美國(guó)為了限制中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，可是圍追堵截了很多年，結(jié)果當(dāng)市值5萬(wàn)億美元的全球AI芯片巨頭英偉達(dá)在算力升級(jí)道路上遭遇關(guān)鍵瓶頸時(shí)，最后竟然求到了一家中國(guó)企業(yè)頭上。

更難以置信的是，這家企業(yè)的女創(chuàng)始人不但“拯救”了英偉達(dá)，更是改寫(xiě)了全球AI規(guī)則。那么，她是誰(shuí)？又是如何做到的？

AI爆發(fā)催生核心材料革命

ChatGPT等生成式AI的爆發(fā)式發(fā)展，推動(dòng)全球算力需求進(jìn)入指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)階段。

作為全球AI算力的核心供應(yīng)商，英偉達(dá)的GPU芯片性能持續(xù)迭代，從A100到H100再到H200，算力密度不斷提升，但配套供電系統(tǒng)的短板卻日益凸顯，成為制約算力釋放的關(guān)鍵瓶頸。

傳統(tǒng)硅基供電芯片在高負(fù)荷運(yùn)行狀態(tài)下，存在能量損耗大、散熱效率低、體積龐大等固有缺陷，難以匹配高端GPU的高效運(yùn)行需求。

在大型AI數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景中，這一問(wèn)題更為突出。

單臺(tái)AI服務(wù)器搭載的多顆GPU芯片在滿負(fù)荷運(yùn)算時(shí)，供電轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的能量損耗占比可達(dá)30%以上，大量電能被轉(zhuǎn)化為熱能，不僅推高了數(shù)據(jù)中心的運(yùn)營(yíng)成本，還需額外投入巨額資金建設(shè)冷卻系統(tǒng)。

數(shù)據(jù)顯示，采用傳統(tǒng)供電方案的超大型AI數(shù)據(jù)中心，年均電費(fèi)支出占總運(yùn)營(yíng)成本的45%，而散熱不及時(shí)導(dǎo)致的設(shè)備故障，更是會(huì)造成每小時(shí)數(shù)十萬(wàn)美元的經(jīng)濟(jì)損失。

行業(yè)普遍意識(shí)到，要實(shí)現(xiàn)算力的進(jìn)一步突破，必須在供電核心材料上完成技術(shù)革新。

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借耐高溫、耐高壓、開(kāi)關(guān)頻率高、能量損耗低的特性，成為解決這一產(chǎn)業(yè)痛點(diǎn)的最優(yōu)方案。

與傳統(tǒng)硅基材料相比，氮化鎵芯片的開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)硅基芯片的10倍以上，能量損耗可降低30%以上，同時(shí)體積能縮減一半，可完美適配高端GPU的高算力、低功耗需求。

但長(zhǎng)期以來(lái)，氮化鎵核心技術(shù)被歐美企業(yè)壟斷，8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)技術(shù)更是被業(yè)內(nèi)視為難以逾越的高峰，全球僅有英飛凌、納微半導(dǎo)體等少數(shù)企業(yè)掌握6英寸工藝，且產(chǎn)能有限。

技術(shù)攻堅(jiān)之路

駱薇薇團(tuán)隊(duì)的研發(fā)之路始于對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)短板的深刻洞察。

早年在海外深造期間，駱薇薇深耕第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，曾擔(dān)任美國(guó)NASA首席科學(xué)家，積累了豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

2015年前后，她注意到國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)幾乎處于空白狀態(tài)，核心技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)備均被國(guó)外封鎖，中國(guó)企業(yè)在這一新興賽道完全被動(dòng)。

為推動(dòng)技術(shù)國(guó)產(chǎn)化，駱薇薇毅然放棄海外優(yōu)渥的生活條件，回國(guó)啟動(dòng)創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目，聚焦8英寸硅基氮化鎵技術(shù)的研發(fā)與量產(chǎn)。

創(chuàng)業(yè)初期，團(tuán)隊(duì)面臨的是近乎空白的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。缺乏成熟的技術(shù)參考、專(zhuān)業(yè)研發(fā)人才稀缺、核心生產(chǎn)設(shè)備難以獲取，這些難題成為橫在研發(fā)路上的一道道鴻溝。

為突破困境，駱薇薇團(tuán)隊(duì)做出了兩個(gè)關(guān)鍵決策：一是放棄行業(yè)主流的設(shè)計(jì)與制造分離模式，采用從芯片設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試全流程自主掌控的IDM模式，確保技術(shù)主動(dòng)權(quán)和定價(jià)權(quán)牢牢掌握在自己手中；二是跳過(guò)業(yè)內(nèi)普遍采用的6英寸工藝，直接攻堅(jiān)難度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的8英寸硅基氮化鎵技術(shù)，因?yàn)楦蟪叽绲木A能夠有效分?jǐn)偵a(chǎn)成本，同時(shí)提升芯片性能上限。

在資金與資源支持上，項(xiàng)目獲得了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金20億元的重點(diǎn)扶持，為技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)提供了關(guān)鍵保障。

為解決設(shè)備短缺問(wèn)題，團(tuán)隊(duì)從二手市場(chǎng)淘來(lái)舊機(jī)器，通過(guò)拆解改造適配研發(fā)需求；面對(duì)年輕工程師缺乏實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)的現(xiàn)狀，駱薇薇每天泡在生產(chǎn)車(chē)間，手把手指導(dǎo)參數(shù)調(diào)試，常常工作到凌晨。

