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按存儲(chǔ)（NAND/DRAM）、晶圓代工（先進(jìn)/成熟節(jié)點(diǎn)）、先進(jìn)封裝分類呈現(xiàn)：

一、NAND 存儲(chǔ)

- 整體趨勢：2025 年 3xxL 工藝量產(chǎn)，通過技術(shù)升級(jí)管理供應(yīng)，位增長（bit growth）逐步恢復(fù)。

- 廠商動(dòng)態(tài)：

- 三星：236L 產(chǎn)能；向中國出口先進(jìn)設(shè)備的 VEU 豁免被撤銷（中性/負(fù)面）。

- 鎧俠/閃迪：218L 產(chǎn)能；西安 Fab 升級(jí)至 P4 NAND 推遲至 2026（中性/負(fù)面）；北上市 Fab2 2026 上半年量產(chǎn)；WD 剝離 NAND 業(yè)務(wù)；2025 聯(lián)合資本支出同比 -25%（中性/負(fù)面）。

- SK 海力士：321L QLC 2025Q3 量產(chǎn)（積極）。

- 美光：大連工廠 VEU 豁免被撤銷（中性/負(fù)面）；2025 NAND 資本支出下調(diào)。

- 長江存儲(chǔ)：234L 2025Q1 量產(chǎn)，產(chǎn)能+15%（積極）；計(jì)劃 2025 下半年推“全本土化”O(jiān)EM 產(chǎn)線；>300L 受美設(shè)備出口限制挑戰(zhàn)（中性/負(fù)面）。

二、DRAM 存儲(chǔ)

- 整體趨勢：HBM 推動(dòng)支出擴(kuò)張以支撐 AI；4F2 技術(shù)開發(fā)中。

- 廠商動(dòng)態(tài)：

- 三星：1b nm 產(chǎn)能；平澤 P3 擴(kuò) EUV 產(chǎn)能；HBM 從 1z→1c 遷移（積極）。

- SK 海力士：1c nm 產(chǎn)能；無錫工廠 VEU 豁免被撤銷（中性/負(fù)面）；加速 M15x 建設(shè)；聚焦高帶寬內(nèi)存（積極）。

- 美光：1β nm 產(chǎn)能；2025 資本支出占營收 30%（DRAM/HBM 為主）；日本 Fab 升級(jí)支持 1γ 量產(chǎn)；美國制造回流+300 億美元（積極）；新博伊西/新加坡 Fab 2027 投產(chǎn)（積極）。

- 長鑫存儲(chǔ)：1y 量產(chǎn)、1z 延遲；合肥 Fab 接近 BIS 節(jié)點(diǎn)限制（中性/負(fù)面）；

- 其他：長江存儲(chǔ)布局 DRAM（HBM 目標(biāo)，積極）；南亞新 Fab 2026 量產(chǎn)（積極）；華邦高雄 P1 量產(chǎn)緩慢（中性/負(fù)面）。

三、晶圓代工/邏輯芯片（≤16nm 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)）

- 整體趨勢：領(lǐng)先/成熟節(jié)點(diǎn)投資明確；晶圓廠利用率恢復(fù)。

- 廠商動(dòng)態(tài)：

- 臺(tái)積電：3nm 產(chǎn)能；2025 資本支出>400 億美元（2026 年或超 400 億，積極）；美國總投資 1650 億美元，亞利桑那 Fab 量產(chǎn)加速（積極）；AZ Fab1（4nm/2025）、F2（3nm/2026）、F3（2nm/2027）；日本 Fab2（6nm/2027）。

- 英特爾：4nm 產(chǎn)能；2025/26 資本支出削減（中性/負(fù)面）；亞利桑那 18A 2025Q3 量產(chǎn)（積極）。

- 三星：3nm GAA 產(chǎn)能；2025 資本支出縮減（中性/負(fù)面）；龍仁規(guī)劃 5 座邏輯 Fab（20 年/2300 億美元）。

- Rapidus：2nm GAA 產(chǎn)能；2027 量產(chǎn)目標(biāo)；2025 資本支出 30-40 億→2026 年~80 億（積極）。

- 格芯：14nm 產(chǎn)能；馬耳他新 Fab 規(guī)劃（時(shí)間 TBD）。

- 中芯國際：<14nm 產(chǎn)能；向國內(nèi)廠商交付 7/5nm 以規(guī)避美限制（積極）。

四、晶圓代工/邏輯芯片（≥20nm 成熟節(jié)點(diǎn)）

- 廠商動(dòng)態(tài)：

- 臺(tái)積電：22/28nm 產(chǎn)能；日本 JV Fab 按時(shí)量產(chǎn)；德累斯頓 Fab 2027 年底投產(chǎn)（積極）。

- 聯(lián)電：28nm 產(chǎn)能；2025 資本支出~18 億美元，新加坡量產(chǎn)推遲至 2026（中性/負(fù)面）。

- 中芯國際：28nm 產(chǎn)能；2025 高支出（~70 億美元，積極）。

- 力積電：>28nm 產(chǎn)能；新通霄 Fab（+19K）量產(chǎn)；向塔塔（印度）出售技術(shù)許可（積極）。

- 格芯：28nm FDSOI 產(chǎn)能；德累斯頓 Fab 產(chǎn)能翻倍（2032 完成，積極）；與 ST 合作暫停（中性/負(fù)面）。

- 其他：德州儀器謝爾曼擴(kuò)產(chǎn)（積極）；國內(nèi) CanSemi/華虹等擴(kuò)產(chǎn)（積極）；意法 Crolles 項(xiàng)目暫停（中性/負(fù)面）；塔塔 Fab 2026 投產(chǎn)（積極）。

五、先進(jìn)封裝

- 廠商動(dòng)態(tài)：

- 臺(tái)積電：資本支出 40-80 億美元（CoWoS 擴(kuò)產(chǎn)支撐 AI，積極）；美國先進(jìn)封裝 Fab 2027 投產(chǎn)（積極）。

- 英特爾：關(guān)閉哥斯達(dá)黎加站點(diǎn)；取消波蘭 Fab 計(jì)劃（2027，中性/負(fù)面）。

- 格芯：馬耳他新增先進(jìn)封測產(chǎn)能（積極）。

- SK 海力士：印第安納 HBM Fab 2028 投產(chǎn)（積極）。