2025年12月20日，由半導體投資聯(lián)盟和集成電路投資創(chuàng)新聯(lián)盟主辦、ICT知識產(chǎn)權發(fā)展聯(lián)盟協(xié)辦、愛集微承辦的“2026半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮”在上海隆重舉行。長鑫科技集團股份有限公司（以下簡稱：長鑫科技）榮獲2026IC風云榜“年度知識產(chǎn)權創(chuàng)新卓越獎”。

成立于2016年的長鑫科技，總部位于安徽合肥，是一家一體化存儲器制造企業(yè)，專注于動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設計、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。長鑫科技在國內(nèi)外設有多個研發(fā)中心和分支機構，形成了覆蓋研發(fā)、制造、銷售和服務的完整產(chǎn)業(yè)鏈布局。

依托持續(xù)高強度的研發(fā)投入與成熟的工程化能力，長鑫科技已形成覆蓋移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實及物聯(lián)網(wǎng)等核心應用場景的DRAM產(chǎn)品體系。公司堅持核心技術自主化發(fā)展路徑，累計布局多項自主知識產(chǎn)權，為我國存儲產(chǎn)業(yè)鏈補短板、強能力提供了重要支撐。

“年度知識產(chǎn)權創(chuàng)新卓越獎”旨在表彰2025年度ICT領域知識產(chǎn)權成果突出、綜合實力強勁，具有行業(yè)影響力及貢獻度，在知識產(chǎn)權創(chuàng)造、運用、保護、管理至少某一方面表現(xiàn)亮眼的優(yōu)秀創(chuàng)新主體。此次獲獎，充分體現(xiàn)了長鑫科技在構建高質(zhì)量專利體系、推動技術成果產(chǎn)業(yè)化以及提升行業(yè)整體創(chuàng)新水平方面的突出貢獻，也彰顯了其在中國存儲器產(chǎn)業(yè)自主可控進程中的標桿地位。

從產(chǎn)業(yè)格局看，據(jù)市場機構分析，長鑫存儲目前已成長為中國第一、全球第四的DRAM制造廠商。公司產(chǎn)品矩陣持續(xù)完善，覆蓋DDR與LPDDR兩大主流技術路線，實現(xiàn)從DDR4、DDR5到LPDDR4X、LPDDR5、LPDDR5X的全系列布局，客戶群體已涵蓋國內(nèi)主流廠商，多元化產(chǎn)品能力精準匹配市場需求。

在AI算力基礎設施建設加速推進、全球存儲產(chǎn)業(yè)進入新一輪“超級周期”的背景下，長鑫存儲不斷刷新技術指標邊界。2025年下半年，公司相繼推出新一代LPDDR5X與DDR5產(chǎn)品系列：其中，LPDDR5X最高速率達10667Mbps，較上一代LPDDR5提升66%，功耗降低30%；DDR5產(chǎn)品最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，并通過七大模組形態(tài)覆蓋從云端到邊緣端的多樣化應用場景。相關產(chǎn)品在速率與容量等關鍵指標上躋身業(yè)界第一梯隊，標志著國產(chǎn)DRAM在高端性能與系統(tǒng)化布局方面已具備與國際一線廠商同臺競爭的技術實力。

憑借持續(xù)的技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)貢獻，長鑫存儲的品牌影響力不斷提升：先后獲評“國家知識產(chǎn)權優(yōu)勢企業(yè)”，連續(xù)三年進入WIPO PCT國際公開Top 50，入選“福布斯中國創(chuàng)新力企業(yè)50強”，躋身美國專利授權排行榜50強，并榮登LexisNexis全球創(chuàng)新百強榜；在專業(yè)領域，其研究成果獲得IEDM 2025等國際頂級學術會議認可，論文入選數(shù)量位居國內(nèi)企業(yè)之首，展現(xiàn)出從產(chǎn)業(yè)實踐到前沿研究、再到知識產(chǎn)權體系建設的綜合領先實力。

IC風云榜聚焦新時代環(huán)境下中國集成電路產(chǎn)業(yè)最具經(jīng)營智慧的風云企業(yè)，根據(jù)市場、學研、資方、品牌等多維度可靠數(shù)據(jù)，秉持客觀真實、公正公開、范圍廣泛的原則，通過公開征集、自愿申報、專家評選等程序，嚴格遴選出行業(yè)年度優(yōu)秀人物、機構、企業(yè)與品牌，以此樹立行業(yè)標桿，展現(xiàn)行業(yè)格局，激發(fā)企業(yè)創(chuàng)新潛能，厚植產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新沃土。IC風云榜以開放的國際視野和科學的評選維度，為半導體企業(yè)創(chuàng)新賦能，深受企業(yè)與市場的認可與青睞，已成為中國IC產(chǎn)業(yè)的風向標獎項。展望未來，IC風云榜還將繼續(xù)發(fā)揮風向標作用，為中國半導體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供強有力的支持和推動。