前言

近期，充電頭網(wǎng)拿到一款SynQor推出的隔離DC-DC的電源模塊。該方案采用“雙模塊并聯(lián)”組合架構(gòu)，將兩顆35~75V寬壓輸入、12V/25A輸出的隔離電源模塊集成在同一PCB版上，配合模塊自帶的遠(yuǎn)程開關(guān)、Remote Sense與Trim調(diào)壓等接口設(shè)計(jì)，使其更便于整機(jī)在長(zhǎng)走線、重負(fù)載條件下進(jìn)行壓降補(bǔ)償與輸出精度管理，滿足通信/數(shù)據(jù)設(shè)備對(duì)穩(wěn)定供電的工程化需求。

充電頭網(wǎng)了解到，SYNQOR推出的這款DC-DC隔離式電源模塊方案非常適合通信電源系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器/交換設(shè)備、通信平臺(tái)等場(chǎng)景，該電源模塊前級(jí)以寬壓輸入與隔離特性適配復(fù)雜母線環(huán)境，后級(jí)則可為POL多路降壓提供低阻抗的12V大電流電源輸出?？梢娫撃K適合需要7×24H長(zhǎng)時(shí)間滿載運(yùn)行、功率密度與散熱空間同樣嚴(yán)苛的服務(wù)器機(jī)柜與通信系統(tǒng)。接下來(lái)，充電頭網(wǎng)將結(jié)合該模塊的外觀與實(shí)際器件用料，對(duì)該SYNQOR這款電源方案進(jìn)行進(jìn)深度解析。

SYNQOR BQ60120HEA25NNS外觀

BQ60120HEA25的DC-DC電源模塊單模塊為半磚設(shè)計(jì)，可提供12V/25A輸出，并通過(guò)同步整流+固定頻率實(shí)現(xiàn)高效率與可預(yù)測(cè)EMI表現(xiàn)，在滿載條件下效率可達(dá)95%。同時(shí)其提供2250Vdc 輸入到輸出隔離能力，并集成UVLO、過(guò)流/短路、過(guò)壓、過(guò)溫及反灌保護(hù)等機(jī)制，定位滿足通信/數(shù)據(jù)服務(wù)器設(shè)備7×24小時(shí)運(yùn)行需求。

同時(shí)，該電源模塊預(yù)留Remote On/Off、Remote Sense與TRIM接口，可在長(zhǎng)走線、重負(fù)載配電時(shí)對(duì)壓降進(jìn)行補(bǔ)償，并支持-50%~+5%的輸出電壓調(diào)節(jié)/裕量管理。

SYNQOR BQ60120HEA25NNS背面一覽，可見背面無(wú)芯片。

該模塊實(shí)際長(zhǎng)度為12.8cm。

寬度為6.58cm。

厚度為1.35cm。

與明信片對(duì)比，可見單個(gè)小板與明信片大小相近。

簡(jiǎn)單看過(guò)該電源模塊外觀，充電頭網(wǎng)繼續(xù)為您深度解析其內(nèi)部用料。

SYNQOR BQ60120HEA25NNS方案解析

由于該電源模塊上兩塊小板設(shè)計(jì)完全相同，因此我們以右側(cè)的小板為例來(lái)解析其器件選型。

絲印F7832的MOS來(lái)自英飛凌，實(shí)際型號(hào)為IRF7832，這是一顆采用SO-8封裝的30V HEXFET NMOS。

另一顆NMOS型號(hào)相同，同樣來(lái)自英飛凌。

一個(gè)LDO穩(wěn)壓器芯片絲印ODT。

另外兩顆英飛凌IRF7832。

變壓器升印有本模塊的型號(hào)——BQ60120HEA25NNS。

一顆LDO穩(wěn)壓器來(lái)著特瑞仕，絲印7A3。

電感印有該電源模塊的識(shí)別號(hào)。

一顆絲印2101的芯片。

兩顆電感。

四顆NMOS來(lái)自威世，實(shí)際型號(hào)為SI7852DP-T1-GE3，耐壓100V，導(dǎo)阻16.5mΩ。

另外兩顆威世SI7852DP-T1-GE3。

一顆肖特基二極管來(lái)自美臺(tái)，實(shí)際型號(hào)為PDS5100HQ-13，耐壓100V，耐流5A，同時(shí)該產(chǎn)品符合AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。

一顆絲印2101的芯片。

三顆同型號(hào)威世SI7852DP-T1-GE3。

另外一顆美臺(tái)PDS5100HQ-13。

一顆電壓基準(zhǔn)芯片來(lái)自德州儀器，實(shí)際型號(hào)為L(zhǎng)MV431A，該芯片是一顆精密的1.24V并聯(lián)穩(wěn)壓器，其輸出電壓可調(diào)至30V。從陰極到調(diào)節(jié)引腳的負(fù)反饋控制陰極電壓，工作原理類似同相運(yùn)算放大器配置。

