島省半導(dǎo)體技術(shù)出口

堅(jiān)持”N-2”原則

2025年12月18日，島省民眾黨“立委”劉書彬在”立法院”教育及文化委員會(huì)，質(zhì)詢島省科技委員會(huì)副主委林法正——島積電赴美投資設(shè)廠，是否沖擊島省半導(dǎo)體核心研發(fā)能力，持續(xù)引發(fā)島內(nèi)關(guān)注。

劉書彬提出：先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)高度依賴人才、制程、良率修正與量產(chǎn)回饋的整體互動(dòng)，一旦產(chǎn)能、工程師與供應(yīng)鏈在海外形成完整落地，下一步川帝代表的西大保守力量，是否會(huì)提出——核心研發(fā)也要本地化。居安思危，島省政府應(yīng)事前建立明確制度（這樣才能從從容容游刃有余）而非等問(wèn)題發(fā)生后，再來(lái)補(bǔ)救，（弄得匆匆忙忙連滾帶爬）。對(duì)此，島省也有很多人士要求政府，應(yīng)透過(guò)制度化規(guī)范，確保半導(dǎo)體核心研發(fā)技術(shù)留在島省，避免關(guān)鍵能力外流。

島省科技委員會(huì)副主委法正回答：

第一：島省已訂有關(guān)鍵核心技術(shù)相關(guān)規(guī)范，凡是參與該類技術(shù)的人員與項(xiàng)目，皆會(huì)加以管制；經(jīng)濟(jì)部也會(huì)依據(jù)核心關(guān)鍵技術(shù)清單，限制相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)出國(guó)。

第二：至于島積電的先進(jìn)制程，政府采取“N-2”原則進(jìn)行控管，即當(dāng)島積電已研發(fā)至下一世代制程時(shí)，前一代技術(shù)才可能外移。是政府要求，島積電本身也高度配合相關(guān)規(guī)范。

另外，島省經(jīng)濟(jì)部門工業(yè)發(fā)展局副局長(zhǎng)鄒宇新則表示，該部門的投資審議委員會(huì)將審查所有14nm或更高端制程出口項(xiàng)目，評(píng)估產(chǎn)業(yè)沖擊擊、防衛(wèi)安全及技術(shù)層面。

兵器迷注：此前，島省堅(jiān)持的是“N-1”原則，即允許島積電出口比領(lǐng)先制造工藝落后至少一代的技術(shù)。而目前新的管理框架是：出口比其最先進(jìn)技術(shù)落后2-4年的制程節(jié)點(diǎn)。例如：如果島積電在島內(nèi)研發(fā)出了1.2nm或1.4nm級(jí)別的制程工藝，那么只能允許1.6nm級(jí)別或更低端的工藝技術(shù)出口海外。

質(zhì)詢關(guān)注的另一個(gè)焦點(diǎn)是: 為避免西大在技術(shù)合作或投資金額上不斷加碼要求，政府應(yīng)當(dāng)設(shè)立相關(guān)”退場(chǎng)機(jī)制”。

對(duì)此，林法正表示：相關(guān)決定由島積電自行評(píng)估。島省目前的評(píng)估是：島積電亞利桑那州廠的獲利，與島省同規(guī)模產(chǎn)線相比”落差非常驚人”。對(duì)此島積電能承受多久，終須企業(yè)內(nèi)部自行判斷。

兵器迷注：島省在亞利桑那工廠2025年第二季度盈利約合9.68億元人民幣，第三季度降至938.1萬(wàn)元人民幣，降幅達(dá)到99%。業(yè)界評(píng)估認(rèn)為：西大半導(dǎo)體制造成本較島省高出至少40%-50%，盈利水平本就不高。而利潤(rùn)驟降的主要原因，是二期轉(zhuǎn)向3nm先進(jìn)制程,帶來(lái)的超計(jì)劃資產(chǎn)投資，大幅推高運(yùn)營(yíng)開(kāi)支，即便采用延期分?jǐn)偰Ｊ�，也各種相關(guān)費(fèi)用仍然對(duì)當(dāng)期盈利有較大侵蝕。

相關(guān)質(zhì)詢內(nèi)容曝光后，島省旅美教授翁履中（兵器迷注：德州大學(xué)達(dá)拉斯分校政治學(xué)博士）在12月21日表示：“政府硬起來(lái)，護(hù)國(guó)神山自己守護(hù)！”,更在島內(nèi)引發(fā)廣泛討論。2025年3月，翁履中曾呼吁，島積電能否在西大能賺錢是一回事，而政府更應(yīng)確保海外獲利能順利回流島省這是另一回事。島省長(zhǎng)期未正視消除重復(fù)課稅、吸引投資的租稅制度問(wèn)題，若持續(xù)忽略，對(duì)島省恐是重大損失，并批評(píng)政府不應(yīng)再陷于總預(yù)算與大罷免的內(nèi)耗，而缺乏國(guó)際與產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的世界觀。