遇到技術(shù)瓶頸時(shí)，整個(gè)團(tuán)隊(duì)連續(xù)數(shù)月扎根實(shí)驗(yàn)室，反復(fù)試驗(yàn)優(yōu)化方案。

2017年，團(tuán)隊(duì)將公司總部遷至蘇州，依托長(zhǎng)三角完備的產(chǎn)業(yè)鏈加速推進(jìn)產(chǎn)能建設(shè)，僅用不到6年時(shí)間就實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵晶圓的大規(guī)模量產(chǎn)，這一技術(shù)跨越被業(yè)界普遍認(rèn)為需要至少10年時(shí)間。

2024年底，駱薇薇創(chuàng)辦的英諾賽科在港交所上市，成為“中國(guó)氮化鎵半導(dǎo)體第一股”，市值迅速突破700億港元。

截至2025年7月，公司芯片出貨量已超過(guò)10億顆，僅2024年一年就出貨6.6億顆，相當(dāng)于前三年總和。

全球氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，英諾賽科以42.4%的市占率位居榜首，遠(yuǎn)超納微半導(dǎo)體、EPC、英飛凌等國(guó)際巨頭，徹底打破了國(guó)外企業(yè)的長(zhǎng)期壟斷。

值得一提的是，2023年美國(guó)氮化鎵巨頭EPC公司曾發(fā)起專(zhuān)利訴訟，試圖遏制中國(guó)企業(yè)的崛起，英諾賽科憑借積累的700多項(xiàng)自主專(zhuān)利從容應(yīng)對(duì)，最終贏得訴訟勝利，這也是中國(guó)芯片企業(yè)在國(guó)際專(zhuān)利戰(zhàn)中少有的全面勝利。

重構(gòu)全球AI規(guī)則

駱薇薇團(tuán)隊(duì)研發(fā)的氮化鎵芯片與英偉達(dá)的深度綁定，源于AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展的剛性需求。

英偉達(dá)推出800伏架構(gòu)后，急需高效穩(wěn)定的電源解決方案來(lái)匹配其高端GPU的算力輸出，駱薇薇團(tuán)隊(duì)研發(fā)的氮化鎵電源方案恰好完美適配這一架構(gòu)，成為該架構(gòu)中唯一來(lái)自中國(guó)的核心芯片供應(yīng)商。

應(yīng)用這一方案后，單臺(tái)AI服務(wù)器每年節(jié)省的電量足以滿足普通家庭兩年的使用需求，不僅顯著降低了數(shù)據(jù)中心的運(yùn)營(yíng)成本，更讓GPU的算力得以穩(wěn)定釋放，雙方由此形成了相互依存的協(xié)同關(guān)系。

這一合作關(guān)系的形成，悄然改寫(xiě)了全球AI硬件生態(tài)的底層規(guī)則。

過(guò)去行業(yè)聚焦于CPU、GPU等核心算力芯片的性能比拼，卻忽略了供電環(huán)節(jié)這一基礎(chǔ)支撐的重要性，而駱薇薇團(tuán)隊(duì)的研發(fā)證明，基礎(chǔ)組件的技術(shù)革新同樣能決定產(chǎn)業(yè)發(fā)展上限。

隨著氮化鎵技術(shù)在AI領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，全球半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始重新審視基礎(chǔ)材料與核心算力芯片的協(xié)同發(fā)展關(guān)系，相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)業(yè)布局均出現(xiàn)調(diào)整。

同時(shí)，全球AI芯片市場(chǎng)的政策環(huán)境也在發(fā)生變化。2025年12月，美國(guó)宣布允許英偉達(dá)向中國(guó)“經(jīng)批準(zhǔn)的客戶”出售H200人工智能芯片，但附加了25%收入上繳政府的苛刻條件。

這一政策轉(zhuǎn)折被業(yè)內(nèi)解讀為技術(shù)代差管控和經(jīng)濟(jì)利益收割的雙重算計(jì)，而中國(guó)在氮化鎵等關(guān)鍵細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)突破，無(wú)疑為國(guó)內(nèi)AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展增添了重要籌碼。

除了AI領(lǐng)域，駱薇薇團(tuán)隊(duì)研發(fā)的氮化鎵芯片已廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子和新能源汽車(chē)等場(chǎng)景，手機(jī)快充、迷你充電器中能看到它的身影，比亞迪、蔚來(lái)等車(chē)企的車(chē)載激光雷達(dá)、車(chē)載充電器也采用了其車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵芯片，寧德時(shí)代創(chuàng)始人曾毓群更是主動(dòng)投資2億元，彰顯了市場(chǎng)對(duì)其技術(shù)實(shí)力的認(rèn)可。

結(jié)語(yǔ)

當(dāng)前，國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)仍在持續(xù)進(jìn)階，漢驊半導(dǎo)體等企業(yè)也在2025年11月宣布實(shí)現(xiàn)8英寸硅基GaN MicroLED外延及多層堆疊技術(shù)的量產(chǎn)，推動(dòng)氮化鎵在更多場(chǎng)景的應(yīng)用落地。

隨著AI、5G/6G、衛(wèi)星通信等產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展，氮化鎵芯片的市場(chǎng)需求將進(jìn)一步爆發(fā)，而中國(guó)企業(yè)在這一領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能基礎(chǔ)，將持續(xù)影響全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展格局。