光刻機(jī)，絕對是芯片產(chǎn)業(yè)最為牽動敏感神經(jīng)的設(shè)備。

原因是我們相比于國際頂尖水平，太落后了，和ASML相比的話，應(yīng)該落后起碼有10年吧。

早幾天，ASML的CEO都稱，ASML賣給中國的光刻機(jī)，其實是相當(dāng)于2014年左右的水平，落后了8代，就這樣的光刻機(jī)，都比中國本土的強(qiáng)。

而光刻機(jī)是制造芯片必不可少的設(shè)備，ASML這樣卡脖子，已經(jīng)嚴(yán)重影響到我們的芯片制造水平了。

所以大家期望國產(chǎn)光刻機(jī)能突破，特別是EUV光刻機(jī)突破，因為EUV光刻機(jī)，可以用于制造7nm以下芯片，ASML是被禁止賣給中國的。

在這樣的背景之下，一旦有什么EUV光刻機(jī)，或者能夠繞過EUV光刻機(jī)，制造5nm及以下芯片的技術(shù)出現(xiàn)，都能讓大家興奮。

而近日，有媒體報道稱，日本企業(yè)DNP(日本印刷株式會社)宣布，研發(fā)出了線寬為10nm的NIL納米壓印機(jī)，而10nn的線寬，意味著相當(dāng)于1.4nm級別的邏輯芯片了。

于是網(wǎng)友們炸鍋了，什么日本為何這么厲害，我們?yōu)楹芜@么落后，什么日本的1.4nm這種“光刻機(jī)”會不會賣給我們之類的。

當(dāng)然，日本研發(fā)出這樣的NIL納米壓印技術(shù)，也并不是不可能，畢竟之前佳能也研發(fā)出了所謂的能夠制造5nm，甚至3nm芯片的NIL納米壓印機(jī)。

但如果認(rèn)為它就是能夠制造1.4nm芯片，能夠替代EUV，那就大錯特錯了，別聽日本來吹牛了。

NIL和EUV是完全不同的路線，NIL類似于蓋章，先要雕刻一個母板，將芯片的電路圖刻到這個母板上，然后再將母板壓到硅晶圓上，于是電路圖就像蓋章一樣，蓋上去了，這就是所謂納米壓印的原因。

母板與芯片的比例是1:1的，然后這么去印，損耗是非常大的，可能蓋個50次就得報廢，又得重新制造母板……蓋50次又報廢，又得重新制造。

所以納米壓印無法制造高精度的芯片，特別是復(fù)雜的邏輯芯片，幾乎就不太可能用它來制造。最多用于NAND、DRAM這樣的存儲芯片上。

其次，納米壓印的效率非常低，和EUV完全不是一個級別的對比。

EUV制造掩模板時，可以不需要那么精細(xì)，因為光線可以放大，通常制造4：1比例的就行，同時光線照射掩膜版，不會直接接觸，一塊掩膜版，可以用幾千次才報廢。

所以納米壓印，是不可能取代EUV的，所謂的1.4nm納米壓印機(jī)，更多的還是吹牛，或許并不是廠商吹出來的，而是媒體吹出來的。

納米壓印，真的的用武之地，其實是實驗室，如果有一些先進(jìn)芯片要制造，但又不可能搞出EUV生產(chǎn)線，成本太高了，且生產(chǎn)的量也小，用納米壓印，成本低，精度還行。

按照DNP的說法，他們要力爭在 2030 財年，將納米壓印相關(guān)業(yè)務(wù)的營收，提升至 40 億日元（約 1.8 億元人民幣）。

你說說看，1.8億人民幣的收入，就能讓替代EUV么，制造1.4nm芯片么，一臺好一點的DUV光刻機(jī)，都是幾億人民幣，所以大家散了吧，看看就好，真正大規(guī)模的芯片制造，還是老老實實的研發(fā)EUV才是最靠譜的方案。