一顆運(yùn)放來(lái)自德州儀器，實(shí)際型號(hào)為TLV271IDBVR，其采用2.7V~16V 工作電壓，具有 -40°C 至 +125°C 的擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍，是一個(gè)低功耗、高帶寬的運(yùn)算放大器系列，可提供軌至軌輸出，該芯片的輸入電流僅550μA，可提供3MHz帶寬。

一顆線性穩(wěn)壓器來(lái)自微芯，實(shí)際型號(hào)為MIC5320-PGYD6-TR，該芯片采用μCap設(shè)計(jì)，可使用非常小的陶瓷電容穩(wěn)定運(yùn)行，從而減少所需的電路板空間和元件成本。該芯片具備極低的壓差電壓、快速的瞬態(tài)響應(yīng)和出色的熱封裝特性，使其成為空間緊湊型應(yīng)用的理想選擇。

兩顆二極管，絲印B140。

一顆芯片絲印N8JZ6。

兩顆絲印804的器件。

絲印2842B的芯片來(lái)自意法，實(shí)際型號(hào)為UC2842B，該芯片是一顆電流模式PWM芯片，具備實(shí)現(xiàn)離線或DC-DC固定頻率電流模式控制方案所需的核心功能，且外部元件用量極少。其內(nèi)部集成電路包含：經(jīng)過(guò)微調(diào)可實(shí)現(xiàn)精確占空比控制的振蕩器、具有啟動(dòng)電流低于0.5mA特性的欠壓鎖定電路、誤差放大器輸入端精度校準(zhǔn)的基準(zhǔn)電壓源、確保鎖存運(yùn)行的邏輯電路、兼具限流功能的PWM比較器，以及專為高峰值電流推送/吸納能力設(shè)計(jì)的圖騰柱輸出級(jí)。該輸出級(jí)適用于驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET，在關(guān)斷狀態(tài)下保持低電平，采用SO8封裝。

一顆555計(jì)數(shù)器來(lái)自德州儀器，實(shí)際型號(hào)為L(zhǎng)MC555，該器件器件是業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)555系列通用計(jì)時(shí)器的 CMOS 版本。LMC555具有與LM555相同的產(chǎn)生精確時(shí)延和頻率的能力，但功耗和電源電流尖峰要低得多。在一次性模式下，時(shí)延由單個(gè)外部電阻器和電容器精確控制。在非穩(wěn)態(tài)模式下，振蕩頻率和占空比由兩個(gè)外部電阻器和一個(gè)電容器精確設(shè)置。

一顆四通道電壓比較器來(lái)自意法，實(shí)際型號(hào)為L(zhǎng)M239，該器件包含四個(gè)獨(dú)立的精密電壓比較器，其中LM339A、LM239A和LM139A的失調(diào)電壓最大低至2 mV。每個(gè)比較器專門設(shè)計(jì)為可在寬電壓范圍內(nèi)由單電源供電運(yùn)行，也可采用雙電源供電。 這些比較器還具有獨(dú)特特性，即使采用單電源供電，其輸入共模電壓范圍也包含地電位。

一顆運(yùn)放來(lái)自德州儀器，實(shí)際型號(hào)為L(zhǎng)MV824，該器件具有5MHz的單位增益頻率和 1.4V/μs的壓擺率，且靜態(tài)電流僅為220μA/放大器。這些器件可向 600Ω 負(fù)載提供軌至軌輸出擺幅。輸入共模電壓范圍包括地電平，最大輸入失調(diào)電壓為3.5mV。

另一顆四通道電壓比較器同樣來(lái)自意法LM239。

一顆來(lái)自意法的絲印ACD2芯片。

一顆四路2輸入與非門來(lái)自德州儀器，實(shí)際型號(hào)為SN74HC00，工作電壓范圍2V~6V，支持多達(dá)10 個(gè)LSTTL負(fù)載的扇出。

一顆意法芯片，絲印HK27。

一顆芯片絲印RCW。

以上是本次方案解析的全部?jī)?nèi)容，來(lái)一張全家福。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

充電頭網(wǎng)了解到，SYNQOR BQ60120HEA25NNS主控側(cè)可見UC2842B電流模式PWM芯片、比較器/運(yùn)放/基準(zhǔn)與邏輯器件共同構(gòu)成啟動(dòng)、保護(hù)、調(diào)節(jié)與管理功能。在功率器件方面則采用英飛凌IRF7832、威世SI7852DP等多顆MOSFET分擔(dān)開關(guān)與同步整流壓力，并輔以美臺(tái)PDS5100HQ等器件完成輔助供電環(huán)節(jié)。整體來(lái)看該模塊整體呈現(xiàn)出典型的7×24小時(shí)長(zhǎng)期運(yùn)行的設(shè)計(jì)取向。