近期半導(dǎo)體領(lǐng)域接連傳出重磅動態(tài)，臺積電與三星這兩大全球芯片制造領(lǐng)軍者同步宣布戰(zhàn)略調(diào)整：一邊是加速淘汰服役多年的舊產(chǎn)線，另一邊則是暫緩甚至收縮在美國的建廠節(jié)奏，將資源重心重新向亞洲區(qū)域傾斜。

消息一經(jīng)披露，多家境外媒體迅速渲染解讀，拋出“中國客戶大規(guī)模撤單”“企業(yè)臨陣倒戈”等聳動說法，字里行間充滿誤導(dǎo)性暗示，引發(fā)市場情緒波動。

可真相究竟如何？

先聚焦臺積電的布局優(yōu)化。早在2025年8月，該公司便正式對外披露，將在未來24個月內(nèi)系統(tǒng)性退出6英寸晶圓代工業(yè)務(wù)，并對若干8英寸產(chǎn)線實(shí)施結(jié)構(gòu)性整合，部分產(chǎn)線將終止運(yùn)營。

具體執(zhí)行層面，位于新竹科學(xué)園區(qū)的6英寸二廠將全面停止生產(chǎn)；同時，新竹地區(qū)三座8英寸晶圓廠也將啟動產(chǎn)能再分配，約三成相關(guān)技術(shù)人員將有序轉(zhuǎn)崗至南部科學(xué)園區(qū)的新建基地。

不少觀察者誤讀為“主動收縮市場”，實(shí)則恰恰相反——這些6英寸及部分8英寸產(chǎn)線均已連續(xù)運(yùn)行超二十年，設(shè)備老化嚴(yán)重、能耗偏高、單位產(chǎn)出效益持續(xù)走低，產(chǎn)品多集中于微控制器、電源管理IC等中低階應(yīng)用領(lǐng)域。

臺積電早已規(guī)劃清晰的替代路徑：原6英寸廠區(qū)將轉(zhuǎn)型為先進(jìn)面板級扇出型封裝（FOPLP）量產(chǎn)基地；而保留的8英寸產(chǎn)線，則專用于批量制造其自主研發(fā)的極紫外光刻（EUV）光罩用高性能薄膜材料。整套動作本質(zhì)是產(chǎn)能升級與價值鏈躍遷，與中國采購行為無任何因果關(guān)聯(lián)。

三星的動作更為果決，已明確計劃于2026年第三季度起，永久關(guān)閉其位于韓國器興的8英寸晶圓廠之一。

該工廠停產(chǎn)后，三星整體8英寸晶圓月均供應(yīng)能力將由25萬片壓縮至不足20萬片，降幅約兩成。

驅(qū)動這一決策的核心動因，在于8英寸平臺整體利用率長期徘徊在70%上下。當(dāng)前CMOS圖像傳感器、TDDI顯示驅(qū)動芯片等主力產(chǎn)品正加速向12英寸制程遷移，原有8英寸產(chǎn)線不僅折舊成本攀升，單位晶圓制造費(fèi)用亦顯著高于新一代產(chǎn)線，維持三座同規(guī)格工廠已明顯偏離經(jīng)濟(jì)效益最優(yōu)解。這是技術(shù)代際更替下的自然演進(jìn)，而非應(yīng)對外部需求變化的被動應(yīng)對。

反觀中國本土芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展態(tài)勢，近年來進(jìn)步之快令人矚目。

行業(yè)權(quán)威統(tǒng)計顯示，截至2025年，我國半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備的國產(chǎn)化滲透率已由原先的25%提升至35%，其中新建12英寸晶圓廠所采用的國產(chǎn)設(shè)備比例更高達(dá)55%。

過去高度依賴進(jìn)口的多項核心裝備與基礎(chǔ)材料，如今已實(shí)現(xiàn)規(guī)�；灾鞴┙o。

以等離子刻蝕設(shè)備為例，中微半導(dǎo)體研發(fā)的Prismo系列已成功導(dǎo)入長江存儲、長鑫存儲等國內(nèi)頭部存儲廠商產(chǎn)線，工藝精度與穩(wěn)定性達(dá)到國際一線水準(zhǔn)。

在高端硅基襯底領(lǐng)域，滬硅產(chǎn)業(yè)的300mm大尺寸半導(dǎo)體硅片月度最大產(chǎn)能已達(dá)75萬片，累計通過下游客戶認(rèn)證的規(guī)格型號逾820種，服務(wù)客戶數(shù)量突破100家。

產(chǎn)品廣泛覆蓋邏輯芯片、DRAM/NAND閃存等高端應(yīng)用場景，并已向射頻前端、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域客戶穩(wěn)定提供工程樣品及小批量供貨。

但這絕不等于中國正在放棄進(jìn)口高端芯片。

海關(guān)總署最新數(shù)據(jù)顯示，2025年前10個月，我國集成電路進(jìn)口總額達(dá)3432.6億美元，同比上升9%，已連續(xù)22個月保持正增長；僅10月單月進(jìn)口額即達(dá)377.7億美元。

