作者 | 喬鈺杰

編輯 | 袁斯來(lái)

近期，深圳遠(yuǎn)見智存科技有限公司發(fā)布其HBM3/3e高帶寬存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，提供12GB與24GB兩種容量規(guī)格，帶寬達(dá)819GB/s，對(duì)標(biāo)JEDEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)體系。

遠(yuǎn)見智存HBM3/3e產(chǎn)品規(guī)格（圖源/企業(yè)）

HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)）被視為當(dāng)前AI算力體系中的關(guān)鍵組件之一。在大模型規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大、訓(xùn)練與推理負(fù)載提升的背景下，算力芯片與內(nèi)存帶寬之間的瓶頸問題愈發(fā)突出，業(yè)內(nèi)通常將其稱為“內(nèi)存墻”。

HBM通過(guò)多層DRAM裸片堆疊及TSV（硅通孔）互連，實(shí)現(xiàn)較傳統(tǒng)DDR更高的帶寬與單位面積容量，已成為AI加速器與高性能計(jì)算系統(tǒng)的主流配置之一。據(jù)YOLE預(yù)測(cè)，2026年全球HBM市場(chǎng)規(guī)模將突破460億美元，2030年有望接近1000億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約33%。

此前，全球HBM市場(chǎng)長(zhǎng)期由SK海力士、三星、美光三家廠商主導(dǎo)，占據(jù)超過(guò)95%的市場(chǎng)份額。近年來(lái)，中國(guó)HBM相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)實(shí)力顯著提升，市場(chǎng)普遍認(rèn)為的多項(xiàng)瓶頸正在逐步突破，在這一背景下，遠(yuǎn)見智存的產(chǎn)品推進(jìn)可視為國(guó)內(nèi)廠商在HBM領(lǐng)域的重要階段性進(jìn)展。

此次發(fā)布的HBM3/3e產(chǎn)品，采用1024bit數(shù)據(jù)總線設(shè)計(jì)，相較DDR5的64bit接口實(shí)現(xiàn)數(shù)量級(jí)提升。產(chǎn)品具備兩大差異化優(yōu)勢(shì)：其一，通過(guò)優(yōu)化核心電路電壓域設(shè)計(jì)，整體功耗降低20%；其二，采用TSV冗余性布局和可修復(fù)性設(shè)計(jì)，芯片制造良率提升約8%，可實(shí)現(xiàn)同等產(chǎn)能下節(jié)省近十分之一的晶圓成本。

遠(yuǎn)見智存HBM3/3e產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)（圖源/企業(yè)）

團(tuán)隊(duì)方面，遠(yuǎn)見智存成立于2023年，專注于高帶寬存儲(chǔ)芯片（HBM），創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)自2016年前后即開始參與上一代HBM技術(shù)研發(fā)，是最早一批進(jìn)入該領(lǐng)域的工程團(tuán)隊(duì)之一 。目前公司在國(guó)內(nèi)設(shè)有多個(gè)研發(fā)中心，團(tuán)隊(duì)成員包括來(lái)自美光、爾必達(dá)等存儲(chǔ)廠商的工程師，具備一定國(guó)際化背景。

業(yè)務(wù)模式上，公司采用“芯片設(shè)計(jì)+晶圓代工+封裝測(cè)試”的Fabless模式，整套供應(yīng)鏈均由中國(guó)供應(yīng)商配套完成。值得注意的是，當(dāng)前，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司仍以傳統(tǒng)DRAM為主，高端HBM領(lǐng)域參與者相對(duì)有限。在此背景下，遠(yuǎn)見智存的HBM產(chǎn)品設(shè)計(jì)已覆蓋從DRAM Die到Base Die的完整鏈路，且完整持有相關(guān)邏輯與存儲(chǔ)部分的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，核心研發(fā)設(shè)計(jì)能力較為突出。

應(yīng)用側(cè)，公司當(dāng)前HBM3/3e產(chǎn)品已可應(yīng)用于AI全產(chǎn)業(yè)的訓(xùn)練與推理場(chǎng)景。隨著AI算力需求外溢，HBM也開始向車載計(jì)算、邊緣設(shè)備等場(chǎng)景探索。目前遠(yuǎn)見智存已著手進(jìn)行面向汽車車載、移動(dòng)穿戴、具身智能及無(wú)人設(shè)備等場(chǎng)景的定制化開發(fā)，未來(lái)，低功耗、高可靠性、小容量高帶寬等多元化產(chǎn)品將逐步落地。

從技術(shù)演進(jìn)看，HBM仍在快速迭代。公司披露的產(chǎn)品演進(jìn)路線顯示，2027年將推出定制版HBM及HBM+HBF融合架構(gòu)，面向大模型推理提供TB級(jí)容量方案；2028年計(jì)劃推出HBM4/4e，單顆帶寬提升至2.5TB/s；2029年規(guī)劃推出HBM5及存內(nèi)計(jì)算產(chǎn)品，探索“計(jì)算靠近數(shù)據(jù)”的架構(gòu)方向。

遠(yuǎn)見智存 產(chǎn)品規(guī)劃路線圖（圖源/企業(yè)）