（AI云資訊消息）最近一段時間有媒體報道，蘋果可能為計劃于2027年推出的最低端M系列芯片，以及2028年的非Pro版iPhone芯片，選用英特爾的18A-P制程工藝。該報道進一步指出，預(yù)計于2028年面世的蘋果定制專用集成電路也將采用英特爾的嵌入式多芯片互連橋接封裝技術(shù)。

蘋果已與英特爾簽署保密協(xié)議，并獲取了先進18A-P制程的工藝設(shè)計套件樣本用于評估。英特爾18A-P制程是其首個支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)的節(jié)點，該技術(shù)可通過硅通孔實現(xiàn)多芯片的立體堆疊。

然而，當前多位行業(yè)內(nèi)部人士在論壇發(fā)表評論，給英特爾代工蘋果iPhone芯片的期望澆了一盆冷水。這一悲觀論斷的核心，源于該芯片制造商對其18A與14A制程節(jié)點全面押注背面供電技術(shù)這一爭議性決策。

英特爾對尖端18A及14A制程節(jié)點采取了全面押注背面供電技術(shù)的策略，這與臺積電同時提供含背面供電技術(shù)和不含該技術(shù)的多元制程節(jié)點不同。

誠然，背面供電技術(shù)確實能帶來一定的性能提升：由于電力通過芯片背面更短、更厚的金屬路徑傳輸，降低了電壓降，使得芯片能在更高且更穩(wěn)定的頻率下運行；同時釋放了正面布線資源，從而提升晶體管密度，緩解布線擁塞并縮短線路長度。

然而對于移動芯片而言，這種技術(shù)帶來的性能提升相當有限。更關(guān)鍵的是，該技術(shù)會導(dǎo)致更嚴重的自熱效應(yīng)，需要對芯片增加額外的散熱措施。事實上，根據(jù)相關(guān)討論，采用背面供電技術(shù)后，要使芯片熱點區(qū)域維持相同溫度，散熱器必須額外降低約20攝氏度，由于垂直方向的熱擴散效率本就欠佳，而移除厚硅襯底后橫向熱擴散能力進一步惡化，這在依賴風(fēng)冷或存在外殼最高允許溫度限制的多數(shù)應(yīng)用場景中根本無法實現(xiàn)。

基于這些棘手的熱管理問題，業(yè)內(nèi)專家認為英特爾短期內(nèi)絕無可能獲得蘋果iPhone芯片的代工訂單。當然，M系列處理器仍存在合作可能。