2026 年初，中微半導體董事長尹志堯正式恢復中國國籍。為完成稅務清算，他減持 29 萬股中微股份，市值接近 1 億元。與此同時，尹志堯帶領團隊全力攻關 2 納米刻蝕機技術。這個關鍵決定背后，是嚴峻的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)實。

刻蝕機作為芯片制造核心設備，在先進制程中工序占比超 50%，長期被美日企業(yè)壟斷。尹志堯在這個節(jié)點的選擇，究竟能為中國半導體產(chǎn)業(yè)帶來什么改變？

用國籍破解封鎖困局

我們先從技術封鎖說起，美國這次的手段相當全面。設備禁運、技術限制還不夠，現(xiàn)在連人才都要管控。2022 年 10 月的禁令明確規(guī)定，美國公民和永久居民不得未經(jīng)許可參與中國先進半導體研發(fā)，這套組合拳直接瞄準了產(chǎn)業(yè)核心環(huán)節(jié)。

尹志堯恢復國籍，本質上是對這種封鎖的主動破局。他在硅谷深耕數(shù)十年，曾任英特爾、泛林等巨頭核心技術負責人，手握 60 多項全球專利。這樣的頂尖人才一旦被禁令束縛，中微的技術攻關必然受影響。中微已經(jīng)有其他美籍核心技術人員因這條禁令被迫離職，研發(fā)進度受到明顯沖擊。

恢復中國籍后，尹志堯徹底擺脫了美國人才禁令的限制。他能全身心投入 2 納米刻蝕機研發(fā)，不用擔心哪天突然收到禁令通知。說白了，這是用國籍解綁的方式，確保核心技術團隊的穩(wěn)定性。

這里要注意，他的決定不是被迫應對，而是主動選擇。減持近 1 億元股份用于稅務清算，這個代價不小。但這種決絕態(tài)度向外界傳遞了明確信號，中國半導體產(chǎn)業(yè)值得長期投入。這種示范效應，對其他海外高端人才的回流有很強的帶動作用。

我們接著看全球刻蝕機市場的競爭格局。泛林、東京電子、應用材料三家美日企業(yè)長期壟斷市場，2024 年合計占比超 85%。這種壟斷地位讓他們能隨意對中國企業(yè)卡脖子。舉個實際例子，2018 年美國商務部對中興通訊實施禁運，芯片設備供應直接中斷，企業(yè)差點陷入癱瘓。

中微的突破意義重大。5 納米刻蝕機通過臺積電驗證并供貨，意味著國產(chǎn)設備真正進入全球頂尖芯片生產(chǎn)線。要知道，臺積電對設備供應商的要求極其苛刻，能通過驗證本身就說明技術過硬。3 納米技術已經(jīng)突破，核心性能指標比肩國際巨頭。現(xiàn)在攻關 2 納米，就是要在下一代芯片競爭中搶占先機。

臺積電和三星計劃 2027 年量產(chǎn) 2 納米芯片，留給中微的時間窗口只有 3 年。這是一場真正的時間賽跑。2 納米芯片采用 GAA 全環(huán)繞柵極架構，對刻蝕工藝的要求完全不同，材料、工藝、軟件算法都要重新開發(fā)。一旦突破，中國在先進制程領域就真正掌握了話語權。

技術宗師的關鍵價值

尹志堯能被稱為中國刻蝕機之父，絕非虛名。2004 年他回國創(chuàng)立中微，當時國內刻蝕機技術幾乎一片空白。從 40 納米到 7 納米，再到 5 納米和 3 納米，中微用 20 年時間走完了別人幾十年的路。

要知道，芯片制造的復雜度遠超一般人想象。光刻機負責繪制設計圖，刻蝕機負責精準雕刻，把多余材料去除，兩者都是核心設備，缺一不可?？涛g環(huán)節(jié)的精度直接決定芯片性能，其技術難度不亞于光刻。

中微的技術突破體現(xiàn)在多個關鍵指標。獨創(chuàng)雙反應臺設計，可同時處理兩片晶圓，效率提升一倍；設備溫控精度達到 0.75℃，這個數(shù)字在國際上處于領先水平；刻蝕精度、良率、效率等核心參數(shù)，已能和泛林、東京電子等老牌巨頭抗衡。

值得一提的是，中微的成長路徑很清晰。先在刻蝕機單點突破，打破國外壟斷，再向平臺化拓展，目前已覆蓋 30% 的集成電路設備。未來 5 到 10 年，目標是覆蓋 60% 的高端設備，涵蓋刻蝕、薄膜生長、量檢測等核心品類。

