據(jù)路透社援引知情人士消息，美國政府已批準(zhǔn)三星電子和 SK 海力士的年度出口許可，允許兩家企業(yè)在 2026 全年向其位于中國的制造工廠運送芯片制造設(shè)備。此次許可獲批的時間節(jié)點十分關(guān)鍵 —— 距離一項長期豁免機制在 12 月 31 日到期僅差一天。該豁免到期后，外資在華晶圓廠將被納入更為嚴格的許可監(jiān)管框架。

在舊有政策體系下，三星、SK 海力士以及臺積電均享有 “認證終端用戶” 資質(zhì)。憑借這一資質(zhì)，三家企業(yè)的在華合規(guī)工廠可直接獲取受美國管控的半導(dǎo)體設(shè)備，無需為每一批次的設(shè)備交付單獨申請出口許可。但這一資質(zhì)將于 12 月 31 日失效，此后，任何產(chǎn)自美國的芯片制造設(shè)備輸往中國，均需獲得美國政府的明確授權(quán)。

此次新獲批的許可覆蓋三星與 SK 海力士 2026 自然年的設(shè)備運輸需求，且采用年度審批制。有知情人士向路透社透露，美國政府已正式將對華芯片制造設(shè)備出口的監(jiān)管模式切換為年度審批，取代了此前沿用的豁免政策—— 美方官員認為，舊豁免政策的限制力度過于寬松，已不符合當(dāng)前的政策導(dǎo)向。

對這兩家韓國半導(dǎo)體巨頭而言，此次許可獲批至關(guān)重要，因為中國仍是其存儲芯片業(yè)務(wù)的核心產(chǎn)能基地。三星在西安布局了大型 NAND 閃存芯片工廠，SK 海力士則在無錫運營一座大型 DRAM 芯片廠，并在大連設(shè)有 NAND 閃存芯片生產(chǎn)基地。這些在華工廠的產(chǎn)能，在全球存儲芯片市場占據(jù)相當(dāng)大的份額，尤其是在成熟制程的 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品領(lǐng)域。加之過去一年，人工智能數(shù)據(jù)中心的爆發(fā)式需求引發(fā)存儲芯片供應(yīng)趨緊，推動產(chǎn)品價格大幅上漲，維持各地工廠的穩(wěn)定運營對兩家企業(yè)的戰(zhàn)略重要性進一步提升。

值得注意的是，新政策下的年度許可僅用于保障工廠的日常運營與維護，并非允許企業(yè)無限制擴產(chǎn)。美國政府官員曾多次強調(diào)，出口管制的核心目的是阻止中國獲得先進芯片制造能力；即便是在舊豁免政策下，極紫外光刻機（EUV）等最敏感的設(shè)備，也始終被列入對華禁運清單。

與此同時，監(jiān)管模式轉(zhuǎn)向年度審批，也為芯片制造商帶來了新的不確定性。許可的每一次續(xù)期，都讓美國政府得以根據(jù)整體貿(mào)易環(huán)境和其所謂的國家安全形勢，調(diào)整審批條件，甚至直接駁回申請。市場分析推測，美國政府預(yù)計這一收緊的監(jiān)管框架，或?qū)?yīng)用材料、泛林集團、科磊等美國設(shè)備廠商的營收造成影響—— 這些企業(yè)是存儲芯片廠刻蝕、薄膜沉積等核心設(shè)備的主要供應(yīng)商。

目前來看，此次許可獲批確保了三星和 SK 海力士在 2026 年可繼續(xù)向中國工廠進口關(guān)鍵制造設(shè)備。而美國政府未來將如何逐年強化對相關(guān)設(shè)備流向的審查力度，仍有待進一步觀察。

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