【CNMO科技消息】據(jù)韓媒消息，三星電子在10納米級(jí)第6代DRAM“1c”生產(chǎn)上取得重要進(jìn)展，其良率已突破80%，正式進(jìn)入穩(wěn)定生產(chǎn)階段，這預(yù)計(jì)將助力其提升技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力并改善收益。

　　據(jù)悉，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)1c DRAM良率達(dá)到80%，這是在高溫環(huán)境（熱測(cè)試）下取得的最佳良率成績。此前在去年第四季度，1c DRAM良率還處于60—70%的水平，如今已成功提升。

　　良率是指生產(chǎn)的產(chǎn)品中合格品的比重，80%的良率意味著生產(chǎn)100個(gè)DRAM，其中有80個(gè)是合格品。通常，DRAM的穩(wěn)定良率被認(rèn)為在80—90%，達(dá)到這一水平才能最大化DRAM的收益。有業(yè)內(nèi)人士透露，預(yù)計(jì)到5月左右，1c DRAM良率將達(dá)到90%左右，憑借高良率有望大幅提升半導(dǎo)體收益。

　　近期DRAM價(jià)格持續(xù)上漲，營業(yè)利潤大幅增加，三星電子憑借穩(wěn)定的良率有望進(jìn)一步提升利潤率。不僅如此，以1c DRAM為基礎(chǔ)制造的下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）“HBM4”的良率也得到了改善，目前三星電子HBM4的良率已接近60%，去年第四季度還處于50%的水平。

　　1c DRAM是三星電子的戰(zhàn)略產(chǎn)品，是擁有11—12納米電路線寬的DRAM。三星電子DS部門副會(huì)長全英賢曾親自指揮設(shè)計(jì)改進(jìn)工作，旨在確保DRAM的核心競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)提升堆疊DRAM制成的HBM能力。