阿斯麥（ASML Holding）的研究人員表示，他們找到了一種方法，可以提升關(guān)鍵芯片制造設(shè)備中的光源功率，到2030年使芯片產(chǎn)量提高多達(dá)50%。

ASML是全球唯一一家商業(yè)化生產(chǎn)極紫外光刻（EUV）設(shè)備的公司。EUV設(shè)備是芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)計(jì)算芯片的關(guān)鍵工具，例如臺(tái)積電、英特爾等企業(yè)都依賴該設(shè)備。EUV設(shè)備對(duì)芯片生產(chǎn)至關(guān)重要。

ASML負(fù)責(zé)EUV光源的首席技術(shù)專家Michael Purvis表示：

這不是一種噱頭，或者只是短時(shí)間展示它可行的技術(shù)演示。這是一個(gè)可以在客戶實(shí)際使用條件下持續(xù)輸出1000瓦功率的系統(tǒng)。

這一關(guān)鍵挑戰(zhàn)在于：以合適的功率和特性生成EUV光，從而實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量芯片制造。研究人員已將EUV光源功率從目前的600瓦提升至1000瓦。最大的優(yōu)勢在于，更高功率意味著單位時(shí)間內(nèi)可生產(chǎn)更多芯片，從而降低單顆芯片成本。

芯片的制造過程類似于攝影：EUV光照射在涂有特殊化學(xué)材料（光刻膠）的硅晶圓上。更強(qiáng)的EUV光源意味著晶圓曝光時(shí)間更短。

ASML負(fù)責(zé)NXE系列EUV設(shè)備的執(zhí)行副總裁Teun van Gogh在接受媒體采訪時(shí)表示：“我們希望確?？蛻裟軌蛞愿统杀纠^續(xù)使用EUV技術(shù)。到2030年，每臺(tái)設(shè)備每小時(shí)可處理約330片硅晶圓，而目前為220片。根據(jù)芯片尺寸不同，每片晶圓可容納數(shù)十到數(shù)千顆芯片?！?/p>

ASML之所以能夠?qū)崿F(xiàn)功率提升，是因?yàn)樵谄湓疽褬O為復(fù)雜的技術(shù)路徑上進(jìn)一步深化創(chuàng)新。

為了產(chǎn)生波長13.5納米的光，ASML設(shè)備會(huì)在腔體中噴射熔融錫液滴流，然后用強(qiáng)大的二氧化碳激光將其加熱成等離子體。這種超高溫物質(zhì)狀態(tài)下，錫液滴的溫度高于太陽，并釋放出EUV光。隨后，這些光由德國的Carl Zeiss AG提供的精密光學(xué)設(shè)備收集，并導(dǎo)入機(jī)器進(jìn)行芯片刻寫。

此次公布的關(guān)鍵突破包括：將每秒錫液滴數(shù)量提升至約10萬個(gè)（大約翻倍），并采用兩次較小的激光脈沖來塑形形成等離子體，而目前設(shè)備僅使用一次脈沖。

科羅拉多州立大學(xué)教授Jorge J. Rocca表示?！斑@非常具有挑戰(zhàn)性，因?yàn)槟惚仨氄莆赵S多技術(shù)。能夠?qū)崿F(xiàn)1千瓦功率，確實(shí)令人驚嘆?！彼膶?shí)驗(yàn)室專注于激光技術(shù)研究，并培養(yǎng)了多名ASML科學(xué)家。

Purvis表示：ASML認(rèn)為實(shí)現(xiàn)1000瓦所采用的技術(shù)將為未來進(jìn)一步提升打開空間。我們已經(jīng)看到一條相當(dāng)清晰的路徑，可以達(dá)到1500瓦，而且從根本上講，沒有理由不能達(dá)到2000瓦。