值得注意的是，進(jìn)口結(jié)構(gòu)持續(xù)向高階集中——臺積電7納米及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的芯片，在其全球營收中占比高達(dá)77%，而這類尖端產(chǎn)品目前仍無法在國內(nèi)產(chǎn)線完全復(fù)刻，構(gòu)成了進(jìn)口清單中的絕對主力。

對中國市場，臺積電與三星同樣高度重視。2025年第四季度財報顯示，中國大陸地區(qū)貢獻(xiàn)了臺積電當(dāng)季總營收的9%，這一份額在全球單一市場中穩(wěn)居前三。如此體量的戰(zhàn)略級客戶，沒有任何一家晶圓代工巨頭會輕言舍棄。

至于美本土建廠進(jìn)展遲滯的問題，癥結(jié)遠(yuǎn)非意愿不足，而是現(xiàn)實(shí)約束重重。

以臺積電亞利桑那州首期工廠為例，初始預(yù)算為120億美元，后續(xù)追加投資已飆升至1650億美元；同等規(guī)模產(chǎn)線在美國的綜合建設(shè)與運(yùn)營成本，較臺灣地區(qū)高出30%至50%。

項目落地過程中遭遇的制度性障礙尤為突出：內(nèi)部合規(guī)流程需遵循多達(dá)1.8萬項細(xì)則，僅完成全部審批就耗資3500萬美元；當(dāng)?shù)厮Y源極度匱乏，迫使企業(yè)自建長達(dá)數(shù)公里的閉環(huán)廢水回收系統(tǒng)；高純度特種氣體與前驅(qū)體材料須從臺灣空運(yùn)，物流成本翻倍；美國本地操作技工薪資水平為臺灣同行的兩倍，且合格人才儲備嚴(yán)重不足，臺積電不得不從母廠抽調(diào)骨干赴美支援，結(jié)果又觸發(fā)當(dāng)?shù)毓䦶?qiáng)烈反彈。

最根本的挑戰(zhàn)在于盈利模型失衡：臺灣廠區(qū)平均毛利率穩(wěn)定在62%，而亞利桑那工廠預(yù)估毛利率僅為8%，幾乎處于盈虧臨界點(diǎn)。

相較之下，亞洲制造集群的優(yōu)勢愈發(fā)凸顯。首先是產(chǎn)業(yè)生態(tài)高度協(xié)同——從EDA工具、IP核授權(quán)、芯片設(shè)計，到晶圓制造、先進(jìn)封裝、測試驗證，再到設(shè)備、材料、氣體等上游配套，已形成全球最完整、響應(yīng)最快的垂直整合體系。

例如滬硅產(chǎn)業(yè)的硅片、中微公司的刻蝕機(jī)，均可在數(shù)周內(nèi)完成產(chǎn)線適配與工藝驗證，大幅縮短新品量產(chǎn)周期。

其次是綜合成本優(yōu)勢穩(wěn)固——人工薪酬、土地租金、能源價格、基礎(chǔ)設(shè)施維護(hù)等剛性支出均顯著低于美國，為企業(yè)可持續(xù)盈利提供堅實(shí)支撐。

最后是運(yùn)營效率領(lǐng)先——臺積電在臺灣的主力廠區(qū)可實(shí)現(xiàn)全自動化24小時三班輪轉(zhuǎn)，熟練技工儲備充足，設(shè)備調(diào)試周期短、故障響應(yīng)速度快；而美國工廠受制于工會條款、文化差異與培訓(xùn)周期，難以復(fù)制同等運(yùn)轉(zhuǎn)節(jié)奏與響應(yīng)能力。

綜上可見，臺積電與三星的產(chǎn)線精簡舉措及區(qū)域戰(zhàn)略回調(diào)，絕非所謂“立場轉(zhuǎn)向”，更非回應(yīng)所謂“中國市場萎縮”，而是基于全球產(chǎn)能配置效率、技術(shù)代際演進(jìn)規(guī)律與商業(yè)回報周期作出的審慎判斷。

關(guān)停老舊設(shè)施是為了騰挪資源深耕高毛利、高技術(shù)壁壘業(yè)務(wù)；回歸亞洲布局，則是選擇在供應(yīng)鏈韌性最強(qiáng)、成本結(jié)構(gòu)最優(yōu)、人才密度最高的區(qū)域鞏固核心競爭力。

那些脫離產(chǎn)業(yè)實(shí)際、刻意煽動對立的外媒論調(diào)，既無視半導(dǎo)體制造業(yè)的客觀規(guī)律，也低估了全球供應(yīng)鏈深度耦合的現(xiàn)實(shí)邏輯。

隨著中國芯片自主化進(jìn)程穩(wěn)步推進(jìn)，未來中低端通用芯片進(jìn)口量或?qū)⒅鸩较陆�，但面向人工智能、高性能計算、車�?guī)級芯片等前沿領(lǐng)域的高端進(jìn)口需求仍將長期存在。而企業(yè)最終的產(chǎn)能落子，永遠(yuǎn)取決于哪里能提供更優(yōu)的制造效率、更強(qiáng)的技術(shù)協(xié)同與更可持續(xù)的商業(yè)回報。

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