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2月10日消息，據(jù)媒體最新報(bào)道，聯(lián)發(fā)科天璣系列芯片將交由英特爾代工，這一消息在半導(dǎo)體行業(yè)引發(fā)了廣泛關(guān)注。在蘋(píng)果初步敲定使用英特爾18A工藝后，英特爾似乎又爭(zhēng)取到了第二大客戶聯(lián)發(fā)科，后者預(yù)計(jì)將采用英特爾14A工藝。

眾所周知，蘋(píng)果可能會(huì)選擇英特爾的18A-P工藝用于入門(mén)級(jí)M系列芯片，這顆芯片最快會(huì)在2027年出貨。不止于此，蘋(píng)果預(yù)計(jì)在2028年推出的定制化ASIC將采用英特爾的EMIB封裝技術(shù)。目前蘋(píng)果已經(jīng)與英特爾簽署了保密協(xié)議，并獲取了其18A-P工藝的PDK樣本用于評(píng)估。

值得注意的是，英特爾的18A-P工藝是其首個(gè)支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)的節(jié)點(diǎn)，該技術(shù)允許通過(guò)硅通孔實(shí)現(xiàn)多個(gè)芯粒的堆疊。

現(xiàn)在有一個(gè)大膽的傳聞稱，英特爾已成功拉攏到另一個(gè)14A工藝的客戶聯(lián)發(fā)科。不過(guò)，將英特爾的14A工藝應(yīng)用于聯(lián)發(fā)科天璣系列等移動(dòng)芯片并非易事。英特爾決定在18A和14A節(jié)點(diǎn)上全力押注背面供電技術(shù)，雖然這項(xiàng)決策能顯著提升性能，但也會(huì)帶來(lái)嚴(yán)重的自發(fā)熱效應(yīng)。

由于手機(jī)內(nèi)部空間極其有限，這種自發(fā)熱效應(yīng)對(duì)于移動(dòng)端Soc來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，可能需要額外的散熱措施才能確保穩(wěn)定運(yùn)行。如果雙方能夠成功克服這一技術(shù)瓶頸，不排除聯(lián)發(fā)科和英特爾實(shí)現(xiàn)深度合作的可能。

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