當(dāng)全球能源轉(zhuǎn)型進(jìn)入深水區(qū)，功率電子作為能源轉(zhuǎn)換與高效利用的核心載體，正迎來以寬禁帶半導(dǎo)體（SiC/GaN）為核心的技術(shù)革命。

2026年8月26日，深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的PCIM Asia深圳展會，將成為這場革命的重要見證者——由半導(dǎo)體行業(yè)觀察傾力打造的“破局與共生——寬禁帶半導(dǎo)體引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)升級與智能應(yīng)用革新”專場論壇，不僅匯聚全球產(chǎn)業(yè)鏈頂尖力量，更將以技術(shù)深潛、產(chǎn)業(yè)協(xié)同、趨勢預(yù)判的多維視角，解構(gòu)寬禁帶半導(dǎo)體從技術(shù)突破到規(guī)模落地的核心命題，為行業(yè)提供可落地、高價值的戰(zhàn)略參考。

01

戰(zhàn)略錨點：寬禁帶半導(dǎo)體重構(gòu)全球功率

電子產(chǎn)業(yè)格局

在“雙碳”目標(biāo)與新能源革命的雙重驅(qū)動下，功率電子的應(yīng)用場景正從傳統(tǒng)工業(yè)控制向新能源汽車、儲能系統(tǒng)、高壓快充、AI數(shù)據(jù)中心等高端領(lǐng)域全面延伸，對器件的耐高壓、耐高溫、低損耗、高密度特性提出了極致要求。

傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體受限于物理特性，已難以滿足800V高壓平臺、kW級功率密度、超高頻開關(guān)等新一代應(yīng)用需求，而寬禁帶半導(dǎo)體憑借其優(yōu)異的材料本質(zhì)（SiC禁帶寬度3.26eV，GaN禁帶寬度3.4eV，均為硅的2倍以上），實現(xiàn)了開關(guān)損耗降低80%以上、器件體積縮小50%以上、工作溫度提升至200℃以上的性能飛躍，成為破解能源轉(zhuǎn)換效率瓶頸的核心技術(shù)路徑。

從產(chǎn)業(yè)格局來看，寬禁帶半導(dǎo)體已進(jìn)入“技術(shù)量產(chǎn)化”與“應(yīng)用規(guī)?；钡年P(guān)鍵交匯期。據(jù)Yole Intelligence預(yù)測，2026年全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體市場規(guī)模將突破150億美元，2030年有望達(dá)到400億美元，年復(fù)合增長率維持在30%以上。其中，新能源汽車（電驅(qū)系統(tǒng)、OBC車載充電機(jī)）、儲能變流器（PCS）、工業(yè)電源三大領(lǐng)域貢獻(xiàn)核心需求，占比超70%。

而中國作為全球最大的新能源汽車、儲能、數(shù)據(jù)中心市場，已成為寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭的核心戰(zhàn)場——國產(chǎn)化替代與全球技術(shù)協(xié)同的雙重邏輯，正在重塑產(chǎn)業(yè)鏈的價值分配體系。

02

核心痛點：技術(shù)、供應(yīng)鏈、應(yīng)用的

三重突圍與深層破局

本次論壇聚焦的三大核心痛點，并非泛化的產(chǎn)業(yè)難題，而是基于當(dāng)前寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中的“真問題”，直指技術(shù)落地、供應(yīng)鏈協(xié)同、場景適配的關(guān)鍵瓶頸，需要全產(chǎn)業(yè)鏈以精準(zhǔn)施策實現(xiàn)深層破局。

（一）技術(shù)瓶頸：

從“實驗室突破”到“量產(chǎn)級穩(wěn)定”的工程化跨越

寬禁帶半導(dǎo)體的技術(shù)壁壘貫穿材料制備、器件設(shè)計、封裝測試全鏈條，其核心挑戰(zhàn)已從“能不能做”轉(zhuǎn)向“能不能穩(wěn)定做、低成本做”：

• 材料制備環(huán)節(jié)：SiC襯底的缺陷控制（微管缺陷密度需降至0.1個/cm2以下）、外延層均勻性（厚度偏差≤±5%）仍是國產(chǎn)化量產(chǎn)的核心桎梏，物理氣相傳輸法（PVT）的溫場控制、原料純度優(yōu)化直接決定襯底良率；GaN外延片的異質(zhì)結(jié)界面態(tài)控制、應(yīng)力釋放技術(shù)則影響器件可靠性，當(dāng)前國內(nèi)8英寸GaN外延片良率仍較國際龍頭差距超20個百分點。

