富凱摘要：在科技算力競爭延伸至存力領(lǐng)域、內(nèi)存條價格狂飆的當(dāng)下，通富微電迎來發(fā)展契機。

作者|川扇假

在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，算力競爭的烽火已蔓延至存力領(lǐng)域，一場激烈的存力角逐就此拉開帷幕。近幾個月以來，內(nèi)存條市場價格一路狂飆，數(shù)倍的漲幅令人咋舌。業(yè)內(nèi)甚至戲稱，囤內(nèi)存條的增值潛力遠(yuǎn)超囤黃金。

當(dāng)然，這不過是行業(yè)內(nèi)的一句玩笑話。畢竟，黃金作為傳統(tǒng)避險資產(chǎn)，其大規(guī)模易開采金礦的發(fā)現(xiàn)概率微乎其微，而內(nèi)存市場則截然不同，其擴產(chǎn)速度雖然不快，但兩三年時間必將帶來翻天覆地變化。

在此背景下，通富微電近期公布了一項44億元的定增計劃，其中就包括提升存儲芯片封測產(chǎn)能，待項目建成，年新增存儲芯片封測產(chǎn)能將達(dá)84.96萬片。在這一利好消息刺激下，通富微電股價接連上揚，一躍成為存儲芯片概念股中的領(lǐng)頭羊。

存儲封測賽道大贏家

2026年初，全球存儲市場漲聲一片，一條256GB服務(wù)器級DDR5內(nèi)存價格沖破4.5萬元關(guān)口，相較于2025年下半年，漲幅超300%；消費級16GB DDR5筆記本內(nèi)存條價格從380元猛躥至千元以上。

這股由AI算力需求點燃的漲價浪潮，正以“蝴蝶效應(yīng)”重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格局，而通富微電作為全球存儲封測領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，自然不會錯過這波行業(yè)上行契機。

通富微電是國內(nèi)半導(dǎo)體封裝測試行業(yè)的頭部企業(yè)之一，在全球封測市場位居第四、國內(nèi)排名第二，為全球客戶呈上從設(shè)計仿真、圓片中測，到封裝、成品測試的全流程服務(wù)。作為國內(nèi)率先達(dá)成7nm/5nm Chiplet封裝量產(chǎn)的企業(yè)之一，通富微電與AMD高端CPU/GPU封測訂單深度綁定，其終端應(yīng)用覆蓋手機、汽車、AI服務(wù)器等領(lǐng)域，其中集成電路封測業(yè)務(wù)在營收中的占比高達(dá)96%，業(yè)務(wù)聚焦程度極高。

通富微電在2026年開年便拋出一份規(guī)模高達(dá)44億元的定向增發(fā)計劃，資金將用于提升存儲、汽車、晶圓級和高性能計算封測產(chǎn)能，并補充流動資金。其中，存儲封測項目投資8.88億元，預(yù)計新增年產(chǎn)能84.96萬片。公司稱，此次募投項目順應(yīng)國產(chǎn)替代與技術(shù)升級大勢，可緩解產(chǎn)能壓力，提升高端封測能力。

對于這份定增計劃，市場給予了積極回應(yīng)。通富微電在1月16日強勢漲停，單日成交金額達(dá)80.14億元，這反映出資金對其技術(shù)落地與擴產(chǎn)前景的高度看好。

一方面，存儲芯片制造商迎來難得的盈利窗口期，在市場需求急劇增長的背景下，產(chǎn)能已趨飽和，新建一條存儲生產(chǎn)線需兩年以上時間，不少老牌內(nèi)存巨頭并無擴產(chǎn)計劃，妄圖坐享供需失衡帶來的紅利，卻忽視了后來者的奮起直追。

另一方面，通富微電作為內(nèi)存巨頭的封測合作伙伴，其大尺寸封裝量產(chǎn)技術(shù)取得重大突破，在存儲芯片領(lǐng)域，其技術(shù)核心在于高堆疊封裝能力，通富微電已實現(xiàn)多層堆疊NAND閃存與LPDDR內(nèi)存的穩(wěn)定量產(chǎn)，還在國內(nèi)率先完成基于TSV技術(shù)的3DS DRAM封裝開發(fā)，具備擴大存儲芯片產(chǎn)能的深厚技術(shù)積淀。

