導(dǎo)語(yǔ)

瑞薩電子拓展氮化鎵業(yè)務(wù)，與美國(guó)EPC公司簽署許可協(xié)議

瑞薩電子正在加強(qiáng)其氮化鎵（GaN）功率器件業(yè)務(wù)。該公司已與美國(guó)氮化鎵專業(yè)制造商EPC簽署了一項(xiàng)全面的許可協(xié)議。這將使瑞薩電子獲得EPC的低壓氮化鎵技術(shù)，該公司表示，這將“拓展其在人工智能功率架構(gòu)等大批量市場(chǎng)的機(jī)遇”。

EPC于2026年2月10日（美國(guó)時(shí)間）宣布，已與瑞薩電子簽署了一項(xiàng)全面的氮化鎵（GaN）功率器件許可協(xié)議。該協(xié)議將使瑞薩能夠獲得EPC的低壓GaN技術(shù)和供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)，從而拓展其在人工智能電源架構(gòu)等大批量市場(chǎng)的機(jī)遇。

在一年的時(shí)間里，該公司將建立起自己參與合作研發(fā)的產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

EPC成立于2007年，是一家專注于氮化鎵（GaN）的美國(guó)制造商，致力于開(kāi)發(fā)其增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）技術(shù)。根據(jù)Yole Group的研究，EPC是氮化鎵功率器件市場(chǎng)第四大廠商，預(yù)計(jì)到2024年市場(chǎng)份額將達(dá)到13.5% 。根據(jù)這項(xiàng)協(xié)議，瑞薩電子將能夠利用EPC的低壓eGaN技術(shù)及其成熟的供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)。未來(lái)一年，兩家公司計(jì)劃建立各自的生產(chǎn)能力，以生產(chǎn)此次合作的成果。

瑞薩電子表示，這項(xiàng)協(xié)議將為瑞薩電子帶來(lái)EPC在低壓GaN技術(shù)方面的專業(yè)知識(shí)，使其能夠“提供涵蓋從低到高的電壓范圍的全面GaN功率產(chǎn)品組合，進(jìn)一步加速GaN的廣泛應(yīng)用”。

瑞薩電子還計(jì)劃向EPC供應(yīng)一些已經(jīng)量產(chǎn)的GaN器件，作為第二來(lái)源，“從而為客戶帶來(lái)更強(qiáng)大的供應(yīng)鏈”。

瑞薩電子收購(gòu)Transphorm，旨在通過(guò)650V產(chǎn)品拓展GaN業(yè)務(wù)。

2024年，瑞薩電子完成了對(duì)Transphorm的收購(gòu)，該公司主要從事650V產(chǎn)品業(yè)務(wù)，這標(biāo)志著瑞薩電子全面進(jìn)軍氮化鎵（GaN）市場(chǎng)。通過(guò)此次收購(gòu)獲得的專有技術(shù)“SuperGaN”采用級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，將高壓D模GaN和低壓Si MOSFET串聯(lián)連接。2025年7月，瑞薩電子發(fā)布了收購(gòu)后的首款新型GaN產(chǎn)品。目前，該產(chǎn)品在其自有的6英寸晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。瑞薩電子已宣布計(jì)劃從2027年起在其合作方——美國(guó)公司Polar Semiconductor的8英寸晶圓廠開(kāi)始生產(chǎn)。

瑞薩電子氮化鎵事業(yè)部副總裁羅翰·薩姆西在評(píng)論此次合作時(shí)表示：“拓展低壓氮化鎵業(yè)務(wù)，旨在滿足增長(zhǎng)最快的電源領(lǐng)域需求。這項(xiàng)協(xié)議是對(duì)我們現(xiàn)有650V及以上高壓產(chǎn)品組合的有力補(bǔ)充，使我們能夠抓住人工智能電源架構(gòu)（涵蓋48V、12V甚至1V）以及客戶端計(jì)算和電池供電應(yīng)用等大批量市場(chǎng)的機(jī)遇。”

“我們兩家公司正在攜手組建全球聯(lián)盟，旨在提供尖端的能源效率，降低人工智能數(shù)據(jù)中心的成本，并為自主系統(tǒng)提供動(dòng)力。這對(duì)我們的行業(yè)和公司來(lái)說(shuō)都是一個(gè)激動(dòng)人心的時(shí)刻，”EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。

