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高壓LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）是功率IC的“核心肌肉單元”，通過橫向電流傳輸+漂移區(qū)耐壓設(shè)計，實現(xiàn)80V-1200V高壓耐受能力，同時兼顧低導(dǎo)通電阻（R_{on,sp）與高頻特性，廣泛應(yīng)用于汽車電子（48V電源、電機驅(qū)動）、工業(yè)電源（AC-DC轉(zhuǎn)換）、射頻功率放大（5G基站）等場景。其核心價值在于解決“高壓耐壓”與“低導(dǎo)通損耗”的矛盾，通過電場、熱場、載流子輸運的協(xié)同優(yōu)化，支撐大功率、高效率的電力轉(zhuǎn)換與信號放大。

典型流程基于外延襯底+多步摻雜+隔離增強+場調(diào)控技術(shù)

①襯底與埋層制備：耐壓基礎(chǔ)

• 襯底選擇：主流采用P?重摻雜襯底+P?輕摻雜外延層（P-epi），外延層電阻率0.5-2Ω·cm、厚度5-15μm（耐壓越高，外延層越厚）。例如Dongbu HiTek的BD180工藝使用7Ω·cm的P-epi/P?襯底，支撐60V LDMOS；UESTC的700V BCD工藝則直接采用80-130Ω·cm的P型單晶襯底，省去外延步驟（全注入工藝），降低成本。

• 埋層（NBL）注入：通過Sb（銻）離子注入形成N?埋層（濃度1e19-5e19/cm3），用于：①垂直NPN晶體管的集電極；②高壓LDMOS的隔離與電流引導(dǎo)。BD180工藝的NBL可有效避免高壓LDMOS的穿通擊穿，提升高側(cè)器件可靠性。

  
  

②高壓阱（HV Well）與漂移區(qū)摻雜：電場調(diào)控核心

• HV Well形成：采用兩次離子注入形成HVNWELL（N型高壓阱）與HVPWELL（P型高壓阱），分別對應(yīng)N-ch LDMOS與P-ch LDMOS的耐壓區(qū)。BD180工藝的HVNWELL設(shè)計擊穿電壓85V，HVPWELL達100V，通過調(diào)整注入劑量（N型：1e12-5e12/cm2，P型：5e11-2e12/cm2）與退火溫度（850-950℃），實現(xiàn)阱區(qū)深度5-8μm，為漂移區(qū)提供“電場緩沖”。

• 漂移區(qū)優(yōu)化：

• • 低摻雜N?漂移區(qū)（濃度1e15-5e15/cm3）是耐壓關(guān)鍵，通過RESURF（降低表面電場）技術(shù)實現(xiàn)電荷平衡——例如在N?漂移區(qū)下方注入P型埋層（濃度1e16/cm3），使橫向耗盡層與縱向耗盡層匹配，避免表面電場集中。UESTC的700V LDMOS通過double RESURF技術(shù)，將漂移區(qū)表面電場均勻化至20V/μm，擊穿電壓提升至800V。

  • 階梯摻雜漂移區(qū)（Step Drift）：采用多級濃度梯度（如1e16→5e15→1e15/cm3），在相同耐壓下縮短漂移區(qū)長度（如從20μm減至12μm），$$R_{on,sp$$降低40%。

③雙擴散（Double Diffusion）：溝道精準(zhǔn)控制

LDMOS的核心工藝創(chuàng)新是兩次擴散突破光刻極限，實現(xiàn)亞微米級溝道（0.3-0.5μm）：

• 第一次擴散（P-body）：注入B（硼，濃度1e15-5e15/cm3），形成P型體區(qū)，定義溝道的“源極側(cè)邊界”；

• 第二次擴散（N?源/漏）：注入P（磷，濃度1e17-1e18/cm3），形成N?源區(qū)與漏區(qū)，其中源區(qū)與P-body的摻雜差定義溝道長度（無需依賴光刻精度）。BD180工藝的1.8V CMOS與5V CMOS通過雙擴散實現(xiàn)0.18μm溝道，與高壓LDMOS工藝兼容。

④ 隔離與柵極工藝：抑制串?dāng)_與增強可靠性

• 隔離技術(shù)：

• • 深溝槽隔離（DTI）：刻蝕深度5-10μm的溝槽，填充SiO?，實現(xiàn)高壓LDMOS與低壓CMOS的電氣隔離，降低寄生電容。ST的BCD工藝中，DTI可將隔離電阻提升至1e9Ω，避免高壓串?dāng)_；

