2026年2月24日，一則來自《路透社》及全球多家科技媒體的重磅報道，再次讓全球半導體產(chǎn)業(yè)的目光聚焦于荷蘭巨頭 ASML（阿斯麥）。這家公司宣布，在極紫外光刻機（EUV光刻機）的核心技術——光源功率方面取得了實質(zhì)性突破，有望在2030年前大幅提升芯片制造產(chǎn)能。

這看似專業(yè)的技術進步，其背后蘊藏著支撐智能時代的產(chǎn)業(yè)底層力量；它不僅為芯片制造帶來效率革命，也將重塑全球科技競爭格局。

極紫外光刻機（EUV，Extreme Ultraviolet Lithography）是當前全球最先進的芯片制造設備，用于在硅片上“印制”納米級電路圖案。它使用波長約 13.5納米 的極短波長光源，使得線寬能精確到極微米以下，是制造 7nm、5nm、3nm 等先進工藝芯片的核心裝備。

作為全球唯一量產(chǎn)EUV設備供應商，ASML 的光刻機是 臺積電（TSMC）、英特爾（Intel）、三星 等全球領先芯片代工廠不可或缺的核心設備。其性能與產(chǎn)能，直接決定了先進芯片的制造節(jié)奏和成本結(jié)構(gòu)。

2026年2月，ASML透露其研究團隊發(fā)現(xiàn)了一種能將EUV光刻機光源功率從 約600瓦 提升至 1000瓦（1千瓦） 的技術方案。與現(xiàn)有系統(tǒng)相比，這一提升幅度非常顯著。

ASML技術負責人 Michael Purvis 表示，這并不是實驗室短暫亮相的演示，而是在“滿足客戶真實生產(chǎn)需求”條件下能穩(wěn)定工作的系統(tǒng)。

EUV光刻機的“心臟”就是光源。它的作用是發(fā)出能夠穿透光刻掩模并精確刻畫晶圓上電路圖案的短波光。

而功率越高，意味著：光照更強 → 能以更快速度曝光晶圓上的電路圖案；曝光時間更短 → 每小時可處理更多晶圓；產(chǎn)能顯著提升 → 直接推動芯片制造效率提升；單位成本下降 → 沒有增加新裝備前提下提升產(chǎn)出。

根據(jù)ASML預測，光源提高至 1000W后，到2030年這種新一代EUV光刻機每小時晶圓處理能力預計可從約 220片提升至330片，提升幅度約 50%。

EUV光刻機的光源不是普通燈光，而是通過高功率激光打擊高速噴射的 錫液滴（Tin droplets），使其轉(zhuǎn)變成等離子體并發(fā)出極紫外光。

要提高輸出功率，工程師們需要：大幅增加錫液滴噴射頻率 —— 目前目標約每秒 100,000 個滴球；改進激光脈沖方式 —— 拆分為兩個預處理激光與一個主激光脈沖，提高能量轉(zhuǎn)換效率；優(yōu)化光學傳輸系統(tǒng) —— 確保更多光能有效聚焦到硅片曝光上；控制高能等離子體的穩(wěn)定性 —— 防止過熱與系統(tǒng)損耗。

這些技術改進意味著，光源不只是更強，也更穩(wěn)定、更可靠，更能滿足工業(yè)量產(chǎn)環(huán)境的要求。

芯片制造是資本密集型產(chǎn)業(yè)。提高現(xiàn)有設備產(chǎn)能，等同于“花同樣的錢，產(chǎn)出更多芯片”。這在全球芯片供給吃緊、市場需求爆發(fā)的背景下尤為重要。

隨著人工智能、自動駕駛、云計算等科技應用需求飆升，對高性能芯片的需求不斷增長。EUV光刻機提速將緩解晶圓廠的產(chǎn)能瓶頸，有助于全球供應鏈更快響應市場需求。

在EUV技術領域，ASML已經(jīng)形成了難以逾越的技術與產(chǎn)業(yè)壁壘。這次突破進一步拉開了與潛在競爭對手的差距，使得挑戰(zhàn)者（包括美國和中國的光源研發(fā)團隊）更難追趕。

ASML自身表示，這只是邁向更高階光源功率（如1500瓦、甚至2000瓦）的第一步。更高功率意味著未來產(chǎn)能潛力更大，這將進一步推動先進制造技術的發(fā)展。

此次 ASML將EUV光源推升至1000瓦 的突破，是芯片制造領域十年來最具意義的技術進步之一。它不僅代表了光刻技術的持續(xù)迭代，也標志著半導體制造效率未來可持續(xù)提升的可能性。

可以預計，在未來幾年里，這一技術將加速商業(yè)化落地，并成為芯片制造新一輪升級的重要驅(qū)動力。

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