韓美半導(dǎo)體正與客戶溝通，計劃在2029年16層及以上堆疊HBM量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，同步推出新一代高端混合鍵合機(jī)。

韓美半導(dǎo)體表示，繼去年推出用于生產(chǎn)第六代高帶寬存儲器（HBM4）的 TC鍵合機(jī)（TC Bonder4）之后，公司計劃在今年下半年推出面向HBM5、HBM6生產(chǎn)的 “寬型TC鍵合機(jī)”（wide TC bonder）。

據(jù)韓美半導(dǎo)體介紹，這款寬型TC鍵合機(jī)作為新型 TC 鍵合設(shè)備備受關(guān)注，它彌補(bǔ)了當(dāng)前 HBM 量產(chǎn)所用混合鍵合機(jī)的短板——此類設(shè)備因技術(shù)難題尚未實現(xiàn)商業(yè)化?；?020年自主研發(fā)的HBM混合鍵合機(jī)技術(shù)，韓美半導(dǎo)體正與客戶溝通，計劃在2029年16層及以上堆疊HBM量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，同步推出新一代高端混合鍵合機(jī)。

今年，受 HBM 需求激增推動，全球人工智能半導(dǎo)體市場中，國際存儲廠商的資本支出預(yù)計將同比大幅增長。

三星電子2025年資本支出為52.7萬億韓元，比上一年減少1萬億韓元。其中，DS事業(yè)部占47.5萬億韓元，顯示業(yè)務(wù)占2.8萬億韓元。三星電子執(zhí)行副總裁兼投資者關(guān)系主管Daniel Oh在財報電話會議中表示，在存儲器業(yè)務(wù)中，投資無論是環(huán)比還是同比均有所增加，“因為我們正在向先進(jìn)制程過渡，以擴(kuò)大HBM等高附加值產(chǎn)品的銷售”。對于2026年，Daniel Oh表示，盡管詳細(xì)的投資計劃仍在敲定中，“但考慮到市場前景，我們預(yù)計存儲器領(lǐng)域的資本支出將會增加”。

SK海力士亦在財報中提及，2026年，考慮到產(chǎn)能和基礎(chǔ)設(shè)施的擴(kuò)張，資本支出預(yù)計將較去年大幅增加。在電話會議環(huán)節(jié)，被問及2026年資本開支具體將增加多少時，SK海力士管理層表示，“正如之前所解釋的，由于產(chǎn)能擴(kuò)張、加速技術(shù)遷移以及對未來基礎(chǔ)設(shè)施的投資，2026年的資本支出預(yù)計將同比顯著增加。但同時，我們將通過監(jiān)控市場狀況并平衡需求可見性與投資效率，來維持資本支出紀(jì)律”。具體來看，資本開支與銷售額也預(yù)計將顯著增加?！百Y本支出將會增加，但我們也預(yù)計營收將大幅增長。因此，我們預(yù)計在維持30%中段范圍的資本支出紀(jì)律方面不會有任何困難。另外，AI公司的投資不包括在資本支出內(nèi)，因此不影響自由現(xiàn)金流（FCF）計算?！?/p>

美光已宣布，將今年資本支出從此前的180億美元上調(diào)至200億美元，并計劃大幅擴(kuò)充HBM產(chǎn)能。

此類大規(guī)模投資預(yù)計將帶動韓美半導(dǎo)體TC鍵合機(jī)的銷售增長。韓美半導(dǎo)體去年被美光認(rèn)定為核心合作伙伴，并榮獲 “頂級供應(yīng)商（Top Supplier）” 獎項。此外，韓美半導(dǎo)體計劃今年在AI系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域推出多款新型鍵合設(shè)備，供應(yīng)給中國大陸及中國臺灣地區(qū)的晶圓代工廠與半導(dǎo)體封測企業(yè)（OSAT）。

近期市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TechInsights預(yù)測，2025至2030年間，TC 鍵合機(jī)市場規(guī)模將以年均約13.0%的速度增長。

韓美半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人表示：“在今年 HBM 需求增長的帶動下，我們今明兩年有望創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績。” 并補(bǔ)充道：“公司將通過研發(fā)下一代產(chǎn)品、擴(kuò)大產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的領(lǐng)先地位?！?/p>

韓美半導(dǎo)體此前披露，初步統(tǒng)計顯示，公司去年合并營業(yè)利潤為 2514 億韓元，同比下降 1.6%；營收為 5767 億韓元，同比增長 3.2%，繼 2024 年后連續(xù)第二年刷新歷史最高紀(jì)錄。不過，第四季度營業(yè)利潤為 276 億韓元，同比大幅下滑 61.6%。

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