• 器件設(shè)計環(huán)節(jié)：SiC MOSFET的閾值電壓漂移、柵氧可靠性，GaN HEMT的動態(tài)導(dǎo)通電阻退化、電流崩塌效應(yīng)，需要通過器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新（如SiC溝槽MOS結(jié)構(gòu)、GaN p-GaN柵極技術(shù)）與封裝工藝協(xié)同優(yōu)化；而面向800V+高壓平臺的功率模塊，多芯片并聯(lián)的均流控制、寄生參數(shù)抑制成為設(shè)計關(guān)鍵，直接影響電驅(qū)系統(tǒng)的效率與穩(wěn)定性。

• 封裝測試環(huán)節(jié)：寬禁帶器件的高溫、高頻特性對封裝材料（如AMB陶瓷基板、高溫 solder）、散熱結(jié)構(gòu)（如雙面冷卻、微通道散熱）提出更高要求，國內(nèi)在先進(jìn)封裝設(shè)備（如高精度貼片機(jī)、功率循環(huán)測試設(shè)備）與測試標(biāo)準(zhǔn)上仍存在短板，導(dǎo)致模塊可靠性驗證周期長、成本高。

（二）供應(yīng)鏈韌性：

本土化協(xié)同與全球化適配的平衡之道

寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈具有“技術(shù)密集、資本密集、協(xié)同要求高”的特點，當(dāng)前全球供應(yīng)鏈呈現(xiàn)“國際龍頭主導(dǎo)核心環(huán)節(jié)，國內(nèi)企業(yè)加速替代”的格局，本土化供應(yīng)鏈的協(xié)同壁壘主要體現(xiàn)在三個層面：

• 關(guān)鍵材料與設(shè)備依賴：SiC襯底的高端石墨模具、GaN外延的金屬有機(jī)源（MO源）仍高度依賴進(jìn)口；8英寸SiC晶圓制造的離子注入機(jī)、薄膜沉積設(shè)備，封裝環(huán)節(jié)的高精密鍵合機(jī)等核心設(shè)備，國產(chǎn)化率不足30%，制約了產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控能力。

• 工藝適配與標(biāo)準(zhǔn)缺失：國內(nèi)上游材料企業(yè)（如襯底、外延）與下游器件設(shè)計、模塊廠商的工藝協(xié)同不足，導(dǎo)致材料性能與器件需求不匹配，試錯成本高；而行業(yè)缺乏統(tǒng)一的可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)（如高溫反向偏壓測試、功率循環(huán)測試規(guī)范），使得不同企業(yè)的產(chǎn)品難以橫向?qū)Ρ?，影響?yīng)用端的導(dǎo)入信心。

• 成本控制壓力：SiC襯底占器件總成本的40%-50%，當(dāng)前國內(nèi)6英寸SiC襯底價格仍較國際龍頭高15%-20%，8英寸襯底的規(guī)?；慨a(chǎn)尚未實現(xiàn)，成本下降曲線滯后于應(yīng)用需求，制約了寬禁帶半導(dǎo)體在中低端應(yīng)用場景的滲透。

（三）應(yīng)用落地：

新興場景與技術(shù)適配的精準(zhǔn)對接

隨著AI算力爆發(fā)、800V高壓平臺普及、儲能規(guī)模化發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用場景不斷擴(kuò)容，但技術(shù)落地仍面臨“需求碎片化、適配難度大”的挑戰(zhàn)：

• 新能源汽車領(lǐng)域：800V高壓平臺要求功率模塊的耐壓提升至1200V以上，同時滿足電驅(qū)系統(tǒng)的輕量化、小型化需求，SiC模塊與整車電控系統(tǒng)的兼容性、熱管理系統(tǒng)的適配性，成為車企導(dǎo)入的核心考量；而低成本化需求（如SiC與IGBT的混合模塊方案）也對器件設(shè)計與封裝工藝提出新要求。

• AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域：ChatGPT等大模型推動算力密度從kW/rack向10kW/rack跨越，服務(wù)器電源的效率需提升至98%以上，GaN電源模塊憑借高頻化特性（開關(guān)頻率可達(dá)MHz級）實現(xiàn)電源體積縮小40%，但高頻噪聲抑制、熱管理優(yōu)化、數(shù)字電源控制算法的適配，成為技術(shù)落地的關(guān)鍵。

