11月23日，長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司市場(chǎng)中心負(fù)責(zé)人駱曉東在第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)（IC China 2025）同期舉辦的第七屆全球IC企業(yè)家大會(huì)上表示，中國(guó)需要建立穩(wěn)定的國(guó)產(chǎn)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片）產(chǎn)能供應(yīng)鏈,以減少對(duì)海外廠商的產(chǎn)能依賴。未來(lái)一段時(shí)間，LPDDR5X和DDR5將作為移動(dòng)和服務(wù)器市場(chǎng)的雙引擎，引領(lǐng)行業(yè)升級(jí)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在IC China 2025上正式發(fā)布了其最新DDR5系列產(chǎn)品，最高速率達(dá)8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

DRAM內(nèi)存芯片是數(shù)字時(shí)代不可或缺的基礎(chǔ)原件。駱曉東表示，在過(guò)去幾十年里，市場(chǎng)在不斷變革，從PC時(shí)代到移動(dòng)手機(jī)時(shí)代，再到數(shù)據(jù)中心以及最近非常熱門的人工智能時(shí)代，整個(gè)產(chǎn)業(yè)周期的需求也將伴隨結(jié)構(gòu)升級(jí)不斷演變。

駱曉東認(rèn)為，DRAM產(chǎn)業(yè)具備三個(gè)明顯的特征：一是高投資，每個(gè)DRAM產(chǎn)線動(dòng)輒需要投入數(shù)百億美元，涵蓋設(shè)備、廠房建設(shè)、研發(fā)等各個(gè)環(huán)節(jié)，資本壁壘極高；二是高壟斷，過(guò)去幾年，全球幾十家DRAM廠商的市場(chǎng)份額都在縮減，三大DRAM廠商（SK海力士、三星電子和美光科技）占據(jù)90%以上的市場(chǎng)份額，行業(yè)集中度非常高；三是強(qiáng)周期，DRAM的價(jià)格隨著供需變化會(huì)出現(xiàn)非常大的波動(dòng)，產(chǎn)業(yè)周期波動(dòng)的幅度遠(yuǎn)超其他行業(yè)。

“，在這個(gè)由AI需求爆發(fā)所帶來(lái)的新周期內(nèi)，DRAM需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，產(chǎn)能增加遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上需求增加，這對(duì)市場(chǎng)供給、價(jià)格變化都帶來(lái)了巨大影響。”駱曉東說(shuō)道。他指出，當(dāng)下DRAM市場(chǎng)供不應(yīng)求的狀況對(duì)下游客戶和行業(yè)帶來(lái)了極大的挑戰(zhàn)。中國(guó)需要有非常穩(wěn)定的國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)能供應(yīng)，通過(guò)產(chǎn)能提升和規(guī)模效應(yīng)來(lái)減少對(duì)海外廠商的產(chǎn)能依賴。

駱曉東表示，回顧國(guó)產(chǎn)DRAM發(fā)展史，產(chǎn)業(yè)發(fā)展長(zhǎng)期面臨三大壁壘：首先是技術(shù)壁壘，1970年英特爾推出的DRAM芯片1103奠定了整個(gè)行業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，此后半個(gè)世紀(jì)以來(lái)競(jìng)爭(zhēng)格局不斷發(fā)生變化，但是后面資本壟斷的本質(zhì)從未改變，海外廠商通過(guò)差異化技術(shù)路線砌起非常高的技術(shù)壁壘；同時(shí)在這樣的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境下，經(jīng)過(guò)幾十年的行業(yè)沉淀形成了非常封閉的人才梯隊(duì)，而中國(guó)本土的DRAM設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、研發(fā)、運(yùn)營(yíng)人才都非常欠缺；第三是市場(chǎng)壁壘，DRAM作為大宗商品，新玩家既要突破資本的門檻，更要應(yīng)對(duì)巨頭的規(guī)模擠壓、價(jià)格以及產(chǎn)能調(diào)控帶來(lái)的市場(chǎng)波動(dòng)。

