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人工智能數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展帶來(lái)的供應(yīng)短缺已經(jīng)影響到DRAM和NAND市場(chǎng)。現(xiàn)在，NOR閃存也受到了波及。

據(jù)報(bào)道稱，隨著人工智能服務(wù)器需求的增長(zhǎng)，這些服務(wù)器中使用的NOR閃存的需求也隨之增長(zhǎng)。這些產(chǎn)品以及其他產(chǎn)品，例如嵌入式應(yīng)用服務(wù)器，都使用NOR閃存來(lái)存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼和固件、元數(shù)據(jù)配置以及其他低延遲代碼，這些代碼可以直接執(zhí)行，無(wú)需復(fù)制到DRAM。

《商業(yè)時(shí)報(bào)》稱，一個(gè)GPU服務(wù)器機(jī)架中現(xiàn)在可以容納多達(dá)30個(gè)NOR設(shè)備，每個(gè)Nvidia GB200 NVL72系統(tǒng)的成本高達(dá)600美元，并預(yù)測(cè)幾年內(nèi)這一價(jià)格可能會(huì)達(dá)到900美元。

NOR 和 NAND 閃存以相同的方式將位存儲(chǔ)在單元中，但訪問(wèn)單元的方式不同。

NOR 單元并聯(lián)連接。每個(gè)單元的漏極直接連接到一條位線，源極共用一條公共線。這使得可以直接隨機(jī)訪問(wèn)單個(gè)單元或小組。

NAND 單元體積較小，它們以串聯(lián)方式連接（就像一條鏈子或一串繩子；一頁(yè)紙）。只有鏈子的兩端連接到位線/源線，因此訪問(wèn)需要經(jīng)過(guò)整個(gè)鏈子。

NOR閃存圖

NAND 存儲(chǔ)器以頁(yè)為單位訪問(wèn)單元，而不是單個(gè)比特。要讀取一個(gè) NAND 單元，必須將序列中的其他單元導(dǎo)通并充當(dāng)傳輸晶體管。一個(gè) NAND 塊包含多個(gè)頁(yè)，并且寫入操作只需一次即可完成。

NAND閃存圖

這導(dǎo)致了不同的讀寫性能。NOR閃存的隨機(jī)讀取速度快，但寫入速度比NAND慢。NOR閃存還可以在比NAND更高的溫度下工作，因此更適合某些汽車和工業(yè)應(yīng)用。

總部位于中國(guó)臺(tái)灣的宏碁公司（Macronix）生產(chǎn)這兩種類型的存儲(chǔ)器，是NOR閃存的主要供應(yīng)商。該公司總裁盧志源表示，“用于人工智能服務(wù)器和高性能計(jì)算設(shè)備的2D NOR閃存芯片需求強(qiáng)勁”。

為應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的 NAND 需求，宏碁正在擴(kuò)大其 NAND 制造能力，這將使提升產(chǎn)能的3D NOR芯片的推出推遲兩年。

華邦電子（Winbond）也生產(chǎn)這兩種芯片，其目標(biāo)是將NOR閃存的產(chǎn)能同比增長(zhǎng)30%至40%?？偛藐惤癖硎荆骸拔覀兘衲旰兔髂甑漠a(chǎn)能都已全部預(yù)訂完畢，包括DRAM、NOR和NAND閃存。行業(yè)的上升周期應(yīng)該會(huì)持續(xù)相當(dāng)長(zhǎng)一段時(shí)間?！?/p>

https://www.blocksandfiles.com/flash/2026/02/12/nor-flash-shortages-loom-amid-ai-datacenter-demand-surge/4091207

（來(lái)源：Blocks&Files）

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