根據(jù)Counterpoint Research這份2025年12月的報告，其核心觀點可以總結為以下幾點，遵循了原文的邏輯結構：

1. 先進封裝格局轉變：EMIB-T成為關鍵替代方案

• 驅動因素：為應對臺積電CoWoS產能的嚴重短缺和集中于臺灣的地緣政治風險，云服務提供商（CSP）正尋求替代方案。

• 解決方案：英特爾EMIB-T 技術通過使用局部硅橋而非全尺寸中介層或RDL，提供了高性能替代方案，能降低超過30%的封裝成本，并繞過CoWoS的供應瓶頸。

• 市場影響：亞馬遜、Meta、谷歌等巨頭的下一代AI ASIC項目（如Trainium 3, MTIA 4, TPU v9e）正在積極評估或采用“臺積電邏輯芯片 + 英特爾封裝”的混合模式。但這仍處于設計驗證階段，大規(guī)模量產和收入貢獻預計要到2027年。

• 復蘇動力：得益于臺積電先進制程的產能緊張帶來的訂單外溢，以及HBM4/HBM4E對邏輯基板芯片的強勁需求（三星內存與晶圓代工業(yè)務協(xié)同效應）。

• 各節(jié)點展望：

• • SF2（2nm）：逐步爬坡，主要依靠內部Exynos（如Galaxy S26用Exynos 2600）和特斯拉AI5等外部項目，顯著貢獻將在2026年底至2027年。

  • SF4/5（4/5nm）：成為利用率支柱，需求來自HBM基板芯片、三星中端手機SoC和高通低端AP。

  • 8nm：需求穩(wěn)定，主要受英偉達為任天堂Switch 2定制的T239 SoC 驅動，該節(jié)點在成本敏感的領域仍有生命力。

• 技術進展：海思麒麟9030系列采用中芯國際N+3（約6nm） 工藝，性能接近臺積電6nm，但在沒有EUV光刻機的情況下，依靠DUV多重曝光導致良率較低（約20-30%），限制了旗艦芯片出貨量（2025年預計僅1-3百萬片）。

• 未來挑戰(zhàn)：由于EUV缺位和研發(fā)復雜性增加，中芯國際難以維持年度工藝迭代。N+4（約5nm）工藝很可能推遲至2027年推出。2025年麒麟芯片總出貨約5000萬片，主要靠中端麒麟8000系列驅動。

• 資本支出：預計2026年資本支出將增長15-25%，達到480-520億美元，主要用于擴張N2/N3產能和海外（如亞利桑那州）工廠建設。

• 產能規(guī)劃：

• • N2（2nm）：需求強勁，客戶群（蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、英特爾、AMD）廣于同期N3。產能預計2026年底達65-70K WPM，2027年底達110-120K WPM。

  • N3（3nm）：需求持續(xù)，英偉達Rubin平臺等將采用。產能將繼續(xù)擴張。

• 整體趨勢：受AI芯片強勁需求推動，2026年全球晶圓代工價格預計將個位數(shù)同比增長。

• 主要廠商：

• • 臺積電：先進節(jié)點（N2-N5）產能持續(xù)緊張，預計價格上漲3-5%。成熟節(jié)點（6-90nm及8英寸）為維持利用率，可能提供2-3%的折扣。

  • 三星：先進節(jié)點（2/4/5nm）利用率提升，預計價格上漲5-10%。

  • 中國廠商（中芯國際、華虹）：受國內補貼政策和支持性需求推動，已在2025年下半年將8英寸晶圓價格上調5-10%，2026年焦點轉向利潤提升。

  • 其他臺灣廠商（聯(lián)電、世界先進、力積電）：供需情況各異，部分節(jié)點價格也將上漲。