【市場表現(xiàn)】

今日半導(dǎo)體設(shè)備板塊大跌，盤中跌超4%。

【下跌因素分析】

今日基本面、消息面均無明顯利空。下跌可能系短期漲幅較大疊加近期寬基基金持續(xù)流出有關(guān)。

【后市展望】

1、存儲漲價持續(xù)，存儲產(chǎn)能供不應(yīng)求有望在2026年持續(xù)。當(dāng)?shù)貢r間1月25日，據(jù)媒體報道，三星電子在今年第一季度將NAND閃存的供應(yīng)價格上調(diào)了100%以上，這一漲幅遠(yuǎn)超市場此前預(yù)期，凸顯了當(dāng)前半導(dǎo)體市場嚴(yán)重的供需失衡現(xiàn)狀。報道稱，三星電子目前已著手與客戶就第二季度的NAND價格進(jìn)行新一輪談判，市場普遍預(yù)計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。

2、擴產(chǎn)預(yù)期持續(xù)強勁，后續(xù)仍有上調(diào)空間。目前市場預(yù)期今年兩存擴產(chǎn)12-14萬片，上周有某存儲大廠上市節(jié)奏推遲的消息，但總體而言上市節(jié)奏并不影響今年的存儲擴產(chǎn)節(jié)奏，且上周已充分表現(xiàn)，無需為此過度擔(dān)憂。后市存儲產(chǎn)能持續(xù)緊缺，擴產(chǎn)預(yù)期仍有望上調(diào)，27-28年的擴產(chǎn)預(yù)期也有望陸續(xù)打入。

3、半導(dǎo)體設(shè)備板塊依然具備“存儲擴產(chǎn)+先進(jìn)制程擴產(chǎn)”的明確成長敘事，當(dāng)前仍具備較強配置價值。這一輪半導(dǎo)體設(shè)備的敘事不同于以往的周期復(fù)蘇或國產(chǎn)替代，而是實打?qū)嵉氖芤嬗谌駻I驅(qū)動的高景氣。無論是AI算力所需的先進(jìn)制程擴產(chǎn)，還是AI存力推動的存儲擴產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備都是突破產(chǎn)能瓶頸的核心環(huán)節(jié)。

估值方面，截至1月23日，半導(dǎo)體設(shè)備ETF標(biāo)的指數(shù)PETTM為107.65x，位于上市以來85.64%分位。有興趣的投資者可考慮逢低布局半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）。

資料來源：wind

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