前沿導(dǎo)讀

據(jù)聯(lián)合早報(bào)新聞指出，美國(guó)此前提議的MATCH法案已進(jìn)入投票推進(jìn)階段，美國(guó)本土存儲(chǔ)芯片制造商美光正在積極支持該法案的推進(jìn)，并要求政府采取更多措施遏制中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的市場(chǎng)發(fā)展。

存儲(chǔ)芯片

美光是繼韓國(guó)三星、SK海力士之后排名第三的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商，也是美國(guó)本土唯一具備先進(jìn)技術(shù)研發(fā)的存儲(chǔ)芯片企業(yè)。

2023年3月31日，中國(guó)部門依法對(duì)美光制造的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行安全審查。

2023年5月21日，中國(guó)部門宣布美光制造的存儲(chǔ)芯片存在網(wǎng)絡(luò)安全隱患，按照法規(guī)要求國(guó)內(nèi)的信息基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)營(yíng)者停止采購(gòu)美光的產(chǎn)品。

據(jù)觀察者網(wǎng)新聞指出，從2018年至2022年之間，美光逐年加大對(duì)政府的游說(shuō)力度，5年內(nèi)支出954萬(wàn)美元游說(shuō)政府官員，讓其對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)施限制，壓縮中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

美光重點(diǎn)針對(duì)的中國(guó)企業(yè)有4家，分別是福建晉化、臺(tái)灣聯(lián)電、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。并且中國(guó)大陸地區(qū)還有三星、SK海力士建設(shè)的合資晶圓工廠，而美光只在中國(guó)西安建設(shè)了一座封測(cè)廠。無(wú)論是中韓合資建設(shè)的存儲(chǔ)工廠，還是中國(guó)本土品牌的存儲(chǔ)工廠，都與美光形成了競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。

參考資料：
美光被審查背后，中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)要變天了？

• https://www.guancha.cn/economy/2023_04_04_686958_s.shtm

ai產(chǎn)業(yè)的發(fā)展推高了存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)需求，導(dǎo)致全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能都優(yōu)先滿足于ai產(chǎn)業(yè)的需求，這極大擠壓了消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)能，也順勢(shì)推高了消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)價(jià)格。

目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在積極擴(kuò)產(chǎn)，其閃存芯片的產(chǎn)能已經(jīng)占據(jù)了全球總市場(chǎng)10%的份額，正在對(duì)海外巨頭實(shí)現(xiàn)快速追趕。

并且長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2026年已建成一座新廠的基礎(chǔ)上，再建設(shè)兩座工廠，新工廠內(nèi)部的制造設(shè)備有很大一部分來(lái)自于國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈體系。一旦工廠產(chǎn)能全部跑滿，其單工廠的產(chǎn)能有望達(dá)到10萬(wàn)片，可以緩解國(guó)內(nèi)消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)芯片短缺的現(xiàn)狀。

而內(nèi)存制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的市場(chǎng)表現(xiàn)亮眼，2025年前三季度營(yíng)收達(dá)320.84億元，同比增長(zhǎng)97.79%，毛利率從上半年的12.72%躍升至35%，市場(chǎng)份額從約3.97%提升至約5%，穩(wěn)居全球第四大DRAM供應(yīng)商。

閃存芯片與內(nèi)存芯片的制造方式有差別，閃存芯片需要多層數(shù)垂直的顆粒堆疊，每層的堆疊圖案樣式一致，不太依賴于EUV這種最尖端的設(shè)備，更多則是依賴于先進(jìn)的刻蝕和沉積工藝。

而內(nèi)存芯片每層的圖案不一致，其存儲(chǔ)單元由1個(gè)晶體管加上1個(gè)電容構(gòu)成，所以對(duì)高分辨率的光刻機(jī)以及高深寬比的刻蝕機(jī)有需求。

制裁法案

美國(guó)現(xiàn)在所推動(dòng)的MATCH法案，重點(diǎn)針對(duì)華為、中芯國(guó)際、華虹、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)這5家中國(guó)企業(yè)實(shí)施全面的出口管制。

禁止美國(guó)企業(yè)向這些中國(guó)企業(yè)繼續(xù)制造設(shè)備，哪怕是制造成熟芯片也不可以。同時(shí)還要求荷蘭ASML、日本東京電子等盟友國(guó)企業(yè)在150天內(nèi)對(duì)齊美國(guó)的制裁標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)論是制造先進(jìn)芯片所需的設(shè)備，還是制造成熟芯片所需的設(shè)備，均不允許繼續(xù)出口給這5家中國(guó)企業(yè)。

ASML制造的DUV光刻機(jī)，東京電子制造的低溫刻蝕機(jī)是此次法案的重點(diǎn)管制設(shè)備。

美國(guó)此前已經(jīng)封鎖了制造先進(jìn)芯片所需的先進(jìn)浸潤(rùn)式光刻機(jī)，新法案則是在之前的基礎(chǔ)上，將范圍擴(kuò)大到了制造成熟芯片的光刻機(jī)上面。試圖將對(duì)華制裁的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)從之前的14nm節(jié)點(diǎn)， 擴(kuò)大到28nm節(jié)點(diǎn)。

東京電子制造的低溫刻蝕機(jī)，則是應(yīng)用于制造更高規(guī)格的3D NAND閃存芯片。

封鎖這兩種設(shè)備的對(duì)華出口，直接影響的就是中國(guó)企業(yè)在邏輯芯片以及存儲(chǔ)芯片上面的產(chǎn)能擴(kuò)充。

并且針對(duì)中國(guó)企業(yè)手中此前采購(gòu)的設(shè)備，MATCH法案也會(huì)對(duì)其實(shí)施更加嚴(yán)格的售后限制政策。禁止相關(guān)的設(shè)備供應(yīng)商向中國(guó)企業(yè)提供技術(shù)支持，也不允許向中國(guó)企業(yè)提供相應(yīng)的耗材零件。

7nm及以下邏輯芯片、DRAM內(nèi)存芯片對(duì)于尖端光刻機(jī)有著技術(shù)需求，3D NAND閃存芯片則是對(duì)于較差一些的浸潤(rùn)式光刻機(jī)以及先進(jìn)刻蝕機(jī)有著技術(shù)需求，這些所需的技術(shù)設(shè)備都是美國(guó)此次MATCH法案重點(diǎn)針對(duì)的產(chǎn)品。

美光是一家集閃存和內(nèi)存技術(shù)于一體的芯片制造商，三星、SK海力士這種韓國(guó)企業(yè)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能依賴于中國(guó)大陸工廠，但是大陸工廠被美國(guó)施加了出口管制，無(wú)法獲得最尖端的設(shè)備，這阻礙了韓國(guó)企業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)充。

如今的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)格局已經(jīng)從美韓企業(yè)雙寡頭的局面，演變成了中國(guó)企業(yè)的三方競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)企業(yè)成為了撬動(dòng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的杠桿。一旦中國(guó)企業(yè)將存儲(chǔ)芯片的技術(shù)和產(chǎn)能提升上來(lái)，身處三星、SK海力士之后全球市場(chǎng)排名第三的美光，將會(huì)是中國(guó)企業(yè)首要超過(guò)的對(duì)象。