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“一盒內(nèi)存條堪比上海一套房”的消息在2026年初登上熱搜，一條帶ECC/REG糾錯(cuò)功能的256GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存單條超6萬(wàn)元。主流消費(fèi)級(jí)內(nèi)存（如16GB×2 DDR5套裝）從2025年中期的800元漲至1600元左右，漲幅100%。

而中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將其32GB DDR5產(chǎn)品定價(jià)僅800余元，相當(dāng)于市場(chǎng)價(jià)的三分之一。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)的國(guó)際大廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進(jìn)制程產(chǎn)能至服務(wù)器與HBM應(yīng)用，導(dǎo)致消費(fèi)電子、移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域的通用型DRAM供給嚴(yán)重緊縮。這一格局下，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等國(guó)產(chǎn)廠商的崛起將為市場(chǎng)提供更多元化的供應(yīng)選擇，有望在未來(lái)為消費(fèi)者帶來(lái)更強(qiáng)的價(jià)格彈性。

此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在資本市場(chǎng)也獲得巨大突破。2025年底，長(zhǎng)鑫科創(chuàng)板IPO獲受理，擬募資約295億元，成為科創(chuàng)板史上僅次于中芯國(guó)際的第二大IPO。市場(chǎng)普遍預(yù)期長(zhǎng)鑫上市后估值有望向萬(wàn)億靠攏。

內(nèi)存價(jià)格飆升，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)迎來(lái)新機(jī)會(huì)

AI算力需求爆發(fā)引發(fā)的結(jié)構(gòu)性供需失衡，是本輪內(nèi)存價(jià)格飆升的核心驅(qū)動(dòng)力。國(guó)際三大存儲(chǔ)巨頭將80%以上先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高利潤(rùn)率的HBM和DDR5服務(wù)器芯片，導(dǎo)致消費(fèi)級(jí)內(nèi)存供應(yīng)銳減，這給了長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)機(jī)會(huì)。

數(shù)據(jù)顯示，AI服務(wù)器對(duì)內(nèi)存的需求是普通服務(wù)器的8至10倍，訓(xùn)練千億參數(shù)的AI模型需要數(shù)TB內(nèi)存，相當(dāng)于數(shù)百臺(tái)普通電腦的內(nèi)存總和。市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2025年AI服務(wù)器已消耗全球DRAM月產(chǎn)能的約53%，且這一比例仍在持續(xù)攀升。

面對(duì)HBM的高額利潤(rùn)，三星、SK海力士、美光三大巨頭紛紛將絕大部分晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM和企業(yè)級(jí)DDR5生產(chǎn)，導(dǎo)致消費(fèi)級(jí)DDR4、DDR5內(nèi)存條的產(chǎn)能被嚴(yán)重?cái)D壓。

摩根士丹利數(shù)據(jù)顯示，主要云服務(wù)商在AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上的支出預(yù)計(jì)將從2024年的2850億美元，飆升至2026年的6210億美元。這種需求增長(zhǎng)具有長(zhǎng)期性，內(nèi)存市場(chǎng)的供應(yīng)緊張局面可能持續(xù)至2028年。

從零到全球第四，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)產(chǎn)能爬坡

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成立于2016年，作為中國(guó)領(lǐng)先的DRAM存儲(chǔ)芯片研發(fā)制造企業(yè)，在短短十年間實(shí)現(xiàn)了從零到全球第四的跨越。

2019年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)量產(chǎn)首顆8GB DDR4產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)DRAM“從零到一”的突破。如今，長(zhǎng)鑫已構(gòu)建起從DDR4、LPDDR4X到最新DDR5、LPDDR5/5X的全系列產(chǎn)品矩陣。

其LPDDR5X產(chǎn)品速率高達(dá)10667Mbps，達(dá)到國(guó)際主流水平，較上一代提升66%，功耗則降低了30%。

產(chǎn)能方面，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在合肥、北京兩地建有3座12英寸DRAM晶圓廠，且已形成DDR系列、LPDDR系列等產(chǎn)品布局。

根據(jù)Trendforce數(shù)據(jù)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2025年底產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，同比增長(zhǎng)近50%。出貨端，2024年長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出新一代16GbDDR5產(chǎn)品，跳過(guò)17nm（D1y）節(jié)點(diǎn)直接采用16nm（D1z）節(jié)點(diǎn)，當(dāng)前也正在從DDR4/LPDDR4加速向DDR5/LPDDR5轉(zhuǎn)移。

低價(jià)策略帶來(lái)顯著市場(chǎng)份額增長(zhǎng)

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的低價(jià)策略并非單純的價(jià)格戰(zhàn)，而是建立在技術(shù)突破與產(chǎn)能爬坡基礎(chǔ)上的理性商業(yè)布局。

通過(guò)持續(xù)的技術(shù)優(yōu)化與規(guī)模效應(yīng)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)有效降低了單位生產(chǎn)成本。2025年其DDR5產(chǎn)品良率已突破80%，17nm工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。

盡管與國(guó)際巨頭最先進(jìn)工藝仍有差距，但已能滿足大部分應(yīng)用場(chǎng)景需求。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)聚焦消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)這一細(xì)分賽道，避免與巨頭在高端AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的直接對(duì)抗。這種差異化競(jìng)爭(zhēng)策略，使其能夠快速積累市場(chǎng)份額與現(xiàn)金流，為后續(xù)技術(shù)升級(jí)奠定基礎(chǔ)。

低價(jià)策略也為長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)帶來(lái)了顯著的市場(chǎng)份額增長(zhǎng)，低價(jià)搶市正是其實(shí)現(xiàn)份額躍升的關(guān)鍵一步。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的低價(jià)舉措已在市場(chǎng)端引發(fā)顯著反響。其低價(jià)32GB DDR5內(nèi)存入市后，國(guó)內(nèi)電商平臺(tái)相關(guān)產(chǎn)品銷量短期內(nèi)激增。

面對(duì)長(zhǎng)鑫的低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)，三星、SK海力士已開(kāi)始小幅下調(diào)部分消費(fèi)級(jí)DDR5產(chǎn)品價(jià)格，但降幅有限，仍比長(zhǎng)鑫產(chǎn)品高出1倍以上。美韓巨頭不敢大幅降價(jià)應(yīng)對(duì)，因?yàn)槠洚a(chǎn)能已高度綁定高利潤(rùn)的AI相關(guān)產(chǎn)品，降價(jià)就是損失利潤(rùn)。