• 儲能領(lǐng)域：長時儲能、虛擬電廠對PCS的效率、壽命、成本提出三重要求，SiC器件可降低儲能系統(tǒng)的充放電損耗，提升循環(huán)壽命，但在高電壓、大電流場景下的模塊并聯(lián)技術(shù)、可靠性驗證（如10萬次以上功率循環(huán)）仍需突破。

03

全球智慧碰撞：產(chǎn)學(xué)研用的協(xié)同破局路徑

本次論壇匯聚的全球頂配嘉賓陣容，并非簡單的“行業(yè)聚會”，而是圍繞核心痛點的“精準(zhǔn)對話”——國際龍頭的技術(shù)沉淀、國內(nèi)企業(yè)的替代實踐、頂尖高校的前沿探索、權(quán)威機(jī)構(gòu)的趨勢研判，將形成全方位、多層次的智慧碰撞，為產(chǎn)業(yè)破局提供多元路徑。

（一）國際龍頭：

技術(shù)量產(chǎn)化與場景深耕的實踐分享

英飛凌、羅姆、意法半導(dǎo)體等全球半導(dǎo)體龍頭，將帶來SiC/GaN技術(shù)的量產(chǎn)化經(jīng)驗——例如英飛凌的8英寸SiC襯底量產(chǎn)工藝、羅姆的GaN器件可靠性提升方案，以及在特斯拉、大眾汽車等車企的電驅(qū)系統(tǒng)適配實踐，揭示“技術(shù)迭代-成本下降-規(guī)模應(yīng)用”的正向循環(huán)邏輯；而谷歌云、亞馬遜云科技等應(yīng)用端領(lǐng)軍企業(yè)，將從數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)革新的需求出發(fā)，提出寬禁帶半導(dǎo)體在高頻、高效、高密度場景下的技術(shù)指標(biāo)與適配標(biāo)準(zhǔn)，反向推動器件技術(shù)升級。

（二）國內(nèi)中堅：

國產(chǎn)化替代與技術(shù)創(chuàng)新的突圍路徑

中車時代半導(dǎo)體、三安半導(dǎo)體、比亞迪等國內(nèi)龍頭企業(yè)，將展示本土化的技術(shù)突破成果——中車時代半導(dǎo)體的8英寸SiC MOSFET研發(fā)進(jìn)展、三安半導(dǎo)體的SiC襯底良率提升方案、比亞迪在新能源汽車領(lǐng)域的SiC模塊規(guī)模化應(yīng)用經(jīng)驗，彰顯國內(nèi)企業(yè)在核心環(huán)節(jié)的替代能力；華為數(shù)字能源、阿里云則將分享寬禁帶半導(dǎo)體在儲能系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心電源中的創(chuàng)新應(yīng)用，探索“國產(chǎn)器件+本土場景”的協(xié)同創(chuàng)新模式；清華大學(xué)、浙江大學(xué)等高?？蒲袌F(tuán)隊，將聚焦下一代寬禁帶材料（如AlN、Ga?O?）的研發(fā)、SiC襯底缺陷控制的前沿理論，為產(chǎn)業(yè)提供技術(shù)儲備。

（三）產(chǎn)學(xué)研協(xié)同：

標(biāo)準(zhǔn)共建與資源整合的生態(tài)構(gòu)建

中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會等權(quán)威機(jī)構(gòu)將牽頭探討寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的共建路徑，包括可靠性測試規(guī)范、工藝接口標(biāo)準(zhǔn)、數(shù)據(jù)共享機(jī)制等，破解行業(yè)“各自為戰(zhàn)”的協(xié)同壁壘；而圓桌對話環(huán)節(jié)圍繞“產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同破局”的深度研討，將搭建上游材料、中游器件、下游應(yīng)用、設(shè)備廠商、科研機(jī)構(gòu)的高效對接平臺，推動技術(shù)方案、供應(yīng)鏈需求、產(chǎn)學(xué)研合作的精準(zhǔn)匹配，構(gòu)建“技術(shù)研發(fā)-中試驗證-規(guī)模量產(chǎn)-場景應(yīng)用”的閉環(huán)生態(tài)。

04

趨勢前瞻：2027-2030寬禁帶半導(dǎo)體

產(chǎn)業(yè)演進(jìn)與價值重構(gòu)

