出更先進的光刻機。