  • 場隔離環(huán)（FIR）：圍繞高壓LDMOS的P?環(huán)注入，進一步抑制襯底電流，提升ESD robustness（摘要5）。

• 柵極與場板設(shè)計：

• • 柵極：采用多晶硅柵（厚度150-200nm），柵氧厚度根據(jù)電壓等級調(diào)整（7V LDMOS：10nm；600V LDMOS：50nm），BD180工藝的柵氧擊穿電壓達34V（MIM電容）；

  • 場板（Field Plate）：多晶硅/金屬場板延伸至漂移區(qū)（覆蓋長度占漂移區(qū)30%-50%），將漏端峰值電場從3e5 V/cm降至1.5e5 V/cm，擊穿電壓提升20%-30%（摘要1）。英飛凌的高壓LDMOS通過“多段場板+氧化層階梯”，進一步優(yōu)化電場分布。

⑤金屬化與鈍化：降低導(dǎo)通損耗與增強可靠性

• 金屬化：采用多層金屬（最多6層），頂層金屬厚度2.7-5μm（如BD180工藝），降低金屬線電阻；源極采用“叉指型布局”，增大電流擴展面積，減少電流擁擠效應(yīng)；

• 鈍化：采用Si?N?+SiO?疊層鈍化，保護柵氧與漂移區(qū)，抵抗離子遷移與濕氣侵蝕，700V LDMOS的鈍化層擊穿電壓達88V。

高壓LDMOS制造核心難點

1. 高壓與低壓器件的工藝兼容（BCD集成場景）

BCD工藝中，高壓LDMOS（80-1200V）與低壓CMOS（1.8-5V）、BJT需共享流程，難點在于：

• 摻雜沖突：高壓LDMOS的低摻雜漂移區(qū)與低壓CMOS的高摻雜源漏區(qū)需避免相互污染，需通過“掩膜隔離+注入角度控制”實現(xiàn)。例如采用“深溝槽隔離（DTI）+電荷耦合結(jié)構(gòu)”，在48V汽車BCD芯片中實現(xiàn)高壓LDMOS與1.8V邏輯CMOS的隔離，串?dāng)_電壓<50mV；

• 熱預(yù)算矛盾：高壓LDMOS的退火溫度（850-950℃）可能導(dǎo)致低壓CMOS的閾值電壓漂移，需優(yōu)化退火時間（30-60s）與氛圍（N?/O?混合），BD180工藝通過“分段退火”（低溫激活+高溫推進），使1.8V NMOS的閾值電壓漂移<0.05V。

超結(jié)（SJ-LDMOS）通過交替N柱/P柱實現(xiàn)電荷平衡，是600V以上高壓LDMOS的主流結(jié)構(gòu)，但制造難點在于：

• P柱摻雜均勻性：傳統(tǒng)SJ-LDMOS的P柱需與N柱嚴(yán)格匹配（電荷平衡比1:1），否則會導(dǎo)致電場集中。摘要4提出“部分輕摻雜P柱（PD SJ-LDMOS）”，通過P柱濃度梯度（1e15→5e14/cm3）抑制襯底輔助耗盡效應(yīng)，當(dāng)漂移長度15μm時，表面電場均勻性提升30%，擊穿電壓達300V；

• 深槽刻蝕精度：SJ-LDMOS的N/P柱需通過深槽刻蝕（深度5-8μm）形成，刻蝕垂直度（>89.5°）與側(cè)壁粗糙度（<5nm）直接影響耐壓，ST的MDmesh工藝通過“等離子體刻蝕+側(cè)壁鈍化”，將深槽刻蝕偏差控制在±0.1μm。

高壓LDMOS工作時，漂移區(qū)與漏區(qū)易產(chǎn)生局部熱點（結(jié)溫>150℃），導(dǎo)致載流子遷移率下降、$$R_{on,sp$$增大，制造難點在于：

• 熱阻降低：傳統(tǒng)體硅LDMOS的熱阻（$$R_{th$$）約5-10℃/W，需集成局部SOI或DTI結(jié)構(gòu)。摘要1提到，采用“DTI+SiC局部襯底”（ST的SILICARB技術(shù)），將$$R_{th$$降至1.5-3℃/W，20A連續(xù)工作時結(jié)溫波動<15℃；

• 布局優(yōu)化：漏區(qū)采用“圓形/橢圓形”設(shè)計（曲率半徑>5μm），避免電流擁擠導(dǎo)致的局部過熱，對稱氧化溝槽LDMOS通過“溝槽分散電流路徑”，熱點溫度降低25%。

  
  