據(jù)了解，作為中國(guó)大陸首個(gè)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的DRAM廠商，長(zhǎng)鑫填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)DRAM的產(chǎn)業(yè)空白。經(jīng)過(guò)過(guò)去9年的持續(xù)破壁，長(zhǎng)鑫取得了技術(shù)及產(chǎn)品的持續(xù)創(chuàng)新和演進(jìn)。

產(chǎn)線建設(shè)方面，長(zhǎng)鑫在合肥、北京建成了兩大生產(chǎn)基地。其中，合肥生產(chǎn)基地是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)集群核心承載地，已集聚了眾多產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，形成了設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試、裝備、材料的全產(chǎn)業(yè)鏈路格局。北京生產(chǎn)基地則依托京津冀產(chǎn)業(yè)集群快速鏈接上下游資源，疊加頭部企業(yè)，聚焦產(chǎn)學(xué)研協(xié)同緊密的優(yōu)勢(shì)，為DRAM技術(shù)迭代、高端人才引育提供核心支撐。

產(chǎn)品方面，當(dāng)前長(zhǎng)鑫已完成從DDR4到DDR5、從LPDDR4X到LPDDR5X的產(chǎn)能與技術(shù)雙重迭代，為市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè)升級(jí)提供創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案。DDR（計(jì)算機(jī)內(nèi)存的一種類型）產(chǎn)品線已首發(fā)國(guó)產(chǎn)自主設(shè)計(jì)生產(chǎn)的DDR5產(chǎn)品，速率最高可達(dá)8000Mbps，能夠大幅緩解高算力需求下的“內(nèi)存墻”瓶頸。同時(shí)24Gb的大容量顆粒為構(gòu)建高密度服務(wù)器模組提供支持，響應(yīng)數(shù)據(jù)中心對(duì)海量數(shù)據(jù)處理的迫切需求，并推出7大模組矩陣，適配多元場(chǎng)景的海量算力需求。LPDDR（用于移動(dòng)設(shè)備的低功耗內(nèi)存）產(chǎn)品線在今年10月推出的LPDDR5X最高速率達(dá)到10667Mbps，躍居世界頂尖水平，產(chǎn)品覆蓋12GB至32GB的豐富組合，并通過(guò)封裝創(chuàng)新滿足手機(jī)小型化、輕薄化以及支持端側(cè)算力等需求。基于對(duì)整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)的深度分析，駱曉東判斷LPDDR5X和DDR5將作為移動(dòng)和服務(wù)器市場(chǎng)的雙引擎，在接下去的幾年內(nèi)扮演重要的角色，同時(shí)也將帶動(dòng)整個(gè)行業(yè)的升級(jí)。

“過(guò)去爾必達(dá)因?yàn)檫^(guò)度執(zhí)著于技術(shù)迭代，忽視市場(chǎng)需求變化與成本控制，最終陷入了困境，這一教訓(xùn)讓我們堅(jiān)信技術(shù)脫離市場(chǎng)便是無(wú)源之水，市場(chǎng)缺少技術(shù)則是無(wú)進(jìn)階之力。我們要以突破物理邊界的魄力探索未來(lái)，更要順應(yīng)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)的務(wù)實(shí)篤行不怠，在超高速率的移動(dòng)賽道樹(shù)立國(guó)產(chǎn)標(biāo)桿，用穩(wěn)定安全為服務(wù)器的生態(tài)筑牢算力根基，讓技術(shù)創(chuàng)新更貼合市場(chǎng)脈搏，讓產(chǎn)品落地回應(yīng)真實(shí)需求?！瘪槙詵|表示，“在內(nèi)存芯片本土化的過(guò)程中，長(zhǎng)鑫既要做敢闖敢試的破局者，又要做腳踏實(shí)地的深耕者，始終堅(jiān)持技術(shù)貼合市場(chǎng)方能行穩(wěn)致遠(yuǎn)的初心，為中國(guó)半導(dǎo)體的自主崛起書寫創(chuàng)新的篇章?！?/p>

在IC China 2025博覽會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還展示了最高速率達(dá)10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb的最新LPDDR5X移動(dòng)端內(nèi)存。

作者 丨宋婧

編輯丨趙晨

美編丨馬利亞

監(jiān)制丨連曉東

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