本次論壇的議程設(shè)計緊扣產(chǎn)業(yè)演進(jìn)脈絡(luò)，五大主題演講將從技術(shù)、應(yīng)用、供應(yīng)鏈、場景、趨勢五個維度，勾勒寬禁帶半導(dǎo)體的未來發(fā)展藍(lán)圖：

• 技術(shù)演進(jìn)：下一代寬禁帶半導(dǎo)體將向“更大尺寸、更低缺陷、更高性能”方向突破，8英寸SiC襯底將成為量產(chǎn)主流，GaN-on-SiC異質(zhì)結(jié)技術(shù)將提升器件可靠性，而AlN、Ga?O?等超寬禁帶材料的研發(fā)將打開更高電壓、更高溫度應(yīng)用場景的想象空間；

• 應(yīng)用擴(kuò)容：電氣化交通（新能源汽車、電動飛機(jī)）、長時儲能、工業(yè)自動化、智能電網(wǎng)將成為核心增長極，寬禁帶半導(dǎo)體的滲透率將從當(dāng)前的不足5%提升至2030年的25%以上，其中新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)的滲透率將超40%；

• 供應(yīng)鏈變革：本土化供應(yīng)鏈將從“單點突破”轉(zhuǎn)向“全鏈條協(xié)同”，2030年國內(nèi)SiC襯底、外延片、器件的國產(chǎn)化率將分別提升至60%、70%、50%以上，IDM模式與垂直分工模式將并行發(fā)展，頭部企業(yè)將通過并購整合提升產(chǎn)業(yè)鏈掌控力；

• 價值重構(gòu)：隨著技術(shù)成熟與成本下降，寬禁帶半導(dǎo)體的競爭焦點將從“技術(shù)突破”轉(zhuǎn)向“場景定制化”，器件廠商與應(yīng)用端的深度綁定將成為常態(tài)，“器件+方案+服務(wù)”的一體化模式將提升產(chǎn)業(yè)鏈附加值。

05

高端對接：搶占寬禁帶半導(dǎo)體時代的

產(chǎn)業(yè)先機(jī)

作為功率電子領(lǐng)域的頂級專業(yè)論壇，本次活動的目標(biāo)受眾精準(zhǔn)鎖定產(chǎn)業(yè)鏈核心決策層與技術(shù)帶頭人——功率半導(dǎo)體上下游企業(yè)的技術(shù)負(fù)責(zé)人、新能源汽車/儲能/數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用領(lǐng)域的核心研發(fā)人員、科研機(jī)構(gòu)的學(xué)術(shù)帶頭人及行業(yè)協(xié)會專家。在這里，參與者將獲得三大核心價值：

• 技術(shù)洞察：與全球頂尖技術(shù)專家面對面交流，深度掌握SiC/GaN材料制備、器件設(shè)計、封裝測試的核心技術(shù)瓶頸與突破路徑，獲取可落地的技術(shù)解決方案；

• 資源對接：通過精準(zhǔn)匹配的供需對接環(huán)節(jié)，鏈接上游材料、中游器件、下游應(yīng)用、設(shè)備廠商的核心資源，破解供應(yīng)鏈協(xié)同壁壘，尋找產(chǎn)學(xué)研合作機(jī)會；

• 戰(zhàn)略參考：基于權(quán)威機(jī)構(gòu)的市場數(shù)據(jù)與趨勢研判，明確企業(yè)在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能布局、市場拓展等方面的戰(zhàn)略方向，搶占寬禁帶半導(dǎo)體時代的發(fā)展先機(jī)。

寬禁帶半導(dǎo)體的崛起，不僅是一場技術(shù)革命，更是全球功率電子產(chǎn)業(yè)格局的重構(gòu)機(jī)遇。2026年8月26日，深圳國際會展中心（寶安新館），“破局與共生——寬禁帶半導(dǎo)體引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)升級與智能應(yīng)用革新”專場論壇，將匯聚全球智慧、鏈接產(chǎn)業(yè)資源、破解核心難題，與產(chǎn)業(yè)鏈各方共同書寫寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)升級新篇章。

報名通道即將正式開啟，敬請關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)觀察官方平臺，鎖定與全球頂尖力量對話的稀缺席位，共赴這場功率電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)盛宴與戰(zhàn)略機(jī)遇之約！

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