近日，臺灣經(jīng)濟研究院一位總監(jiān)斷言中方制造先進芯片能力已觸天花板，稱動用所有資源才勉強搞定7nm，若想進一步突破至少要等五年，還認為西方卡住光刻機脖子，中國半導體產(chǎn)業(yè)只能原地打轉(zhuǎn)。然而，這種觀點是脫離現(xiàn)實的主觀臆斷。

此前也總有一些人在中方硬科技取得突破時，立刻劃定所謂“極限”。曾經(jīng)他們斷言中國造不出盾構(gòu)機、搞不定航母阻攔索，事實卻一次次打了他們的臉，如今在芯片領(lǐng)域又故技重施。

從技術(shù)創(chuàng)新角度看，中國芯片產(chǎn)業(yè)已取得顯著進展。華為早在三年前申請的一項技術(shù)專利就展示了強大潛力。據(jù)南華早報12月5日披露，華為能用DUV光刻機做出2nm芯片制造工藝路線，繞開了被美國全面封鎖的EUV設(shè)備。

該專利有兩大核心突破，一是金屬間距的集成技術(shù)，即便光刻技術(shù)難以短時間突破，但縮小金屬間距就能在微小晶圓上集成更多晶體管，從而實現(xiàn)先進制程芯片制造技術(shù)突破。二是DUV的多重曝光優(yōu)化，在沒有EUV的情況下，通過DUV多次曝光并結(jié)合“自對準成像”等手段，將圖形精度刻到極限。

雖然華為目前還不能大規(guī)模量產(chǎn)2nm芯片，在良率和成本上存在挑戰(zhàn)，但這條技術(shù)路線若跑通，用于量產(chǎn)7nm、5nm甚至未來穩(wěn)定的3nm芯片完全可行。

在芯片良品率方面，中國同樣成果斐然?？茖W家通過冷凍抓拍技術(shù)找到芯片良品率不足的根源，即光刻膠上的小疙瘩影響電路通電，通過升溫和沖刷方式清除這些小疙瘩，使芯片良品率近乎達到完美水平。

這意味著中國芯片成本將大幅下降，在全球芯片市場競爭力顯著提升。有國外媒體認為中國即將改寫全球芯片市場格局，曾經(jīng)以美國主導設(shè)備造芯片的硬實力時代或?qū)⑦^去，中國迎來優(yōu)化迭代造更好芯片產(chǎn)品的軟實力時代。

從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢來看，“十五五”時期中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景樂觀。預計這一時期中國集成電路產(chǎn)業(yè)將持續(xù)高速增長，人工智能芯片需求快速上升，3 - 5納米尖端制程有望實現(xiàn)突破，22納米以下制程實現(xiàn)國產(chǎn)化“貫通”，裝備、材料、軟件和EDA工具等自主可控水平將大幅提高。

“卡脖子”問題解決和“國產(chǎn)替代”進程也會進一步加速。超越摩爾定律和人工智能技術(shù)正驅(qū)動集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式創(chuàng)新，多種技術(shù)和工藝創(chuàng)新不斷涌現(xiàn)，為中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了新機遇和途徑。

事實上，美國等西方國家對中國集成電路產(chǎn)業(yè)的全面打壓由來已久，企圖通過技術(shù)、人才、產(chǎn)品等全方位遏制，阻斷中國產(chǎn)業(yè)成長。但正是這種外部壓力，激發(fā)了中國芯片產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新的決心和動力。

美國在近期的談判當中，為減輕出口管制所帶來的經(jīng)濟損失，美國開始對中國企業(yè)的出口管制時松時緊。先封鎖了英偉達H20芯片對華出口，然后以收繳英偉達在華收入的15%為前提，允許H20芯片出口。

但H20芯片的對華銷售情況遭到冷落，中國部門以信息安全問題約談英偉達公司，并且呼吁中國企業(yè)優(yōu)先采用國產(chǎn)芯片開展工作，種種跡象表明，美國越是對中國加碼制裁，中國發(fā)展自主技術(shù)的決心也就越堅定，就算美國針對性的允許美國芯片進入中國市場，那么中國也對此抱有極高的警惕性。

臺灣經(jīng)研院總監(jiān)的論斷，更像是一場“心理防御戰(zhàn)”，充滿了酸味和自我安慰，并非客觀冷靜的產(chǎn)業(yè)分析。中國芯片產(chǎn)業(yè)憑借自身的技術(shù)突破、創(chuàng)新能力和產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)摿Γ貙⒃谙冗M芯片制造領(lǐng)域不斷取得新的突破，打破所謂的“極限”預言。