14A 制程的野心與困境
氮?dú)夤呐菁夹g(shù)破解行業(yè)痛點(diǎn)
業(yè)績與研發(fā)的雙重支撐
國產(chǎn)設(shè)備的進(jìn)階之路
結(jié)語

Hi，大家好，我是芯片志，這是我的第115篇原創(chuàng)文章，感謝大家的點(diǎn)贊和關(guān)注。

全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商的爭奪戰(zhàn)已悄然打響。

作為計(jì)劃 2027 年量產(chǎn)的頂尖工藝，14A 制程搭載 High-NA EUV 光刻機(jī)與第二代 PowerVia 背面供電方案，其極致的工藝要求，將濕法刻蝕環(huán)節(jié)的良率瓶頸推至行業(yè)焦點(diǎn)。

而在這場高端設(shè)備的角逐中，國產(chǎn)設(shè)備龍頭盛美上海（688082）憑借獨(dú)創(chuàng)技術(shù)成功躋身英特爾測試名單，成為極少數(shù)沖進(jìn) 1.4nm 制程決賽圈的中國設(shè)備商，實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在先進(jìn)制程領(lǐng)域的關(guān)鍵突破。

14A 制程的野心與困境

英特爾 14A 制程從誕生之初就劍指行業(yè)巔峰。

相較于當(dāng)前主流制程，其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在兩大顛覆性技術(shù)：一是采用 High-NA EUV 光刻機(jī)，可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線路圖案化，助力晶體管密度提升 30%；二是第二代 PowerVia 背面供電方案，能大幅降低芯片內(nèi)部的供電損耗，使能效比提升15%-20%，目標(biāo)直指臺積電 2nm 制程的性能壁壘，同時(shí)為其代工業(yè)務(wù)爭奪高端客戶筑牢根基。

但極致的技術(shù)突破背后，是難以逾越的工藝難題。

當(dāng)芯片線路寬度邁入納米級，高深寬比結(jié)構(gòu)的濕法刻蝕環(huán)節(jié)，正成為制約良率的致命瓶頸：傳統(tǒng)磷酸清洗工藝中，化學(xué)液在納米級溝槽和通孔內(nèi)流動性極差，反應(yīng)副產(chǎn)物無法及時(shí)排出，易形成二次沉積；同時(shí)晶圓內(nèi)及晶圓間的刻蝕均勻性難以把控，直接影響3D邏輯器件的電路精度，而這恰好是 PowerVia 背面供電技術(shù)的核心要求。

對于英特爾而言，若無法解決這一難題，14A 制程的量產(chǎn)計(jì)劃與性能目標(biāo)都將淪為空談。

氮?dú)夤呐菁夹g(shù)破解行業(yè)痛點(diǎn)

盛美上海能從全球設(shè)備廠商中突圍，核心籌碼是其專利申請中的氮?dú)猓∟?）鼓泡技術(shù)，以及搭載該技術(shù)的升級款 Ultra C wb 濕法清洗設(shè)備。

這一技術(shù)的突破性在于物理原理的創(chuàng)新。

傳統(tǒng)濕法刻蝕工藝中，納米級微結(jié)構(gòu)內(nèi)的化學(xué)液近乎靜止，副產(chǎn)物沉積與結(jié)構(gòu)坍塌風(fēng)險(xiǎn)并存。

而盛美上海的氮?dú)夤呐菁夹g(shù)，可在化學(xué)液中生成均勻、可控的微氣泡，在納米結(jié)構(gòu)內(nèi)部形成定向微流動：一方面，流動的氣泡能高效帶出反應(yīng)副產(chǎn)物，從根源解決二次沉積問題；另一方面，氣泡的物理支撐作用可有效防止高深寬比結(jié)構(gòu)的坍塌，這對 3D NAND、3D DRAM 及 14A 制程的 3D 邏輯器件制造至關(guān)重要。

從性能數(shù)據(jù)來看，升級后的 Ultra C wb 設(shè)備已展現(xiàn)出國際頂尖水準(zhǔn)：晶圓內(nèi)及晶圓間的刻蝕均勻性提升 50% 以上，可精準(zhǔn)匹配14A制程的納米級控制精度；顆粒去除率能高效清除特殊磷酸添加劑的有機(jī)殘留物，工藝兼容性覆蓋磷酸、TMAH 等多種核心化學(xué)藥液；同時(shí)，其批式處理模式在化學(xué)品消耗和生產(chǎn)效率上顯著優(yōu)于單晶圓設(shè)備，恰好契合英特爾因采用 High-NA EUV 而承壓的成本控制需求。