英飛凌逐步淘汰GaN系統(tǒng)部件

英飛凌科技正在逐步淘汰其從 GaN Systems 收購(gòu)的汽車(chē)用氮化鎵 (GaN) 功率器件，轉(zhuǎn)而推出自己的 GaN 產(chǎn)品。

2023 年，英飛凌收購(gòu)了 GaN Systems，該公司擁有 650V 器件的專利島狀器件架構(gòu)，其客戶包括汽車(chē)制造商寶馬和豐田，以及汽車(chē)設(shè)備制造商 Vitesco Technologies 和 Hella。

然而，GaN Systems 的器件是由臺(tái)積電制造的，而臺(tái)積電去年宣布將在 2027 年 7 月之前關(guān)閉其 GaN 代工業(yè)務(wù)。

“臺(tái)積電退出GaN Systems的GaN代工廠意味著我們不能繼續(xù)生產(chǎn)這些零件，這意味著我們需要用我們內(nèi)部的650V產(chǎn)品來(lái)滿足汽車(chē)客戶的需求，因此我們將擁有GaN Systems的技術(shù)訣竅，”英飛凌高級(jí)副總裁兼GaN業(yè)務(wù)線經(jīng)理Johannes Schoiswohl博士表示。

“如果你看看市場(chǎng)上650V的產(chǎn)品，就會(huì)發(fā)現(xiàn)并不多。我們正在努力解決這個(gè)問(wèn)題，并希望在今年晚些時(shí)候推出我們的汽車(chē)級(jí)氮化鎵器件，”他說(shuō)。

“單就汽車(chē)領(lǐng)域的氮化鎵（GaN）而言，目前還沒(méi)有出現(xiàn)營(yíng)收爆發(fā)式增長(zhǎng)，但根據(jù)與客戶的互動(dòng)，我認(rèn)為有很多設(shè)計(jì)項(xiàng)目正在進(jìn)行中。這主要是因?yàn)槠?chē)行業(yè)的研發(fā)周期更長(zhǎng)，需要更多時(shí)間。在車(chē)載充電器（OBC）和直流-直流轉(zhuǎn)換器方面，我們與多個(gè)客戶合作的項(xiàng)目正在進(jìn)入量產(chǎn)階段，我認(rèn)為今年晚些時(shí)候我們將看到首款采用氮化鎵技術(shù)的車(chē)載充電器問(wèn)世，因此營(yíng)收將在未來(lái)12到18個(gè)月內(nèi)開(kāi)始產(chǎn)生?！?/p>

臺(tái)積電 (TSMC) 的 650V 和 80V 氮化鎵硅基 (GaN-on-silicon) 工藝已授權(quán)給另一家晶圓代工廠 GlobalFoundries (GF)，以確?？蛻羝骷某掷m(xù)供應(yīng)。然而，對(duì)于汽車(chē)行業(yè)而言，這意味著需要對(duì)現(xiàn)有器件進(jìn)行大量重新認(rèn)證，以適應(yīng)新的工藝，這可能需要數(shù)月時(shí)間。預(yù)計(jì)該工藝移植工作將于 2026 年晚些時(shí)候在 GF 位于佛蒙特州伯靈頓的晶圓廠完成，從而實(shí)現(xiàn)美國(guó)自主芯片供應(yīng)。

“目前我們對(duì)如何繼續(xù)與代工廠合作持開(kāi)放態(tài)度，隨著氮化鎵技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，在供應(yīng)鏈方面保持靈活性以應(yīng)對(duì)地緣政治變化是一件好事。我認(rèn)為這是未來(lái)發(fā)展的一個(gè)可選項(xiàng)，”Schoiswohl說(shuō)道。

他表示，在英飛凌位于奧地利菲拉赫和馬來(lái)西亞居林的工廠進(jìn)行內(nèi)部生產(chǎn)和封裝，對(duì)于達(dá)到汽車(chē)認(rèn)證所需的質(zhì)量水平至關(guān)重要。“我們從一開(kāi)始就將封裝納入內(nèi)部設(shè)計(jì)，這樣一旦出現(xiàn)問(wèn)題，我們就能進(jìn)行全程追蹤，而內(nèi)部生產(chǎn)讓追蹤變得更加容易。對(duì)于像汽車(chē)牽引逆變器這樣具有挑戰(zhàn)性的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，這一點(diǎn)尤其重要?！?/p>

（來(lái)源：綜合整理自網(wǎng)絡(luò)信息）

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