深圳市康創(chuàng)股權基金管理有限公司近日消息，研微（江蘇）半導體科技有限公司（以下簡稱“研微半導體”）宣布完成總金額近7億元人民幣的A輪融資。本輪融資由石溪資本、金石投資、高瓴資本等頂級機構領投，老股東湖杉資本、襄禾資本、毅達資本等持續(xù)加碼。據(jù)悉，本輪融資資金將用于核心產(chǎn)品迭代、產(chǎn)能建設及研發(fā)擴容，加速推進高端薄膜沉積設備的國產(chǎn)化進程。

研微半導體成立于2022年10月，專注于高端薄膜沉積與外延設備研發(fā)。此前已完成多輪融資，近一年來已完成三輪過億元融資。

公司創(chuàng)始人林興博士，畢業(yè)于美國加州大學，隨后加入全球半導體設備龍頭應用材料公司（Applied Materials），在那里工作了超過20年。在此期間，林興博士主導了多款邏輯芯片、存儲芯片半導體設備的研發(fā)，積累了從技術研發(fā)、工藝優(yōu)化到產(chǎn)業(yè)化落地的全流程經(jīng)驗。2022年，林興博士帶領10多名海歸博士（其中5人入選國家級人才計劃）回國創(chuàng)業(yè)，在無錫經(jīng)濟開發(fā)區(qū)成立了研微半導體。

研微半導體的產(chǎn)品線聚焦于半導體制造中至關重要的薄膜沉積與外延設備，具體包括原子層沉積（ALD/PEALD）設備、硅外延沉積（Si EPI）設備、碳化硅外延（SiC EPI）設備、等離子體化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層刻蝕（ALE）設備等。目前，研微半導體的設備已在國內多家頭部晶圓廠和IDM企業(yè)進行驗證或小批量采購，部分型號進入重復訂單階段。

高端薄膜沉積設備國產(chǎn)化進程行業(yè)具備快速增長的的發(fā)展趨勢分析

一、市場規(guī)模與國產(chǎn)化現(xiàn)狀

• 市場空間與增長動力
• 全球規(guī)模：2025年全球薄膜沉積設備市場規(guī)模預計達244億美元，占晶圓制造設備市場的22%，其中中國大陸市場規(guī)模約102億美元（按42%全球占比估算）。
• 國產(chǎn)化率：2023年國內薄膜沉積設備整體國產(chǎn)化率不足25%，其中ALD設備國產(chǎn)化率低于10%，高端PECVD、SACVD等設備仍以進口為主。
• 細分領域差異：PVD設備國產(chǎn)化率較高（北方華創(chuàng)占約15%），而ALD、HDPCVD等先進工藝設備依賴海外巨頭（應用材料、ASMI、TEL等）。
• 需求驅動因素
• 制程升級：3nm以下先進制程（GAA架構）需ALD實現(xiàn)高精度薄膜沉積，3D NAND堆疊層數(shù)突破200層后對PECVD需求激增。
• 新興技術：HBM存儲、先進封裝（TSV、混合鍵合）推動ALD和特種CVD設備需求，2025年ALD在半導體設備中的市場規(guī)?；蜻_60.8億元。

二、技術突破與廠商競爭格局

• 國產(chǎn)技術突破
• ALD設備：微導納米（28nm High-K ALD量產(chǎn)）、拓荊科技（PEALD設備進入頭部客戶驗證）、中微公司（LPCVD/ALD設備獲重復訂單）實現(xiàn)關鍵突破。
• PECVD/SACVD：拓荊科技PECVD設備覆蓋邏輯/存儲芯片全流程，SACVD設備反應腔累計出貨超100個，填補國產(chǎn)空白。
• 混合鍵合：拓荊科技W2W/D2W混合鍵合設備獲重復訂單，切入3D集成領域，成為第二增長曲線。
• 主要廠商布局

三、核心挑戰(zhàn)與瓶頸

• 技術壁壘
• 工藝精度：ALD需實現(xiàn)單原子層沉積，對溫度、前驅體控制要求極高，國產(chǎn)設備在深寬比覆蓋（如3D NAND溝槽）仍落后海外。
• 專利封鎖：應用材料、TEL等巨頭掌握核心專利，國產(chǎn)設備需規(guī)避或突破技術封鎖（如PEALD工藝）。
• 供應鏈依賴
• 關鍵零部件：靜電卡盤（ESC）、射頻電源等進口依賴度超90%，國產(chǎn)化率不足5%。
• 客戶認證周期：晶圓廠驗證周期長達18-24個月，國產(chǎn)設備需長期技術迭代以提升穩(wěn)定性。
• 市場競爭
• 國際巨頭壓制：應用材料、ASMI等占據(jù)全球80%以上高端市場，國產(chǎn)設備在價格、服務響應速度上仍處劣勢。

四、未來趨勢與機遇

• 政策與資本驅動
• 大基金三期：重點投向設備與材料領域，2025年國產(chǎn)設備采購補貼政策或加速替代進程。
• 地方扶持：無錫、上海等地設立創(chuàng)新中心，推動設備-制造協(xié)同研發(fā)（如無錫新港產(chǎn)業(yè)園）。
• 技術路徑演進
• 混合鍵合：3D集成需求推動混合鍵合設備市場增長，2030年全球規(guī)?；蜻_280億美元，國產(chǎn)廠商有望分羹。
• 第三代半導體：SiC/GaN器件擴產(chǎn)帶動ALD設備需求，國產(chǎn)廠商在高溫/高壓器件領域具備差異化優(yōu)勢。
• 產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
• 設備-制造深度綁定：中芯國際、長江存儲等晶圓廠優(yōu)先采購國產(chǎn)設備，縮短驗證周期40%。
• 零部件國產(chǎn)替代：海古德（ESC）、北方華創(chuàng)（真空系統(tǒng)）等突破關鍵部件，降低供應鏈風險。

最終高端薄膜沉積設備國產(chǎn)化已從“0-1”突破邁向“1-100”放量階段，ALD、PECVD等核心設備在成熟制程（28nm及以上）實現(xiàn)替代，但先進制程（14nm以下）仍需技術攻堅。未來3-5年，政策紅利、晶圓廠擴產(chǎn)及三維集成需求將驅動國產(chǎn)設備市占率提升至35%-40%，具備工藝覆蓋廣、供應鏈整合能力強的廠商（如拓荊科技、中微公司）將主導市場。