更關(guān)鍵的是，盛美設(shè)備已通過英特爾嚴(yán)苛的工藝驗(yàn)證。目前其 Ultra C wb設(shè)備完成了疊層氮化硅蝕刻、柵極線鎢蝕刻等三道先進(jìn)工藝測試，性能與國際龍頭設(shè)備持平；公司高管也證實(shí)，已向美國頭部半導(dǎo)體廠商（含英特爾）交付 3 套測試設(shè)備，且部分關(guān)鍵指標(biāo)已達(dá)到量產(chǎn)級要求，為后續(xù)進(jìn)入供應(yīng)鏈奠定了基礎(chǔ)。

業(yè)績與研發(fā)的雙重支撐

盛美上海的技術(shù)突破并非偶然，其背后是持續(xù)的研發(fā)投入與穩(wěn)健的業(yè)績基本面。2025 年前三季度，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入51.46 億元，同比增長 29.42%；歸母凈利潤 12.66 億元，同比大增 66.99%，營收與利潤的雙增長，為前沿技術(shù)研發(fā)提供了充足的資金保障。

盛美上海凈利潤變化

在研發(fā)端，盛美上海始終堅(jiān)持差異化創(chuàng)新路線。除氮?dú)夤呐菁夹g(shù)外，公司還在 2025 年 9 月推出首款 KrF 工藝前道涂膠顯影設(shè)備 Ultra Lith KrF，并已交付國內(nèi)頭部邏輯晶圓廠，完成光刻產(chǎn)品線的重要擴(kuò)充。

同時(shí)，其 PECVD、立式爐管等設(shè)備也在持續(xù)迭代，形成了覆蓋前道制造與后道封裝的設(shè)備矩陣，構(gòu)建起多元化的技術(shù)護(hù)城河。

國產(chǎn)設(shè)備的進(jìn)階之路

盛美上海沖進(jìn) 1.4nm 制程決賽圈，對國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)具有里程碑意義。長期以來，7nm 以下先進(jìn)制程的核心設(shè)備市場被海外廠商壟斷，盛美上海的突破，不僅打破了這一格局，更證明國產(chǎn)設(shè)備已具備切入國際頂尖制程供應(yīng)鏈的能力，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供了關(guān)鍵支撐。

不過，這場突圍戰(zhàn)仍存挑戰(zhàn)。一方面，測試認(rèn)證與規(guī)?；慨a(chǎn)之間仍有差距，盛美設(shè)備需通過英特爾更長周期的工況驗(yàn)證，才能真正實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)供貨。

另一方面，全球設(shè)備龍頭也在加速技術(shù)迭代，行業(yè)競爭將日趨激烈。此外，14A 制程 2027 年的量產(chǎn)時(shí)間表，也對設(shè)備的穩(wěn)定性與交付效率提出了更高要求。

從長期布局來看，盛美上海已將技術(shù)優(yōu)勢向更多領(lǐng)域延伸。其氮?dú)夤呐菁夹g(shù)可適配 500 層以上 3D NAND、3D DRAM 的制造需求，而面板級封裝設(shè)備矩陣也在助力 AI 芯片封裝技術(shù)升級，多賽道協(xié)同將進(jìn)一步夯實(shí)其行業(yè)地位。

總結(jié)

盛美上海以氮?dú)夤呐菁夹g(shù)叩開英特爾 14A 制程大門，是國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備從跟跑到并跑的縮影。這場技術(shù)突圍，既驗(yàn)證了差異化創(chuàng)新的可行性，也為國內(nèi)設(shè)備商沖擊更高制程打開了想象空間。

未來，若能順利完成量產(chǎn)驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)訂單落地，盛美上海不僅將收獲英特爾的供應(yīng)鏈訂單，更將推動國產(chǎn)設(shè)備在全球先進(jìn)制程領(lǐng)域的話語權(quán)躍升。

關(guān)于#盛美上海半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)入英特爾最終測試，您有什么看法？歡迎評論區(qū)留言分享！（注意，內(nèi)容不構(gòu)成任何投資建議）

END" src="http://dingyue.ws.126.net/2025/1215/0ee2b1f7p00t7adcy0000d0000c000cp.png">