得益于全球AI需求激增，芯片代工龍頭臺(tái)積電近日披露2025年四季度業(yè)績(jī)，凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)35%創(chuàng)下歷史新高，遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。同時(shí)，臺(tái)積電為2026年給出強(qiáng)勁的業(yè)績(jī)指引和最高將達(dá)560億美元、同比增長(zhǎng)37%的資本開支計(jì)劃。

當(dāng)前AI成為驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)成長(zhǎng)的關(guān)鍵因素，AI硬件需求釋放出持續(xù)增長(zhǎng)的積極信號(hào)。在存儲(chǔ)漲價(jià)與先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)的雙輪驅(qū)動(dòng)下，2026年全球半導(dǎo)體有望維持高景氣增長(zhǎng)。

隨著AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)持續(xù)，2026年AI芯片資本開支預(yù)期不斷提高，全球加快先進(jìn)制程的產(chǎn)能建設(shè)，國(guó)內(nèi)也將維持高速增長(zhǎng)，在AI算力需求爆發(fā)與自主可控需求的推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)晶圓制造企業(yè)紛紛加速擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備與材料環(huán)節(jié)迎來(lái)新一輪發(fā)展機(jī)遇。

存儲(chǔ)方面，當(dāng)前AI訓(xùn)練與推理對(duì)各類存儲(chǔ)器需求全面上升。在1月6日舉行的2026年國(guó)際消費(fèi)電子展（CES）上，英偉達(dá)發(fā)布Vera RubinAI超級(jí)計(jì)算機(jī)平臺(tái)，構(gòu)建了全新的推理上下文內(nèi)存存儲(chǔ)平臺(tái)，用于高效經(jīng)濟(jì)的解決海量KV緩存問(wèn)題，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)需求進(jìn)一步增長(zhǎng)。在DRAM、SSD需求已經(jīng)達(dá)到可觀量級(jí)的同時(shí)，供給端的增長(zhǎng)則非常有限。此外，頭部存儲(chǔ)芯片廠將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、DDR5等適配AI和數(shù)據(jù)中心的高端芯片，進(jìn)一步加強(qiáng)存儲(chǔ)漲價(jià)周期的強(qiáng)度。

對(duì)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)而言，當(dāng)前國(guó)內(nèi)成熟制程芯片產(chǎn)能約占全球的三分之一，先進(jìn)存儲(chǔ)、先進(jìn)制程資本開支空間依舊較大，隨著各地先進(jìn)制程項(xiàng)目落地，以及國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)公司加速擴(kuò)產(chǎn)。同時(shí)，在當(dāng)前日趨復(fù)雜的國(guó)際形勢(shì)下，芯片長(zhǎng)期自主可控的趨勢(shì)不變。隨著國(guó)產(chǎn)設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力加強(qiáng)，2026年國(guó)產(chǎn)化率有望進(jìn)一步提升。