高壓LDMOS面臨“熱載流子注入（HCI）”“時間相關(guān)介質(zhì)擊穿（TDDB）”等可靠性問題，制造難點在于：

• 熱載流子抑制：漏區(qū)與漂移區(qū)的摻雜梯度需平緩，避免電場集中導(dǎo)致的載流子加速。中ST的MDmesh工藝通過“漸變N?漏區(qū)（濃度1e17→5e16/cm3）”，將熱載流子注入率降低40%，器件壽命提升至1e6小時；

• 柵氧可靠性：高壓LDMOS的柵氧厚度大（50-100nm），但長期高壓應(yīng)力下易產(chǎn)生氧空位。的700V工藝通過“柵氧生長后N?O退火”，將柵氧陷阱密度降至1e10/cm2，TDDB壽命提升至1e5小時（125℃，50%額定電壓）。

海外龍頭企業(yè)的高壓LDMOS工藝實踐

ST、英飛凌、TI等海外龍頭通過“IDM模式+結(jié)構(gòu)創(chuàng)新+工藝垂直整合”，主導(dǎo)高壓LDMOS技術(shù)方向

1. ST（意法半導(dǎo)體）：超結(jié)與材料創(chuàng)新

ST以MDmesh超結(jié)技術(shù)為核心，構(gòu)建STPOWER品牌的高壓LDMOS產(chǎn)品線，關(guān)鍵策略：

• 超結(jié)結(jié)構(gòu)優(yōu)化：MDmesh系列采用“深槽刻蝕N/P柱+部分輕摻雜P柱”，實現(xiàn)電荷平衡比1:1.05，600V LDMOS的$$R_{on,sp$$低至5mΩ·cm2，F(xiàn)OM（$$BV2/R_{on,sp$$）達72MW/cm2；

• SiC異質(zhì)集成：推出SILICARB技術(shù)，在硅基LDMOS的漂移區(qū)局部嵌入SiC襯底（熱導(dǎo)率490W/m·K，是硅的3倍），1200V LDMOS的$$R_{th$$降至1.2℃/W，適用于新能源汽車的OBC（車載充電機）；

• BCD全集成：將MDmesh LDMOS與CMOS、BJT集成于BCD工藝，例如汽車48V電源芯片中，集成60V LDMOS（電機驅(qū)動）、5V CMOS（邏輯控制）、BJT（過流保護），芯片面積減少30%，效率達98.5%。

  
  

英飛凌聚焦“高壓+高頻”場景，以COOLMOSTM超結(jié)技術(shù)與三維堆疊為核心：

• 超結(jié)工藝突破：COOLMOSTM采用“多步注入形成N/P柱”，避免深槽刻蝕的側(cè)壁缺陷，1200V LDMOS的$$R_{on,sp$$低至3.2mΩ·cm2，適用于工業(yè)變頻器；

• 射頻LDMOS創(chuàng)新：5G基站用GaN-on-Si LDMOS，通過“GaN異質(zhì)結(jié)+場板優(yōu)化”，28GHz頻段的PAE（功率附加效率）達65%，優(yōu)于傳統(tǒng)硅基LDMOS的50%；

• 三維集成（TSV）：采用硅通孔（TSV）將多顆LDMOS垂直堆疊（MultiPower技術(shù)），電流密度提升3倍（達300A/cm2），適用于大功率服務(wù)器電源。

TI以Fusion BCD工藝為核心，實現(xiàn)高壓LDMOS與低壓電路的深度集成：

• 工藝兼容性設(shè)計：Fusion工藝支持1.8V/5V CMOS、60-120V LDMOS、EEPROM的單片集成，通過“共享HV Well+DTI隔離”，減少掩膜步驟至10步（傳統(tǒng)工藝15步），成本降低20%；

• 汽車級可靠性強化：針對汽車電子，優(yōu)化LDMOS的“源極叉指布局+鈍化層”，ESD防護能力達8kV（HBM），工作溫度范圍-40℃~150℃，滿足AEC-Q100 Grade 0標(biāo)準(zhǔn)；

• 系統(tǒng)級功能集成：在48V汽車DC-DC芯片中，集成120V LDMOS（功率開關(guān)）、電流采樣電阻、過溫保護電路，轉(zhuǎn)換效率達98.8%，體積減少40%。

高壓LDMOS的工藝核心是“電場調(diào)控+熱管理+兼容性設(shè)計”，海外龍頭通過超結(jié)結(jié)構(gòu)、材料創(chuàng)新、IDM垂直整合構(gòu)建技術(shù)壁壘；