在市場層面，進入2026年，內(nèi)存價格的上漲態(tài)勢并未減弱，無論是DDR5、DDR4還是DDR3，價格均持續(xù)上揚。眾多研報對此展開分析，認(rèn)為內(nèi)存價格的上漲趨勢在短期內(nèi)難以扭轉(zhuǎn)。

存儲大廠為追求更高利潤，將產(chǎn)能從DDR4轉(zhuǎn)向HBM和DDR5，這使得DDR4供應(yīng)缺口急劇放大，而需求端仍有不小的規(guī)模，尤其是工業(yè)自動化、醫(yī)療設(shè)備、工控機等領(lǐng)域因認(rèn)證周期較長，仍依賴DDR4平臺，這種供需失衡狀況導(dǎo)致DDR4價格大幅飆升，甚至出現(xiàn)價格倒掛現(xiàn)象。

盡管近期多家國內(nèi)存儲領(lǐng)域企業(yè)陸續(xù)公布擴產(chǎn)計劃，但由于產(chǎn)能釋放需要一定時間周期，內(nèi)存緊缺的局面還會持續(xù)一段時間，而轉(zhuǎn)機則取決于內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)替代浪潮能否成功承接DDR4、DDR3需求，以及產(chǎn)能何時釋放。

國產(chǎn)替代浪潮下的業(yè)績騰飛

在半導(dǎo)體國產(chǎn)替代的洶涌浪潮推動下，通富微電近年來業(yè)績大放異彩。作為國內(nèi)集成電路封測行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，通富微電近年來業(yè)績不僅展現(xiàn)出顯著的復(fù)蘇態(tài)勢，更實現(xiàn)了結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級。

數(shù)據(jù)顯示，通富微電營收于2020年成功突破百億元大關(guān)，不過受全球半導(dǎo)體周期下行沖擊，此后營收增速有所趨緩。尤其是2023年，通富微電雖維持了營收增長，但凈利潤卻大幅下滑66%。

然而，自2023年起，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度逐步回升，疊加國產(chǎn)替代進程加速推進，通富微電順勢駛?cè)敫咴鲩L快車道。2024年，公司營收達(dá)238.82億元，同比增長7.24%；凈利潤6.78億元，同比暴增300%，業(yè)績表現(xiàn)極為亮眼。

步入2025年，通富微電的業(yè)績延續(xù)攀升態(tài)勢。2025年前三季度，公司營收201.16億元，同比增長17.77%；歸母凈利潤8.60億元，同比增長55.74%。其中，第三季度單季凈利潤4.48億元，環(huán)比二季度增長38.8%，強勁的增長動能盡顯無遺。

從客戶構(gòu)成來看，AMD訂單在通富微電收入中仍占據(jù)主導(dǎo)地位，占比超80%，但值得一提的是，通富微電已成功拓展客戶版圖，覆蓋了英偉達(dá)、高通等國際行業(yè)巨頭，以及長江存儲、長鑫存儲等國內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)，客戶多元化戰(zhàn)略有效降低了經(jīng)營風(fēng)險。

在技術(shù)領(lǐng)域，通富微電雙管齊下。一方面，大力推進先進封裝技術(shù)的預(yù)先研發(fā)，另一方面，積極布局存儲芯片賽道。針對智能手機與平板電腦市場，通富微電開發(fā)超薄FCBGA封裝技術(shù)，通過高堆疊3D NAND封裝技術(shù)，深度布局服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。

當(dāng)前，制約通富微電發(fā)展的關(guān)鍵因素并非客戶與技術(shù)，而是產(chǎn)能瓶頸。通富微電的南通工廠產(chǎn)能已趨飽和，處于滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)狀態(tài)，面對國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)周期上行的大趨勢，以及國家政策對半導(dǎo)體和芯片產(chǎn)業(yè)的大力扶持，通富微電必然要通過產(chǎn)能擴張，推動技術(shù)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化落地與規(guī)?；l(fā)展。

因此，隨著通富微電定增計劃的出爐，為公司開辟了新的業(yè)績增長空間與未來想象空間，據(jù)通富微電介紹，此次定增重點聚焦于存儲芯片封測、車載芯片封測、晶圓級封測以及面向高性能計算與通信芯片的封測能力布局，在擴充產(chǎn)能規(guī)模的同時，優(yōu)化產(chǎn)品與工藝結(jié)構(gòu)，以更好地匹配下游芯片高算力、高可靠性、高集成度的發(fā)展趨勢。

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