9月16日，聯(lián)發(fā)科宣布其首款采用臺(tái)積電2納米制程的旗艦SoC已完成設(shè)計(jì)流片，預(yù)計(jì)2026年底量產(chǎn)。這一里程碑標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)正式邁入2納米時(shí)代，而聯(lián)發(fā)科與臺(tái)積電的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，或?qū)⒅匦露x移動(dòng)芯片的性能天花板。

臺(tái)積電2納米制程首次引入的納米片（Nanosheet）晶體管結(jié)構(gòu)，堪稱半導(dǎo)體工藝的革命性突破。相較于現(xiàn)有的N3E制程，新工藝在邏輯密度上提升1.2倍，相同功耗下性能增強(qiáng)18%，而同等性能表現(xiàn)時(shí)功耗降低36%。這些數(shù)字背后，是智能手機(jī)、AI設(shè)備乃至自動(dòng)駕駛系統(tǒng)即將迎來(lái)的體驗(yàn)躍遷——更強(qiáng)勁的算力、更持久的續(xù)航，以及更精妙的能效平衡。

聯(lián)發(fā)科此次搶灘2納米賽道，展現(xiàn)了其在移動(dòng)芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略前瞻性。作為首批擁抱這項(xiàng)尖端技術(shù)的企業(yè)，聯(lián)發(fā)科不僅鞏固了其在高端SoC市場(chǎng)的地位，更為5G-A時(shí)代的多模態(tài)交互、實(shí)時(shí)渲染等高負(fù)載場(chǎng)景鋪就了硬件基礎(chǔ)。值得注意的是，這款芯片預(yù)計(jì)2026年底上市的時(shí)間節(jié)點(diǎn)，恰與全球AI手機(jī)普及潮、車載計(jì)算需求爆發(fā)期形成共振，或?qū)⒋呱乱惠啌Q機(jī)浪潮。

這場(chǎng)制程競(jìng)賽的意義遠(yuǎn)超參數(shù)比拼。2納米工藝的突破，本質(zhì)上是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在物理極限邊緣的又一次突圍。從FinFET到納米片結(jié)構(gòu)的演進(jìn)，不僅是技術(shù)路線的革新，更折射出全球科技公司對(duì)算力基建的極致追求。當(dāng)聯(lián)發(fā)科與臺(tái)積電攜手將摩爾定律推向新高度，我們迎來(lái)的將是一個(gè)終端設(shè)備智能躍遷、邊緣計(jì)算無(wú)處不在的新紀(jì)元。