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今日半導(dǎo)體設(shè)備繼續(xù)強勢，半導(dǎo)體設(shè)備ETF(159516)收漲7.5%。

資料來源：wind

上漲因素分析

1、消息面上，1月6日，商務(wù)部發(fā)布2026年第1號關(guān)于加強兩用物項對日本出口管制的公告。為維護國家安全和利益、履行防擴散等國際義務(wù)，決定加強兩用物項對日本出口管制：禁止所有兩用物項對日本軍事用戶、軍事用途，以及一切有助于提升日本軍事實力的其他最終用戶用途出口。

日本是在中國的半導(dǎo)體設(shè)備與材料份額較大，其中，如東京電子、愛德萬、佳能等企業(yè)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域競爭力較強。而材料方面，日本企業(yè)幾乎壟斷了全球的光刻膠供應(yīng)。目前高市早苗上臺之后，日本政府一系列的荒唐行徑增加了地緣摩擦，供應(yīng)鏈安全的重要性再度飆升。展望后市，中國企業(yè)有望逐步蠶食日本半導(dǎo)體企業(yè)在華份額，形成自主可控。

2、英偉達存儲池化技術(shù)增加了Nand需求。昨日在CES大會上，英偉達宣布在網(wǎng)絡(luò)體系增加一個獨立的高速“記憶層”。通過BlueField-4來管理，將KV緩存放在近端SSD（Nand），平均每個GPU對應(yīng)16TB容量。受此消息影響，昨日夜間美股存儲強勢。從存儲炒作看，目前A股缺乏原廠標(biāo)的，多為模組廠商。指數(shù)基金中存儲含量通常不多。因此，順此思路看半導(dǎo)體設(shè)備賽道是較為順暢的。今年存儲產(chǎn)能大幅擴產(chǎn)的預(yù)期之下，半導(dǎo)體設(shè)備有望持續(xù)受益。近期光刻機進口數(shù)據(jù)也體現(xiàn)了這一點。

后市展望

后市催化1：存儲板塊催化仍然明確，“漲價”+“擴產(chǎn)”可能持續(xù)演繹

據(jù)第三方數(shù)據(jù)，DRAM（內(nèi)存）與NAND Flash（閃存）現(xiàn)貨價格自2025年9月起累計漲幅均超過300%，第四季度合約價同比上漲75%，DDR5顆粒單月漲幅甚至突破90%。26Q1存儲漲價仍可能超出預(yù)期。因目前產(chǎn)能緊缺問題仍未緩解，且需求端AI出貨還在加速，除了GPU出貨量大幅增長之外，當(dāng)前單GPU對應(yīng)的存儲需求也可能持續(xù)上楊。

展望后市，AI GPU或仍將保持較陡峭斜率上漲，疊加AI推理等市場興起，存儲產(chǎn)能緊缺或成為貫穿2026年的投資主線之一，存儲龍頭上市也有望強化存儲擴產(chǎn)預(yù)期。目前存儲3D堆疊趨勢持續(xù)提升刻蝕、薄膜沉積及配套的量測等環(huán)節(jié)設(shè)備在產(chǎn)線上價值量占比，疊加存儲產(chǎn)線對國產(chǎn)化率要求較高，相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭或持續(xù)受益。且由于目前A股尚無存儲原廠標(biāo)的，更無相關(guān)的ETF，半導(dǎo)體設(shè)備成為存力景氣投資確定性最強的方向之一。

后市催化2：光刻機進口數(shù)據(jù)或持續(xù)超出預(yù)期

從近期光刻機進口數(shù)據(jù)看，11月光刻機進口金額為46億元，其中上海進口35億。9月以來，上海光刻機進口開始爆量， 9-11月光刻機進口數(shù)據(jù)分別為62、43和35億元，三個月合計進口規(guī)模接近2024年全年（150億元），擴產(chǎn)需求強烈。除了存儲之外，目前GPU等產(chǎn)品所需的先進制程也有較多增量需求，光刻機數(shù)據(jù)就是良好佐證。

“存儲擴產(chǎn)+先進制程擴產(chǎn)”雙重推動，半導(dǎo)體設(shè)備ETF具備【催化明確+估值較低】兩大優(yōu)勢

這一輪存儲甚至半導(dǎo)體設(shè)備的敘事不同于以往的周期復(fù)蘇或國產(chǎn)替代，而是實打?qū)嵉氖芤嬗谌駻I驅(qū)動的高景氣。無論是AI算力所需的先進制程擴產(chǎn)，還是AI存力推動的存儲擴產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備都是突破產(chǎn)能瓶頸的核心環(huán)節(jié)。

估值方面，截至1月6日，半導(dǎo)體設(shè)備ETF標(biāo)的指數(shù)PETTM為94.81x，位于上市以來78.06%分位。雖然近期漲幅較大，但是估值分位依然低于其他主流的半導(dǎo)體指數(shù)。伴隨漲幅累積，我們現(xiàn)在也需要格外關(guān)注短期波動風(fēng)險，沒在車上的也可以考慮后續(xù)擇機逢低布局，分批參與。

資料來源：wind

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風(fēng)險提示

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