兵器迷注：目前，島積電在西大亞利桑那州Fab 21一期工廠，主要生產(chǎn)4nm-5nm芯片。在島內(nèi)，島積電擁有多座具備3nm級(jí)別制程能力（N3B、N3E、N3P等）的工廠，并即將開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)2納米制程的芯片，領(lǐng)先西大兩代是沒(méi)有問(wèn)題的。

但是，2027年在亞利桑那州Fab 21的二期產(chǎn)線，將開(kāi)始生產(chǎn)3nm工藝芯片，如果屆時(shí)島省沒(méi)有研發(fā)出1.6-1.4nm制程，則就無(wú)法符合“N-2”規(guī)則。

當(dāng)然，島積電帶有超級(jí)級(jí)電源軌（SPR）背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）的1.6nm工藝，2024年4月，鷹醬在北美技術(shù)研討會(huì)上正式宣布，命名為“A16”計(jì)劃于2026年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。因此有望維持N-2原則。對(duì)應(yīng)的，亞利桑那州三期和四期工廠，將生產(chǎn)2nm工藝的芯片。

近年來(lái)，晶體管密度越來(lái)越高，堆疊層數(shù)越來(lái)越多。為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，需要穿過(guò)10-20 層堆棧，線路設(shè)計(jì)已經(jīng)空前復(fù)雜難以為繼。

而島積電A16采用背面供電技術(shù)（BSPDN），通過(guò)晶體管三維結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò)，直接轉(zhuǎn)移到晶體管的背面重新排布。既增加了晶體管密度，又避免晶體管和電源網(wǎng)絡(luò)之間的信號(hào)干擾，減輕線路后端布線擁塞，增強(qiáng)了芯片的可靠性。

但這樣一來(lái)，晶圓剛度不夠易折損，于是需要在晶圓正面鍵合一片承載晶圓carrier wafer。在背面供電技術(shù)中，島積電的Super PowerRail，英特爾的 PowerVia，IMEC的 Buried Power Rail，三分天下各領(lǐng)風(fēng)騷。究竟誰(shuí)奪虧魁首，還要在產(chǎn)業(yè)實(shí)踐中再分高下。

話說(shuō)：蘋果、高通、AMD等15家大廠爭(zhēng)相訂空島積電2nm產(chǎn)能，估計(jì)2026年島積電會(huì)漲價(jià)20%-50%。而我們這邊，有人2024年發(fā)出的“島積電要是出問(wèn)題，就可能出在2nm上，這可能會(huì)成為壓倒它的最后一根稻草”，言猶在耳...

不要小看島積電，不要覺(jué)得島積電只是拿了國(guó)際先進(jìn)設(shè)備閉著眼就生產(chǎn)芯片，以為只要有ASML的光刻機(jī)，任誰(shuí)來(lái)都一定能生產(chǎn)出工藝、良率、成本和產(chǎn)能合格的商用化芯片——我們某廠曾有設(shè)備齊了8年無(wú)法商業(yè)化生產(chǎn)的實(shí)例。再多說(shuō)一句——島積電和荷蘭ASML，比利時(shí)IMEC，西大IBM，日本東京電子TEL這四巨頭的合作研發(fā)關(guān)系之密切，說(shuō)沒(méi)有島積電的參與當(dāng)年DUV/EUV都很難造出來(lái)，至少要延期若干年，也不是什么夸張的話。

必須看清楚——

我們這邊的劣勢(shì)，是起步太晚，底子太薄，封鎖太嚴(yán)。

我們這邊的優(yōu)勢(shì)，是市場(chǎng)廣大，舉國(guó)體制，持久恒心。

從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，我們一定能擺脫半導(dǎo)體芯片卡脖子的枷鎖，這個(gè)信心，要有。

但我們的對(duì)手，不是軟柿子一招過(guò)，而是硬骨頭鬼見(jiàn)愁，這個(gè)認(rèn)識(shí)，要清。

斗爭(zhēng)是艱苦的，進(jìn)步是曲折的，追趕是必然的。島省所謂的“護(hù)國(guó)神山”，在大陸鋼鐵般的國(guó)家意志和全產(chǎn)業(yè)鏈的眾志成城面前，遲早——

護(hù)不住TA的島，也封不了TA的神