這種從單點冠軍到平臺型企業(yè)的轉型，需要強大的技術積累和戰(zhàn)略定力。中微正處于從 30% 到 60% 覆蓋率的關鍵攻堅期，薄膜生長設備已進入客戶驗證階段。創(chuàng)始人的穩(wěn)定坐鎮(zhèn)，能確保公司戰(zhàn)略方向不動搖，技術攻關不斷層。況且他本人就是全球刻蝕技術頂尖專家，這種技術領導力無法替代。

另外還有一點，尹志堯的選擇改變了行業(yè)生態(tài)。他用實際行動證明，中國半導體產(chǎn)業(yè)有能力吸引和留住全球頂尖人才。中微 2024 年研發(fā)投入占比超 15%，這個數(shù)字在全球半導體設備企業(yè)中處于高位。龐大的市場需求、持續(xù)的研發(fā)投入、清晰的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，共同構成了吸引人才的磁場。

中微現(xiàn)在已成為全球僅有的 4 家能供應 7 納米以上刻蝕機的企業(yè)之一。這個地位來之不易，背后是團隊二十年的持續(xù)攻關。在刻蝕機的兩大主流技術路線上，中微都躋身全球第一梯隊，這種技術實力讓中國企業(yè)在談判桌上有了底氣。

從跟跑到并跑的產(chǎn)業(yè)意義

2018年其5納米設備通過臺積電驗證并量產(chǎn)，成為首個進入全球頂尖芯片生產(chǎn)線的國產(chǎn)設備；隨后3納米技術實現(xiàn)突破，核心性能已比肩國際巨頭，計劃于2026年底前完成客戶驗證；目前攻關的2納米技術，因需實現(xiàn)原子級精準控制，對材料、工藝和軟件算法提出了遠超前代的要求，尹志堯團隊正全力搶占下一代技術先機。

這一突破具有深遠的產(chǎn)業(yè)意義。在5納米以下制程中，刻蝕工序占比超過50%，中微的崛起使中國在芯片制造核心環(huán)節(jié)掌握了議價能力，擺脫了進口設備“隨意漲價、隨時斷供”的被動局面。2024年，其國內市場份額已提升至18%，為本土芯片企業(yè)提供了可靠的替代選擇，顯著降低了供應鏈風險。

更重要的是，中微的技術突破帶動了上游核心零部件的國產(chǎn)化進程。例如，金屬陶瓷噴淋盤實現(xiàn)國產(chǎn)化后，其使用壽命成倍提升，成本降至進口產(chǎn)品的五分之一。

這表明，刻蝕機的突破并非孤立事件，而是撬動了整個產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展，上游企業(yè)加大研發(fā)投入，下游企業(yè)降低采購成本，形成良性循環(huán)，整體產(chǎn)業(yè)競爭力得到實質性提升。

盡管美國的人才禁令短期內對中微的研發(fā)進度造成影響，但長期來看，反而加速了技術自主進程。中微積極推動人才本土化，一方面吸引海外華人科學家回流，另一方面深化與高校的合作，通過共建聯(lián)合實驗室、擴大微電子專業(yè)人才培養(yǎng)規(guī)模，夯實了長期發(fā)展的人才基礎。

中國半導體產(chǎn)業(yè)在全球最大的單一市場、持續(xù)增長的研發(fā)投入和清晰穩(wěn)定的政策支持下，構建了以技術自立為核心的發(fā)展閉環(huán)。面對外部壓力，本土企業(yè)加速自主研發(fā)，吸引頂尖人才和關鍵技術回流，推動產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)實現(xiàn)突破，逐步降低對外依賴，從被動應對轉向主動超越。

目前，攻關2納米仍面臨技術集成、時間窗口和供應鏈等多重挑戰(zhàn)，但機遇更為顯著，其平臺化布局一旦成熟，將帶動國內半導體設備產(chǎn)業(yè)鏈整體升級，降低芯片企業(yè)成本，并憑借已進入國際頂尖供應鏈的技術與價格優(yōu)勢，拓展海外市場。

中微的成功路徑為硬科技突圍提供了明確啟示，聚焦核心賽道長期投入、構建高水平人才梯隊、實現(xiàn)從單點突破到平臺拓展、推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，輔以研發(fā)激勵與國產(chǎn)化政策支持，共同構成了科技創(chuàng)新的完整生態(tài)。

尹志堯的選擇，標志著中國半導體產(chǎn)業(yè)已從被動適應轉向主動引領，外部壓力不僅未能阻礙其發(fā)展，反而激發(fā)了更強勁的內生動力。這條道路雖長，但方向清晰，根基扎實。